1. Trang chủ
  2. » Tất cả

Nghiên cứu, thiết kế chế tạo liều kế cá nhân điện tử

10 1 0
Tài liệu đã được kiểm tra trùng lặp

Đang tải... (xem toàn văn)

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 10
Dung lượng 1,38 MB

Nội dung

NGHIÊN CỨU, THIẾT KẾ CHẾ TẠO LIỀU KẾ CÁ NHÂN ĐIỆN TỬ Nguyễn Đức Tuấn, Mai Văn Diện, Bùi Đức Kỳ, Chu Vũ Long, Vũ Văn Tiến, Nguyễn Thị Thúy Mai Viện Khoa học Kỹ thuật Hạt nhân, 179 Hoang Quoc Viet, Ha Noi Tóm tắt Ngày nay, để tăng cường cho việc kiểm soát liều xạ cá nhân cách hiệu quả, liều kế cá nhân điện tử (EPD) sử dụng ngày nhiều, sở sử dụng đầu dò bán dẫn Silicon Diode với khả ghi đo hiển thị kết trực thời gian thực liều xạ chiếu gamma, beta, nơtron Chúng xem bổ sung tích cực cho liều kế thụ động (TLD, OSLD) nhằm đáp ứng nguyên lý ALARA an toàn xạ Dựa vào phương pháp đo đạc thuật toán để xác định đại lượng tương đương liều cá nhân Hp(10) Hp(0,07) từ kerma khơng khí nghiên cứu phát triển trước đây, khuôn khổ dự án, nghiên cứu chế tạo thành công liều kế cá nhân điện tử với tên gọi VinaDOSE-01 đạt chuẩn IEC-61256 Thiết bị chế tạo được kiểm định cấp chứng Phịng thí nghiệm chuẩn liều cấp II (SSDL) thuộc Viện KHKTHN thông qua chiếu chuẩn theo tiêu chuẩn ISO 4037-1 Bài báo miêu tả kết cụ thể đạt phương pháp thuật toán, thiết kế phần cứng đặc trưng kỹ thuật liều kế VinaDOSE-01 kết thực nghiệm khảo sát đánh giá thiết bị trường chuẩn xạ Từ khóa: Liều kế cá nhân điện tử, EPD Mở đầu Công việc kiểm soát liều xạ cá nhân từ trước đến dựa việc sử dụng loại liều kế thụ động TLD, OSL Tuy nhiên trình sử dụng loại liều kế thụ động bộc lộ hạn chế không đáp ứng nhu cầu giám sát, tối ưu hoá liều lượng cho nhân viên xạ làm việc khu vực có kiểm sốt cần phải biết thơng tin; nhiều thời gian cho việc vận chuyển liều kế từ người sử dụng quay ngược lại nhà cung cấp dịch vụ để đọc hoàn trả Trong khoảng thời gian 10 năm gần đây, với phát triển loại đầu dị bán dẫn kích thước nhỏ tiêu biểu Silicon Diode Detector với công nghệ bán dẫn có độ tích hợp cao tiêu thụ dòng thấp, liều kế cá nhân điện tử (Electronic Personal Dosimeter-EPD) chế tạo ngày nhiều hồn thiện Liều kế điện tử với tính vượt trội đo hiển thị trực thời gian thực liều xạ thu nhận được, phát cảnh báo âm ánh sáng trường hợp liều phơi nhiễm vượt mức thiết lập ghi lại nhớ lịch sử liều để dễ dàng truy xuất quản lý liệu liều cá nhân cách nhanh chóng Tiêu chuẩn IEC 61526 [1] thiết lập cho liều kế cá nhân điện tử làm sở cho việc đánh giá chất lượng hiệu chuẩn thiết bị Trên sở đó, số nước giới cấp phép sử dụng EPD liều kế thức sử dụng liều kế thứ cấp với liều kế thụ động để tăng cường mức độ kiểm soát liều cá nhân theo nguyên lý ALARA an tồn xạ Mục đích nghiên cứu dựa phương pháp đo đạc thuật toán để xác định tương đương liều cá nhân nghiên cứu phát triển [2], cụ thể hóa thiết kế để chế tạo liều kế cá nhân điện tử hoàn chỉnh với khả đo hai đại lượng liều Hp(10) Hp(0,07) (tương ứng với tương đương liều cá nhân độ sâu 10 mm 0,07 mm) photon lượng dải từ 20 - 1250 keV Liều kế cá nhân điện tử chế tạo được thông qua kiểm định cấp chứng Phịng thí nghiệm chuẩn liều cấp II (SSDL) thuộc Viện KHKTHN thông qua chiếu chuẩn theo tiêu chuẩn ISO 4037-1 [3] Dưới mơ tả phương pháp thuật tốn cụ thể, thiết kế phần cứng với tính sử dụng đặc trưng kỹ thuật liều kế cá nhân điện tử VinaDOSE-01 đạt được, kết khảo sát đánh giá thiết bị trường chuẩn xạ Phương pháp thuật toán Khuyến cáo ICRU-39 (1985) tổ chức quốc tế ICRU xác định đại lượng hoạt động cho việc kiểm soát cá nhân tương đương liều cá nhân Hp(d), với d độ sâu tính mm Đối với photon, đại lượng vật lý sơ cấp chuẩn kerma, hay kerma khơng khí Ka Giống đại lượng tương đương liều môi trường H*(d), đại lượng tương đương liều cá nhân Hp(d) không đo trực tiếp mà phải xác định từ liều kerma khơng khí sử dụng hàm chuyển đổi phù hợp Các hệ số chuyển đổi liều phụ thuộc lượng sử dụng để thiết lập nên mối quan hệ đại lượng vật lý sơ cấp đại lượng hoạt động Hp(d) Do đó, trường hợp photon đơn lượng E, tương đương liều cá nhân Hp(d) xác định cơng thức: (1) đó: Ka(E)[Gy] kerma khơng khí Cp(E)[Sv/Gy] hệ số chuyển đổi kerma khơng khí sang tương đương liều (Hình 1) Hệ số chuyển đổi từ kerma khơng khí sang đại lượng Hp(10) Hp(0.07) cho việc kiểm soát cá nhân nơi làm việc phụ thuộc vào lượng photon hình (theo ICRP74 ICRU51) Mặt khác, hiệu ứng trường xạ, ta nhận thấy có mối quan hệ số đếm xung N ghi nhận từ đầu dò đeo cá thể bị chiếu, với liều kerma khơng khí tương tự phương trình sau (2) Trong đó: R(E) hàm đáp ứng đầu dị phụ thuộc lượng có đơn vị số đếm đơn vị kerma khơng khí Hình Hệ số chuyển đổi kerma khơng khí sang Hp(10) Hp(0.07) Hình Đáp ứng đầu dò với phin lọc khác Trong điều kiện thực tế, lượng photon tới không xác định được, điều dẫn đến khơng thể xác định xác giá trị Hp(d) N theo (1) (2) Theo phương pháp tỷ số đồng dạng hay gọi phương pháp dạng khớp mô tả [1], ta khắc phục khó khăn cách đồng phương trình (1) (2) để loại bỏ tham số phụ thuộc lượng Cp(E), Ka(E) R(E) sau Nếu giả sử trường photon giống nhau, việc làm khớp dạng đường cong đáp ứng lượng đầu dò với hàm chuyển đổi kerma sang tương đương liều cho ta cách thức xác định đại lượng tương đương liều cách gần mà giải vấn đề lượng thực photon tới Phép đo liều kế gọi xác hàm R(E) có đáp ứng lượng tương tự hàm Cp(E) Dựa triết lý thiết kế này, tỷ số xác định bới: (3) gọi số chuẩn liều k[Sv/Cnt], xác định đáp ứng lượng truyền thống liều kế theo nghĩa tương đương liều đơn vị số đếm Đây công thức định lượng cho việc thiết kế đầu dò để đo liều Giả sử hệ thống đo liều “khớp” ta đạt tương đương liều dựa vào số đếm N sau (4) Để đo giá trị Hp(d) theo phương trình (4) số chuẩn liều k phải xác định từ phương trình (3) Để thỏa mãn phương trình (3), thủ tục khớp hàm sau thực Giải thuật cho việc xác định thủ tục khớp hàm thực hình Đầu dị tổ hợp Silicon Diode NBare N=a.NBare+b.NPb NPb Hp(d) k= Cp(E)/R(E) Hình Giải thuật phương pháp dạng khớp cho việc định lượng Hp(d) Dựa kết định lượng đáp ứng lượng tương đối (RER) đầu dò silicon diode với phin lọc kim loại hình phương pháp mô Monte Carlo dạng biết đường cong hàm chuyển đổi kerma sang tương đương liều cá nhân, giải thuật tính tốn liều nêu hình thực theo nghĩa tốn học cách kết hợp tín hiệu từ hai đầu dò silicon diode, để trần có phin lọc chì dày 1,5 mm, với số đếm từ hai đầu dò thể NBare NPb Tổ hợp tuyến tính hai số đếm đáp ứng tương ứng xác định bởi: (5) R(E) = (6) Từ phương trình (3) (6), phương pháp liên quan đến việc giải phương trình sau (7) dải lượng mong muốn Các số a, b k phương trình (7) đạt phương pháp khớp bình phương tối thiểu 3D theo dạng z=ax+by z = Cp(E), x = RBare(E) y = RPb(E) Các giá trị cụ thể cơng thức tính Hp(d) cho ứng dụng tính tốn chi tiết phần thực nghiệm với kết khảo sát đánh giá 3 Thiết kế chế tạo Trên sở phương pháp đo đạc thuật toán xác định tương đương liều cá nhân nêu trên, liều kế cá nhân điện tử EPD thiết kế chế tạo theo sơ đồ khối hình 4, bao gồm số khối điện tử chức sau: Hình Sơ đồ khối liều kế cá nhân điện tử Module-1, module-2: đầu dò silicon diode để trần có phin lọc chì; mạch điện tử chức tiền khuếch đại nhạy điện tích, khuếch đại hình thành xung phân biệt Dose Logger Memory: nhớ loại EEPROM cho việc lưu trữ thông tin; Functional Buttons: núm chức để chọn chế độ thiết lập thị liều kế; Microcontroller: vi xử lý điều khiển chế độ hoạt động liều kế thành phần khác bao gồm cảnh báo, giao tiếp hồng ngoại, thị LCD, nhớ Bộ vi xử lý điều khiển núm nhấn hình thành tính toán giao tiếp cần thiết Custom LCD: thị LCD với số ký hiệu đơn vị xạ Alarm: phận cảnh báo âm (buzzer) ánh sáng (đèn LED); Infrared ENC/DEC and Transceiver: phận mã hóa truyền nhận thông tin hồng ngoại để giao tiếp với máy tính PC Proximity Hall Sensor: cảm biến tiệm cận phát tín hiệu giao tiếp EPD đọc liệu liều kế Battery Power Supply: nguồn nuôi bao gồm pin Li-polymer, mạch sạc bảo vệ pin Li-polymer battery protection and charger, bật tắt nguồn Power SW On/Off, ổn áp LDO 3,3V Regulator Đầu dị silicon PIN diode phát xung điện tích photon tới Điện tích chuyển đổi thành điện áp tiền khuếch đại nhạy điện tích Tín hiệu có độ rộng chuyển đổi thành tín hiệu xung khuếch đại hình thành xung chuyển thành xung logic để phục vụ cho việc đếm phân biệt ngưỡng Bộ vi xử lý đếm xung từ kênh độc lập đầu dò silicon diode để tính tốn Phần mềm cho vi xử lý liều kế phát triển dựa ngôn ngữ C từ công ty CCS thiết kê dành cho họ vi điều khiển PIC Mã nguồn C viết ứng dụng thiết kế để điều khiển thành phần phần cứng đếm, định thời gian, thị LCD, thời gian thực cảnh báo buzzer Chương trình xử lý số đếm tích lũy thời gian đo để tính hiển thị LCD đại lượng tương đương liều cá nhân Hình Liều kế cá nhân điện tử VinaDOSE-01 so sánh với thiết bị hãng khác giới Bảng Đặc trưng kỹ thuật liều kế VinaDOSE-01 Đầu dò Silicon PIN diodes Đáp ứng góc Dải lượng 20 keV-3 MeV (X gamma) Hiển thị Dải liều 0.1μSv đến 10Sv Môi trường hoạt động Dải suất liều 0.1μSv/h đến 100 mSv/h Nguồn ni Độ xác liều < ±30% Kích thước Thiết lập từ: mSv đến 9999 mSv Thiết lập từ: μSv/h đến 9999 uSv/h Khối lượng Cảnh báo liều Cảnh báo suất liều Lưu trữ liều 2330 ghi Tiêu chuẩn IP Tiêu chuẩn xạ 0º đến 60º: ≤ ±20% Cs-137 LCD số ký hiệu đặc trưng Nhiệt độ: -10°C đến 50° C Độ ẩm: 0% đến 90% Li-polymer Bat 2500 mAh Thời gian hoạt động: 1250 liên tục 90 x 67 x 21 mm 130 g IP65 IEC 61526 Liều kế cá nhân điện tử hoàn thiện VinaDOSE-01 hình với đặc trưng kỹ thuật bảng Để đánh giá đặc trưng liều lượng thiết bị chế tạo được, thí nghiệm thực trường xạ photon cụ thể Liều kế đặt đằng trước hình nộm theo chuẩn ISO có kích thước 30 x 30 x 15 cm đầu dò Si đặt trùng với trung tâm trường xạ Phòng chuẩn liều cấp hai (SSDL) Viện Khoa học Kỹ thuật Hạt nhân (INST) Dữ liệu thực nghiệm đạt cách chiếu xạ theo đặc trưng trường xạ chuẩn Bức xạ chuẩn vùng lượng thấp dựa chuỗi phổ hẹp theo chuẩn ISO 4037-1 tạo nên máy phát tia X Chuỗi phổ hẹp sử dụng nghiên cứu bao gồm N-30 (24 keV), N-40 (33 keV), N-60 (48 keV), N-80 (65 keV), N-100 (83 keV) xạ chuẩn vùng lượng cao dựa nguồn chuẩn 137-Cs (662 keV) 60-Co (1.25 MeV) Kết thực nghiệm Xác định hàm đáp ứng hiệu chuẩn Kết đo đạc đáp ứng lượng đầu dị để trần có phin lọc chì kerma khơng khí bảng minh họa hình Từ liệu này, thủ tục khớp bình phương tối thiểu thực cho trường hợp Cp(10) Cp(0,07) theo phương trình (7) hai đáp ứng tổ hợp tuyến tính R10 R07 đạt Các tỷ số tính k bảng phù hợp giống hàm đáp ứng hàm chuyển đổi Biểu thức xác định đại lượng Hp(10) Hp(0.07) đưa phương trình (8) (9) Hp(10)= 0,0176(0,09805.NBare + 0,18341.NPb) Hp(0,07)=0,0182(0,09574.NBare+ 0,17481.NPb) (8) (9) NBare, NPb: giá trị số đếm [Cnts] Ta nhận thấy từ phương trình (8) (9) đại lượng tương đương liều cá nhân Hp(d) có mối quan hệ một-một đơn giản với số đếm xung thu nhận từ hai đầu dò Bảng Hàm đáp ứng liều kế VinaDOSE-01 STT Energy (keV) RBare (Cnts/µGy) RPb (Cnts/µGy) Cp(10) (µSv/µGy) R10(E) (Cnts/µGy) 10 11 12 13 14 20 33 48 65 83 100 200 300 400 500 662 800 1000 1250 9,66 7,43 15,06 14,77 19,66 16,55 11,38 9,31 8,59 7,76 4,97 6,21 5,48 2,75 0,00 0,03 1,31 2,48 3,98 2,59 4,06 6,05 6,75 6,61 4,97 6,21 5,48 2,75 0,61 1,17 1,65 1,88 1,90 1,81 1,49 1,37 1,30 1,26 1,21 1,19 1,17 1,15 57,0 43,8 91,2 94,2 127,8 111,0 88,8 87,0 87,0 81,0 78,0 69,6 61,8 46,2 k(10)=Cp(10) /R10(E) (µSv/Cnts) 0,0107 0,0268 0,0180 0,0199 0,0148 0,0163 0,0168 0,0157 0,0150 0,0155 0,0155 0,0170 0,0189 0,0248 Error (%) 38,77 52,38 2,77 13,42 15,47 7,30 4,22 10,63 14,66 11,83 11,50 2,97 7,73 41,05 - Giá trị trung bình k(10)=0,0176 - Hằng số a=0,09805; b=0,18341 STT Energy (keV) RBare (Cnts/µGy) RPb (Cnts/µGy) 10 11 12 13 14 20 33 48 65 83 100 200 300 400 500 662 800 1000 1250 9,66 7,43 15,06 14,77 19,66 16,55 11,38 9,31 8,59 7,76 4,97 6,21 5,48 2,75 0,00 0,03 1,31 2,48 3,98 2,59 4,06 6,05 6,75 6,61 4,97 6,21 5,48 2,75 Hình Sự tương tự hàm đáp ứng R10 hàm chuyển đổi Cp(10) k(0.07)=Cp(0.07) Cp(0.07) R0.07(E) /R0.07(E) (µSv/µGy) (Cnts/µGy) (µSv/Cnts) 1,045 55,8 0,0188 1,300 42,6 0,0304 1,600 89,4 0,0179 1,720 91,8 0,0187 1,700 124,8 0,0136 1,669 108,6 0,0154 1,432 86,4 0,0166 1,336 84,6 0,0158 1,280 84 0,0153 1,244 78,6 0,0159 1,200 75 0,0160 1,189 67,2 0,0176 1,173 59,4 0,0197 1,030 44,4 0,0231 Error (%) 3,41 67,18 1,52 2,66 25,15 15,39 8,70 13,11 16,19 12,86 12,02 3,16 8,15 26,72 - Giá trị trung bình k(0,07)=0,0182 - Hằng số: a=0,09574; b=0,17481 Hình Sự tương tự hàm đáp ứng R07 hàm chuyển đổi Cp(0.07) Liều kế VinaDOSE-01 hiệu chuẩn mặt đại lượng tương đương liều đo Hp (d) Phương pháp hiệu chuẩn thực sau: - Lựa chọn trường xạ chuẩn phù hợp điểm kiểm tra Xác định giá trị đại lượng vật lý phù hợp (kerma khơng khí) vị trí kiểm tra tính giá trị liều cấp Định vị liều kế phantom điểm kiểm tra chiếu chuẩn, đọc giá trị thị liều kế ghi nhận Tính toán hệ số chuẩn CF(10) CF(0,07) liều kế xác định tỷ số giá trị liều cấp giá trị liều đo theo công thức Các giá trị đáp ứng Res(10) Res(0,07) liều kế xác định tỷ số giá trị liều đo liều cấp Kết hiệu chuẩn liều kế VinaDOSE-01 trình bày bảng Bảng Kết hiệu chuẩn liều kế VinaDOSE-01 Refere nces Delivered Dose (uSv) Measured Dose (uSv) Calibration Factors Response Mean Energy (keV) Hp(10) Hp(0.07) Hp(10) Hp(0.07) CF(10) CF(0.07) Res(10) Res(0.07) 20 930,0 1593,2 1296,7 1309,4 0.72 1.22 1.39 0.82 33 1595,5 1772,7 1014,3 1024,1 1.57 1.73 0.64 0.58 48 4116,8 3992,0 3699,0 3734,7 1.11 1.07 0.90 0.94 65 3241,1 2965,3 2201,3 2221,5 1.47 1.33 0.68 0.75 83 828,4 741,2 841,1 847,8 0.98 0.87 1.02 1.14 662 2420,0 2400,0 2437,0 2423,7 0.99 0.99 1.01 1.01 1,14 1,20 0,94 0,87 Mean: Kiểm tra độ tuyến tính Để tiến hành kiểm tra độ tuyến tính liều kế, liều kế chiếu xạ với suất liều khoảng thời gian khác (1, 2, 3, phút) Độ lệch tính so với giá trị chuẩn tính sau: đó: Deviation độ lệch % Calculated Dose: Liều tính tốn Measured Dose: Liều đo Kết kiểm tra độ tuyến tính liều kế VinaDOSE-01 trình bày bảng Liều kế cho đáp ứng tốt lượng ngoại trừ đáp ứng giá trị N-40 (33 keV) có sai lệch cao Độ tuyến tính liều kế đạt với độ lệch vòng ±30 % Sự sai lệch lớn sảy giá trị N-25, N-40 Bảng Kiểm tra độ tuyến tính liều kế VinaDOSE-01 Quality /Energy (keV) N-25/ 20 N-40/ 33 Elapsed Time (min) 7 Hp(10) Measured (uSv) 21,59 43,06 65,06 86,66 108,17 130,02 151,28 16,89 33,74 50,57 67,67 84,6 101,46 118,34 Hp(0.07) Measured (uSv) 21,8 43,48 65,7 87,51 109,23 131,29 152,76 17,06 34,07 51,07 68,33 85,42 102,44 119,48 Hp(10) Calculated (uSv) 15,50 31,00 46,50 62,00 77,50 93,00 108,50 26,59 53,18 79,77 106,36 132,95 159,54 186,13 Hp(10) Deviation (%) -39,3 -38,9 -39,9 -39,8 -39,6 -39,8 -39,4 36,5 36,6 36,6 36,4 36,4 36,4 36,4 Hp(0.07) Calculated (uSv) 26,55 53,1 79,65 106,2 132,75 159,3 185,85 29,55 59,1 88,65 118,2 147,75 177,3 206,85 Hp(0.07) Deviation (%) 17,9 18,1 17,5 17,6 17,7 17,6 17,8 42,3 42,4 42,4 42,2 42,2 42,2 42,2 6 7 N-60/ 48 N-80/ 65 N-100/ 83 Cs-137/ 661 53,31 116,79 180,04 243,56 306,7 369,9 36,77 73,82 110,83 147,48 184,03 221,07 256,82 13,46 27,32 41,57 55,56 69,54 83,96 98,13 40,33 80,72 121,28 162,01 203,17 243,44 284,32 53,82 117,91 181,77 245,91 309,66 373,47 37,11 74,5 111,84 148,83 185,72 223,09 259,17 13,57 27,54 41,9 56 70,1 84,63 98,91 40,11 80,27 120,61 161,12 202,06 242,1 282,76 68,61 137,22 205,83 274,44 343,05 411,66 54,02 108,04 162,06 216,08 270,1 324,12 378,14 13,81 27,62 41,43 55,24 69,05 82,86 96,67 40,33 80,66 120,99 161,32 201,65 241,98 282,31 22,3 14,9 12,5 11,3 10,6 10,1 31,9 31,7 31,6 31,7 31,9 31,8 32,1 2,5 1,1 -0,3 -0,6 -0,7 -1,3 -1,5 0,0 -0,1 -0,2 -0,4 -0,8 -0,6 -0,7 66,53 133,06 199,59 266,12 332,65 399,18 49,42 98,84 148,26 197,68 247,1 296,52 345,94 12,35 24,7 37,05 49,4 61,75 74,1 86,45 40 80 120 160 200 240 280 19,1 11,4 8,9 7,6 6,9 6,4 24,9 24,6 24,6 24,7 24,8 24,8 25,1 -9,8 -11,5 -13,1 -13,4 -13,5 -14,2 -14,4 -0,3 -0,3 -0,5 -0,7 -1,0 -0,9 -1,0 Sự phụ thuộc góc Sự phụ thuộc góc liều kế khảo sát theo góc sau: 0o, ±25o, ±35o, ±45o, ±60o với việc sử dụng nguồn chuẩn Cs-137 để kiểm tra đặc trưng Kết trình bày bảng hình Kết cho thấy phụ thuộc góc đáp ứng tương đối khơng lớn 15% so với góc 0o Bảng Sự phụ thuộc góc đáp ứng tương đối liều kế VinaDOSE-01 Angle (Degree) Hp(10) Measured (uSv) 25 35 45 60 -25 -35 -45 -60 34,07 33,47 32,92 32,08 30,19 33,54 33,07 31,85 30,29 Relative Response Hp(10) (%) 100,0 98,2 96,6 94,2 88,6 98,4 97,1 93,5 88,9 Hp(0.07) Measured (uSv) 33,85 33,25 32,71 31,89 30,02 33,31 32,86 31,65 30,13 Relative Response Hp(0.07) (%) 100,0 98,2 96,6 94,2 88,7 98,4 97,1 93,5 89,0 Hình Đáp ứng góc liều kế VinaDOSE-01 Kết luận Trong báo này, việc thiết kế chế tạo hoàn chỉnh liều kế cá nhân điện tử VinaDOSE-01 miêu tả cách chi tiết từ phương pháp thuật đoán đến thiết kế phần cứng thiết bị Các số liệu thực nghiệm thiết bị chế tạo kết tốt việc đo đạc trực tiếp đại lượng tương đương liều cá nhân, điều đáp ứng phần yêu cầu tiêu chuẩn IEC 61526 chứng tỏ khả áp dụng thực tiễn thiết bị Lần nghiên cứu chế tạo thành công nước, với tính đạt được, thiết bị công cụ hữu hiệu việc xác định liều lượng cho nhân viên xạ, dân chúng cách chủ động, tích cực, khắc phục mặt hạn chế liều kế thụ động, góp phần vào cơng tác đảm bảo ATBX sức khỏe cho người, phù hợp với xu hướng phát triển giới Tài liệu tham khảo [1] International Electrotechnical Commission, “Radiation protection instrumentation Measurement of personal dose equivalent Hp(10) and Hp(0.07) for X, gamma, neutron and beta radiation: direct reading personal dose equivalent and monitors”, IEC 61526 (Geneva: IEC) (2005) [2] Nguyen Duc Tuan, Mai Van Dien, Bui Duc Ky, Chu Vu Long, Vu Van Tien, Nguyen Thi Thuy Mai, “Development of measurement methods and dose evaluating algorithms for electronic personal dosimeter”, Nuclear Science and Technology, Vol.7, No (2017), p 25-33 [3] International Organization for Standardization, “X and Gamma Reference Radiation for Calibrating Dosimeters and Doserate Meters and for Determining their Response as a Function of Photon Energy”, ISO 4037-1 (Geneva: ISO) (1996) 10 ... thực nghiệm với kết khảo sát đánh giá 3 Thiết kế chế tạo Trên sở phương pháp đo đạc thuật toán xác định tương đương liều cá nhân nêu trên, liều kế cá nhân điện tử EPD thiết kế chế tạo theo sơ đồ... góc liều kế VinaDOSE-01 Kết luận Trong báo này, việc thiết kế chế tạo hoàn chỉnh liều kế cá nhân điện tử VinaDOSE-01 miêu tả cách chi tiết từ phương pháp thuật đoán đến thiết kế phần cứng thiết. .. 61526 Liều kế cá nhân điện tử hoàn thiện VinaDOSE-01 hình với đặc trưng kỹ thuật bảng Để đánh giá đặc trưng liều lượng thiết bị chế tạo được, thí nghiệm thực trường xạ photon cụ thể Liều kế đặt

Ngày đăng: 23/03/2023, 22:19