ĐỀ TÀI TIỂU LUẬN KỸ THUẬT SIÊU CAO TẦN KHOÁ 12 Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với yêu cầu sau: - Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic=5mA, VCE=5V - Tần số trung tâm: 1.5 GHz - Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm) a) Khảo sát phần tử BJT xác định ma trận tán xạ S phần tử khuếch đại điều kiện phân cực cho b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ vào để đạt độ lợi cao với thơng số S vừa tìm c) Khảo sát đáp ứng toàn mạch, xác định thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT, trở kháng vào, trở kháng toàn mạch khuếch đại tần số trung tâm Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với yêu cầu sau: - Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic=2,5mA, VCE=6V - Tần số trung tâm: 1.2 GHz - Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm) a) Khảo sát phần tử BJT xác định ma trận tán xạ S phần tử khuếch đại điều kiện phân cực cho b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ vào để đạt độ lợi cao với thơng số S vừa tìm c) Khảo sát đáp ứng tồn mạch, xác định thơng số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT, trở kháng vào, trở kháng toàn mạch khuếch đại tần số trung tâm Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với yêu cầu sau: - Dùng phần tử BJT NE68730, Phân cực Ic=5mA, VCE=6V - Tần số trung tâm: 1.8 GHz - Tải ZL=75(ohm), Trở kháng nguồn Zs=75(ohm) a) Khảo sát phần tử BJT xác định ma trận tán xạ S phần tử khuếch đại điều kiện phân cực cho b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ vào để đạt độ lợi cao với thông số S vừa tìm c) Khảo sát đáp ứng tồn mạch, xác định thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT, trở kháng vào, trở kháng toàn mạch khuếch đại tần số trung tâm Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với yêu cầu sau: - Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic=5mA, VCE=5V - Tần số trung tâm: 1.5 GHz - Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm) a) Khảo sát phần tử BJT xác định ma trận tán xạ S phần tử khuếch đại điều kiện phân cực cho b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ để đạt độ lợi cao với thơng số S vừa tìm c) Khảo sát đáp ứng tồn mạch, xác định thơng số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT, trở kháng vào, trở kháng toàn mạch khuếch đại tần số trung tâm Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với yêu cầu sau: - Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic=2,5mA, VCE=6V - Tần số trung tâm: 1.2 GHz - Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm) a) Khảo sát phần tử BJT xác định ma trận tán xạ S phần tử khuếch đại điều kiện phân cực cho b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ để đạt độ lợi cao với thông số S vừa tìm c) Khảo sát đáp ứng tồn mạch, xác định thơng số: băng thơng (3dB), độ lợi công suất GT, trở kháng vào, trở kháng toàn mạch khuếch đại tần số trung tâm Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với yêu cầu sau: - Dùng phần tử BJT NE68730, Phân cực Ic=5mA, VCE=6V - Tần số trung tâm: 1.8 GHz - Tải ZL=75(ohm), Trở kháng nguồn Zs=75(ohm) a) Khảo sát phần tử BJT xác định ma trận tán xạ S phần tử khuếch đại điều kiện phân cực cho b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ để đạt độ lợi cao với thơng số S vừa tìm c) Khảo sát đáp ứng toàn mạch, xác định thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT, trở kháng vào, trở kháng toàn mạch khuếch đại tần số trung tâm Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với yêu cầu sau: - Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic=5mA, VCE=5V - Tần số trung tâm: GHz - Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm) a) Khảo sát phần tử BJT xác định ma trận tán xạ S phần tử khuếch đại điều kiện phân cực cho b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ vào để đạt độ lợi cao với thơng số S vừa tìm c) Khảo sát đáp ứng tồn mạch, xác định thơng số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT, trở kháng vào, trở kháng toàn mạch khuếch đại tần số trung tâm Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với yêu cầu sau: - Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic=2,5mA, VCE=6V - Tần số trung tâm: 2.1 GHz - Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm) a) Khảo sát phần tử BJT xác định ma trận tán xạ S phần tử khuếch đại điều kiện phân cực cho b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ vào để đạt độ lợi cao với thông số S vừa tìm c) Khảo sát đáp ứng tồn mạch, xác định thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT, trở kháng vào, trở kháng toàn mạch khuếch đại tần số trung tâm Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với yêu cầu sau: - Dùng phần tử BJT NE68730, Phân cực Ic=5mA, VCE=6V - Tần số trung tâm: 1.9 GHz - Tải ZL=75(ohm), Trở kháng nguồn Zs=75(ohm) a) Khảo sát phần tử BJT xác định ma trận tán xạ S phần tử khuếch đại điều kiện phân cực cho b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ vào để đạt độ lợi cao với thơng số S vừa tìm c) Khảo sát đáp ứng tồn mạch, xác định thơng số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT, trở kháng vào, trở kháng toàn mạch khuếch đại tần số trung tâm 10 Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với yêu cầu sau: - Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic=5mA, VCE=5V - Tần số trung tâm: 2.2 GHz - Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm) a) Khảo sát phần tử BJT xác định ma trận tán xạ S phần tử khuếch đại điều kiện phân cực cho b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ để đạt độ lợi cao với thông số S vừa tìm c) Khảo sát đáp ứng tồn mạch, xác định thơng số: băng thơng (3dB), độ lợi công suất GT, trở kháng vào, trở kháng toàn mạch khuếch đại tần số trung tâm 11 Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với yêu cầu sau: - Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic=2,5mA, VCE=6V - Tần số trung tâm: 2.3 GHz - Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm) a) Khảo sát phần tử BJT xác định ma trận tán xạ S phần tử khuếch đại điều kiện phân cực cho b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ để đạt độ lợi cao với thơng số S vừa tìm c) Khảo sát đáp ứng toàn mạch, xác định thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT, trở kháng vào, trở kháng toàn mạch khuếch đại tần số trung tâm 12 Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với yêu cầu sau: - Dùng phần tử BJT NE68730, Phân cực Ic=5mA, VCE=6V - Tần số trung tâm: 1.1 GHz - Tải ZL=75(ohm), Trở kháng nguồn Zs=75(ohm) a) Khảo sát phần tử BJT xác định ma trận tán xạ S phần tử khuếch đại điều kiện phân cực cho b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ để đạt độ lợi cao với thơng số S vừa tìm c) Khảo sát đáp ứng tồn mạch, xác định thơng số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT, trở kháng vào, trở kháng toàn mạch khuếch đại tần số trung tâm 13 Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với yêu cầu sau: - Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic= mA, VCE= 6V - Tần số trung tâm: 1.3 GHz - Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm) a) Khảo sát phần tử BJT xác định ma trận tán xạ S phần tử khuếch đại điều kiện phân cực cho b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ vào để đạt độ lợi cao với thông số S vừa tìm c) Khảo sát đáp ứng tồn mạch, xác định thơng số: băng thơng (3dB), độ lợi công suất GT, trở kháng vào, trở kháng toàn mạch khuếch đại tần số trung tâm 14 Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với yêu cầu sau: - Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic= mA, VCE= V - Tần số trung tâm: 1.6 GHz - Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm) a) Khảo sát phần tử BJT xác định ma trận tán xạ S phần tử khuếch đại điều kiện phân cực cho b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ vào để đạt độ lợi cao với thông số S vừa tìm c) Khảo sát đáp ứng tồn mạch, xác định thơng số: băng thơng (3dB), độ lợi công suất GT, trở kháng vào, trở kháng toàn mạch khuếch đại tần số trung tâm 15 Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với yêu cầu sau: - Dùng phần tử BJT NE68730, Phân cực Ic= mA, VCE= 6.5 V - Tần số trung tâm: 1.7 GHz - Tải ZL=75(ohm), Trở kháng nguồn Zs=75(ohm) a) Khảo sát phần tử BJT xác định ma trận tán xạ S phần tử khuếch đại điều kiện phân cực cho b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ vào để đạt độ lợi cao với thông số S vừa tìm c) Khảo sát đáp ứng tồn mạch, xác định thơng số: băng thơng (3dB), độ lợi công suất GT, trở kháng vào, trở kháng toàn mạch khuếch đại tần số trung tâm 16 Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với yêu cầu sau: - Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic= mA, VCE= V - Tần số trung tâm: 2.4 GHz - Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm) a) Khảo sát phần tử BJT xác định ma trận tán xạ S phần tử khuếch đại điều kiện phân cực cho b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ để đạt độ lợi cao với thông số S vừa tìm c) Khảo sát đáp ứng tồn mạch, xác định thơng số: băng thơng (3dB), độ lợi công suất GT, trở kháng vào, trở kháng toàn mạch khuếch đại tần số trung tâm 17 Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với yêu cầu sau: - Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic=2 mA, VCE= 5V - Tần số trung tâm: 1.9 GHz - Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm) a) Khảo sát phần tử BJT xác định ma trận tán xạ S phần tử khuếch đại điều kiện phân cực cho b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ để đạt độ lợi cao với thông số S vừa tìm c) Khảo sát đáp ứng tồn mạch, xác định thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT, trở kháng vào, trở kháng toàn mạch khuếch đại tần số trung tâm 18 Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với yêu cầu sau: - Dùng phần tử BJT NE68730, Phân cực Ic= 3.5 mA, VCE= 5.5 V - Tần số trung tâm: 1.8 GHz - Tải ZL=75(ohm), Trở kháng nguồn Zs=75(ohm) a) Khảo sát phần tử BJT xác định ma trận tán xạ S phần tử khuếch đại điều kiện phân cực cho b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ để đạt độ lợi cao với thông số S vừa tìm c) Khảo sát đáp ứng tồn mạch, xác định thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT, trở kháng vào, trở kháng toàn mạch khuếch đại tần số trung tâm 19 Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với yêu cầu sau: - Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic= 6.5 mA, VCE= V - Tần số trung tâm: 2.4 GHz - Tải ZL=50(ohm), Trở kháng nguồn Zs=50(ohm) a) Khảo sát phần tử BJT xác định ma trận tán xạ S phần tử khuếch đại điều kiện phân cực cho b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ để đạt độ lợi cao với thông số S vừa tìm c) Khảo sát đáp ứng tồn mạch, xác định thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT, trở kháng vào, trở kháng toàn mạch khuếch đại tần số trung tâm 20 Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với yêu cầu sau: - Dùng phần tử BJT NE68730, Phân cực Ic= mA, VCE= V - Tần số trung tâm: 1.9 GHz - Tải ZL=75(ohm), Trở kháng nguồn Zs=75(ohm) a) Khảo sát phần tử BJT xác định ma trận tán xạ S phần tử khuếch đại điều kiện phân cực cho b) Thiết kế mạch phối hợp trở kháng ngõ để đạt độ lợi cao với thông số S vừa tìm c) Khảo sát đáp ứng tồn mạch, xác định thông số: băng thông (3dB), độ lợi công suất GT, trở kháng vào, trở kháng toàn mạch khuếch đại tần số trung tâm ... kháng vào, trở kháng toàn mạch khuếch đại tần số trung tâm 12 Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với yêu cầu sau: - Dùng phần tử BJT NE68730, Phân cực Ic=5mA, VCE=6V - Tần số trung tâm: 1.1 GHz... kháng vào, trở kháng toàn mạch khuếch đại tần số trung tâm Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với yêu cầu sau: - Dùng phần tử BJT NE68730, Phân cực Ic=5mA, VCE=6V - Tần số trung tâm: 1.8 GHz... kháng vào, trở kháng toàn mạch khuếch đại tần số trung tâm Thiết kế mạch khuếch đại siêu cao tần với yêu cầu sau: - Dùng phần tử BJT NE68719, Phân cực Ic=5mA, VCE=5V - Tần số trung tâm: GHz - Tải