1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Báo cáo thực tập điện tử tương tự tuần4

13 23 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 13
Dung lượng 1,46 MB

Nội dung

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ ⁎⁎⁎⁎⁎ BÁO CÁO THỰC HÀNH SỐ MÔN HỌC: THỰC TẬP ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ Họ tên: Nguyễn Thế Anh Mã sinh viên: 19021404 Giảng viên hướng dẫn: Phạm Đình Tuân Chu Thị Phương Dung Tuần 3: Các khuếch đại nhiều tầng sử dụng BJT I Khảo sát khuếch đại nối tầng RC: -Sử dụng mạch thực nghiệm A3-1: 1.1 Đo hệ số khuếch đại tầng transistor T1: *Các bước tiến hành: - Cấp nguồn +12V cho mảng sơ đồ A3- - Đặt máy phát tín hiệu chế độ: phát dạng sin, tần số 1kHz, biên độ ± 10mV đỉnh-đỉnh -Đặt thang đo lối vào dao động ký kênh 50mV/cm kênh 2V/cm, thời gian quét dao động ký 1ms/cm -Nối kênh dao động ký với chốt vào tuỳ theo thực nghiệm Nối kênh dao động ký với chốt tuỳ theo thực nghiệm - Nối tín hiệu từ máy phát tín hiệu vào IN -Biên độ dạng sóng vào sóng (trên collector - lối A) T1: -Hệ số khuếch đại: 𝐴1 = 𝑉𝑜𝑢𝑡𝑇1 375 𝑚𝑉 = = 37.5 𝑉𝑖𝑛𝑇1 10 𝑚𝑉 1.2 Đo hệ số khuếch đại tầng transistor T2: - Nối tín hiệu từ máy phát tới lối vào B Biên độ sóng vào sóng tầng T2: - Hệ số khuếch đại tầng T2: 𝐴2 = 𝑉𝑜𝑢𝑡𝑇2 102.5 𝑚𝑉 = = 10.25 𝑉𝑖𝑛𝑇1 10 𝑚𝑉 Tính hệ số khuếch đại ghép hai tầng: A = A1xA2 = 384.375 Đo hệ số khuếch đại ghép tầng thực tế: Nối điểm A với B để ghép hai tầng khuếch đại T1 T2 mạch C4 - R8 // R9 Cấp tín hiệu máy phát vào IN Đo biên độ sóng vào (tại IN) sóng (tại C) - Dạng sóng ra: 1.3 1.4 - Add -Hệ số khuếch đại: 𝐴(đ𝑜) = 𝑉𝑜𝑢𝑡𝑇2 770𝑚𝑉 = = 77 𝑉𝑖𝑛𝑇1 10𝑚𝑉 -So sánh: Atính tốn > Ađo Hệ số mát: ∆𝐴 = [𝐴𝑡í𝑛ℎ−𝑡𝑜á𝑛 − 𝐴đ𝑜 ] 384.375 − 77 100% = 100% = 79.96% 𝐴𝑡í𝑛ℎ−𝑡𝑜á𝑛 384.375 1.5 Ghép tầng qua đệm mạch lặp lại emitter lắp transistor T3: - Nối chốt A với E F với B để ghép hai tầng khuếch đại T1 T2 qua tầng lặp lại emitter T3 - Đo biên độ sóng vào (tại IN), sóng (tại C): - Hệ số khuếch đại: 𝐴(đ𝑜) = 𝑉𝑜𝑢𝑡𝑇2 𝑉𝑖𝑛𝑇1(𝑞𝑢𝑎 𝑇1,𝑇2,𝑇3) - Hệ số mát nối tầng: ∆𝐴(𝑇3) = = 655𝑚𝑉 = 65.5 10𝑚𝑉 [𝐴𝑡í𝑛ℎ−𝑡𝑜á𝑛 − 𝐴đ𝑜 ] 384.375 − 65.5 100% = 100% = 82.96% 𝐴𝑡í𝑛ℎ−𝑡𝑜á𝑛 384.375 - Hệ số mát nối tầng mạch RC nhỏ nối tầng Emitter II Khảo sát khuếch đại vi sai: 2.1 Bộ khuếch đại vi sai với điện trở lắp emitter: 2.1.1, Phân tích chiều DC : - Giá trị vi sai VOD = V Trong trường hợp, VOD khác không linh kiện khuyếch đại vi sai không đối xứng - Sau tiến hành đo hướng dẫn, ta có kết hai bảng A3-1 A3-1b: Bảng A3-1 Khuếch đại với trở thiên áp R4 V1 0 V2 0.11 0.21 VID = V1-V2 -0.11 0.21 VOD 4.66 4.88 Bảng A3-1b 0.31 -0.31 4.93 0.40 -0.40 4.97 0.49 -0.49 5.00 0.58 -0.58 5.04 0.67 -0.67 5.08 0.75 -0.75 5.11 0.83 -0.83 5.15 Khuếch đại với trở thiên áp R4 V1 0.91 0.91 0.91 0.91 V2 0.57 0.54 0.5 0.46 VID = V1-V2 0.34 0.37 0.41 0.45 VOD -5.18 -5.18 -5.18 -5.18 -Đặc tuyến truyền đạt VOD = f(Vid) 0.91 0.42 0.49 -5.18 0.91 0.37 0.54 -5.18 0.91 0.31 0.6 -5.18 0.91 0.25 0.66 -5.18 0.91 0.18 0.73 -5.18 0.91 0.09 0.82 -5.18 - Voffset vào = Voffset = 0V - Hệ số khuếch đại vi sai chiều: 𝐴𝑑𝑚 = 𝑉𝑜𝑑 𝑉𝑖𝑑 = 5.18 𝑉 0.82 𝑉 = 6.4 - Khoảng V1 V2 mà Adm không đổi là: 0.34V

Ngày đăng: 10/03/2022, 18:36

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

w