Chế tạo và nghiên cứu thuộc tính quang điện hóa tách nước của vật liệu zno agi có cấu trúc xốp

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƢỜNG ĐẠI HỌC QUY NHƠN ĐỖ TIẾN QUANG CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU THUỘC TÍNH QUANG ĐIỆN HĨA TÁCH NƢỚC CỦA VẬT LIỆU ZnO/AgI CÓ CẤU TRÚC XỐP Chuyên ngành: Vật lý chất rắn Mã số: 8440104 Ngƣời hƣớng dẫn: TS HOÀNG NHẬT HIẾU LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan số liệu kết nghiên cứu đề tài trung thực Các kết nghiên cứu đƣợc thực Trƣờng Đại học Quy Nhơn, dƣới hƣớng dẫn thầy TS Hoàng Nhật Hiếu Các nguồn tài liệu tham khảo đƣợc trích dẫn đầy đủ Học viên Đỗ Tiến Quang LỜI CẢM ƠN Tôi xin gửi lời cảm ơn sâu sắc đến TS Hoàng Nhật Hiếu công tác khoa Khoa học Tự nhiên trƣờng Đại học Quy Nhơn Thầy ngƣời trực tiếp hƣớng dẫn, bảo tận tình tơi suốt q trình học tập nghiên cứu để tơi hồn thành q trình nghiên cứu hồn thiện đề tài“Chế tạo nghiên cứu thuộc tính quang điện hóa tách nƣớc vật liệu ZnO/AgI/CdS” Ngồi ra, tơi xin chân thành cảm ơn q thầy, cơng tác phịng thí nghiệm khoa Vật lý hỗ trợ, giúp đỡ suốt q trình làm thực nghiệm Cuối cùng, tơi xin chân cảm ơn gia đình, bạn bè, ngƣời thân yêu động viên, quan tuyâm, hỗ trợ tơi mặt để tơi hồn thành luận văn tốt nghiệp Học viên Đỗ Tiến Quang MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN LỜI CẢM ƠN DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT DANH MỤC CÁC BẢNG DANH MỤC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ MỞ ĐẦU 1 Lí chọn đề tài Tổng quan tình hình nghiên cứu đề tài 3 Mục đích nhiệm vụ nghiên cứu Đối tƣợng phạm vi nghiên cứu 5 Phƣơng pháp nghiên cứu CHƢƠNG TỔNG QUAN 1.1 GIỚI THIỆU VẬT LIỆU OXIT KẼM (ZnO) 1.1.1 Cấu trúc vật liệu ZnO 1.1.1.1 Cấu trúc Rocksalt (lập phương đơn giản kiểu NaCl) 1.1.1.2 Cấu trúc Cubic Zinc Blende (lập phương giả kẽm) 1.1.1.3 Cấu trúc wurtzite 10 1.1.2 Tính chất vật liệu ZnO 10 1.1.2.1 Tính chất điện vật liệu ZnO 11 1.1.2.2 Tính chất quang vật liệu ZnO 12 1.1.3 Ứng dụng vật liệu ZnO 13 1.2 GIỚI THIỆU VẬT LIỆU BẠC IOT (AgI) 14 1.2.1 Cấu trúc vật liệu AgI 15 1.2.2 Tính chất vật liệu AgI 17 1.2.3 Ứng dụng vật liệu AgI 17 1.3 HIỆU ỨNG QUANG ĐIỆN HÓA TÁCH NƢỚC 18 1.3.1 Nguyên lý 18 1.3.2 Cơ chế phản ứng 20 1.3.3 Mơ hình dải tế bào quang điện hóa 21 1.3.4 Các yêu cầu vật liệu quang điện cực 23 1.3.5 Hiệu suất tế bào quang điện hóa tách nƣớc 24 1.4 Phƣơng pháp tổng hợp điện hóa 25 1.5 Lắng đọng bể hóa học 26 CHƢƠNG THỰC NGHIỆM CHẾ TẠO MẪU 27 2.1 THIẾT BỊ CHẾ TẠO MẪU 27 2.2 CÁC DỤNG CỤ VÀ HÓA CHẤT SỬ DỤNG 27 2.2.1 Dụng cụ 28 2.2.2 Hóa chất 28 2.3 QUY TRÌNH CHẾ TẠO MẪU 28 2.3.1 Chuẩn bị điện cực đế ITO 28 2.3.2 Lắng đọng cầu PS lên đế ITO 29 2.3.3 Quy trình chế tạo điện cực ZnO cấu trúc xốp phƣơng pháp lắng đọng điện hóa 29 2.3.4 Quy trình chế tạo điện cực ZnO/AgI 30 2.4 MỘT SỐ PHƢƠNG PHÁP KHẢO SÁT MẪU 30 2.4.1 Phƣơng pháp nhiễu xạ tia X (XRD) 30 2.4.2 Kính hiển vi điện tử quét (SEM) 32 2.4.2.1 Định nghĩa 32 2.4.2.2 Cấu tạo 33 2.4.2.3 Nguyên lý chung phương pháp 34 2.4.3 Đo phổ hấp thụ UV-Vis 35 2.4.4 Đo thuộc tính quang điện hóa tách nƣớc (PEC) 36 2.4.5 Phƣơng pháp phổ tán sắc lƣợng (EDS) 37 CHƢƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 38 3.1 HÌNH THÁI CẤU TRÚC VI MƠ 38 3.2 THUỘC TÍNH CẤU TRÚC TINH THỂ 42 3.3 THUỘC TÍNH QUANG ĐIỆN HĨA TÁCH NƢỚC 47 KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ 57 DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO 59 DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT Tên viết tắt Tiếng Việt Tiếng Anh CB Vùng dẫn Conduction Band AgI Bạc I-ốt Silver iodide Eg Năng lƣợng dải trống Bandgap energy ITO Kính phủ lớp dẫn điện suốt ITO Indium Tin Oxide PEC Tế bào quang điện hóa Photo Electrochemical Cell PS Vật liệu polystyrene Polystyrene SEM Kính hiển vi điện tử quét Scanning Electron Microscope UV-Vis Phổ tử ngoại - khả kiến Ultraviolet - Visible -Spectroscopy VB Vùng hoá trị Valence Band XRD Nhiễu xạ tia X X-ray diffraction ZnO Kẽm Oxít Zinc Oxide CBD Lắng đọng bể hóa học Chemical bath deposition DANH MỤC CÁC BẢNG Bảng 1.Các thông số vật lý vật liệu ZnO dạng khối 11 Bảng 3.1 Thành phần ngun tố tính tốn từ EDS ZnO/AgI10 45 Bảng 3.2 Thành phần ngun tố tính tốn từ phổ EDS ZnO/AgI10/CdS 46 DANH MỤC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ Hình 1.1 Cấu trúc tinh thể ZnO dạng lập phƣơng rocksalt Hình 1.2 Cấu trúc lập phƣơng giả kẽm Cubic Zinc Blende Hình 1.3 Cấu trúc kiểu wurtzite lục giác xếp chặt 10 Hình Cấu trúc tinh thể pha   AgI 16 Hình Cấu trúc tinh thể pha   AgI  a  ;   AgI  b  16 Hình Cấu trúc hệ tách nƣớc quang điện hóa ba điện cực 19 Hình Cơ chế phản ứng quang điện hóa 20 Hình Sơ đồ dải lƣợng hệ điện hóa điện hóa điện cực bán dẫn – kim loại: chƣa tiếp xúc (a), tiếp xúc nhƣng chƣa chiếu sáng (b), tiếp xúc chiếu sáng (c) tiếp xúc chiếu sáng ngồi (d) 22 Hình Giản đồ cho thấy khe lƣợng vật liệu xít khác so sánh với mức chân không mức điện cực hydrogen chất điện phân 23 Hình Nhiễu xạ tia X mặt tinh thể 31 Hình 2 Sơ đồ ngun lí cấu tạo máy XRD 32 Hình Sơ đồ hoạt động kính hiển vi điện tử quét (SEM) kính hiển vi điện tử quét (SEM) 33 Hình Tƣơng tác điện tử với mẫu 34 Hình Cấu tạo hệ đo điện hóa ba điện cực 37 Hình Ảnh SEM cấu trúc ZnO xốp với kích thƣớc cầu PS khác nhau: (a) 150 nm, (b) 250 nm, (c) 500 nm (d) 1000 nm 39 Hình Ảnh SEM cấu trúc ZnO xốp với thời gian lắng đọng điện hóa khác (a) phút, (b) phút, (c) phút (d) 11 phút 40 Hình 3.3 (a, c) Ảnh SEM bề mặt mặt cắt ngang cấu trúc xốp ZnO (b, d) cấu trúc ZnO/AgI10 41 Hình 3.4 Phổ XRD cấu trúc ZnO xốp ZnO/AgI với thời gian mọc AgI khác 43 Hình 3.5 Phổ EDS cấu trúc ZnO/AgI10 45 Hình 3.6 Thuộc tính PEC cấu trúc ZnO xốp với kích thƣớc cầu PS khác nhau: (a) mật độ dòng quang (b) hiệu suất chuyển đổi quang tƣơng ứng 47 Hình 3.7 Thuộc tính PEC ZnO xốp 250 nm với thời gian điện hóa khác nhau: (a) mật độ dòng quang, (b) hiệu suất chuyển đổi quang tƣơng ứng 49 Hình 3.8 Thuộc tính PEC cấu trúc ZnO/AgI với thời gian mọc AgI khác nhau: (a) mật độ dòng quang, (b) hiệu suất chuyển đổi quang tƣơng ứng 51 49 Hình 3.7 (a) (b) đƣờng cong ghi lại mật độ dòng quang theo tính tốn hiệu suất chuyển đổi quang tƣơng ứng cấu trúc ZnO xốp 250 nm với thời gian lắng đọng điện hóa khác 5, 7, 11 phút, tƣơng ứng với kí hiệu mẫu ZnO-5, ZnO-7, ZnO-9 ZnO-11 Hình 3.10 Thuộc tính PEC ZnO xốp 250 nm với thời gian điện hóa khác nhau: (a) mật độ dịng quang, (b) hiệu suất chuyển đổi quang tƣơng ứng Kết đo cho thấy, hiệu suất PEC đạt cực đại với mẫu ZnO-9, hiệu suất có giá trị 0,51% cao gấp 1,3 lần hiệu suất 0,39% so với mẫu ZnO- 50 11 ZnO-5 gấp 1,1 lần hiêu suất 0,46% so với mẫu ZnO-7 Hiệu suất cao mẫu ZnO-9 thời gian vật liệu lắng đọng đủ dày cho hấp thụ quang vận chuyển điện tử hiệu đến điện cực Nếu thời gian điện hóa mở rộng thêm, nghĩa bề dày màng xốp dày dẫn đến tái hợp cặp điện tử/lỗ trống trình vận chuyển điện tử đến đế Mặc khác, quan sát ảnh SEM cho thấy thời gian lắng đọng điện hóa 11 phút lỗ mao quản khơng còn, điều làm hạn chế bề mặt xúc tác điện hóa Do đó, làm giảm hiệu suất PEC 51 Hình 3.11 Thuộc tính PEC cấu trúc ZnO/AgI với thời gian mọc AgI khác nhau: (a) mật độ dòng quang, (b) hiệu suất chuyển đổi quang tƣơng ứng 52 Cấu trúc ZnO xốp tối ƣu với kích thƣớc cầu PS 250 nm thời thời gian điện hóa ZnO phút đƣợc mọc thêm lớp vật liệu AgI với thời gian mọc khác 0, 2, 5, 10 15 phút để hình thành cấu trúc ZnO/AgI đƣợc đo thuộc tính PEC dung dịch điện phân bao gồm Na2S nồng độ 0,25 M Na2SO3 nồng độ 0,35 M cho thấy hình 3.8 Hình 3.8 (a) thể mật độ dòng quang theo mức quét từ -1,2 V đến 0,6 V hình 3.8 (b) thể hiệu suất chuyển đổi quang tƣơng ứng Kết mức đo cho thấy, mật độ dòng quang nhƣ hiệu suất chuyển đổi quang đạt cực đại cho mẫu ZnO/AgI10 Cụ thể hiệu suất 1,49% (0,0 V vs Ag/AgCl), tăng lên gấp 3,1 lần so sánh với mẫu ZnO xốp AgI Điều cho thấy vai trị hấp thụ quang mạnh vùng nhìn thấy vật liệu AgI Hình thái bề mặt, cấu trúc tinh thể thành phần nguyên tố cấu trúc ZnO/AgI10/CdS đƣợc đo cho thấy nhƣ hình 3.9 53 Hình 10 Thuộc tính PEC cấu trúc ZnO/AgI/CdS xốp với thời gian mọc AgI khác nhau: (a) mật độ dòng quang (b) hiệu suất chuyển đổi quang tƣơng ứng Thuộc tính PEC cấu trúc ZnO/AgI/CdS với thời gian mọc AgI khác mọc CdS 30 phút đƣợc đo dung dịch điện phân bao gồm Na2S nồng độ 0,25 M Na2SO3 nồng độ 0,35 M trình bày nhƣ 54 hình 3.10 Quan sát kết đo dòng quang nhƣ hiệu suất chuyển đổi quang cho thấy, sau mọc thêm CdS đỉnh khử AgI hầu nhƣ biến cịn lại cho mẫu có hàm lƣợng AgI lớn Cụ thể mẫu ZnO/AgI10/CdS, ZnO/AgI15/CdS Điều chứng minh việc phủ thêm lớp vật liệu CdS bên ngồi hạn chế ăn mịn quang vật liệu AgI Mặt khác, sau phủ thêm CdS mật độ dịng quang nhƣ hiệu suất chuyển đổi quang tăng mạnh, hiệu suất đạt cực đại mẫu ZnO/AgI10/CdS, cụ thể hiệu suất 4% (-0,2 V vs Ag/AgCl) tăng gấp 2,7 lần so sánh với hiệu suất 1,49% mẫu ZnO/AgI10 Điều khẳng định, vai trò hấp thụ quang hiệu vật liệu CdS Dựa vào thành công đạt đƣợc hiệu suất PEC, ý đánh giá khả ứng dụng thực tế điện cực chế tạo đo độ hồi đáp dòng quang theo thời gian dƣới điều kiện chóp tắt ánh sáng độ bền làm việc điện cực theo thời gian dƣới chiếu sáng liên tục ánh sáng nhƣ trình bày chi tiết hình 3.11 Hình 3.11 (a) kết đo mật độ dịng quang -0,2 V (vs Ag/AgCl) dƣới điều kiện on-off ánh sáng vòng đo cấu trúc ZnO, ZnO/AgI10, ZnO/CdS ZnO/AgI10/CdS Kết cho ta thấy rằng, dịng quang suốt vịng chóp tắt dịng quang bật nhanh, phục hồi nhanh ổn định sau lần chóp tắt đèn Điều chứng minh rằng, cấu trúc chế tạo có độ hồi đáp quang tốt 55 Hình 11 Độ ổn định làm việc cấu trúc theo thời gian (a) Mật độ dòng quang theo thời gian -0.2V với vịng chóp tắt ánh sáng (b) mật độ dòng quang dƣới thời gian chiếu sáng 1800 s Hình 3.11 (b) kết đo mật độ dòng quang -0,2V (vs Ag/AgCl) dƣới chiếu sáng liên tục ánh sáng khoảng thời gian 1800 giây mẫu điện cực ZnO, ZnO/AgI10 ZnO/AgI10/CdS Dựa 56 vào kết đo mật độ dòng quang thời điểm đầu thời điểm cuối chúng tơi tính đƣợc phần trăm độ suy giảm mật độ dòng quang thời gian ba cấu trúc nhƣ sau: Cấu trúc ZnO/AgI10/CdS: J  J0  J  2,4 100%  100%  20% J0 Cấu trúc ZnO/AgI10: J  J0  J 2,6  1,8 100%  100%  31% J0 2,6 Cấu trúc ZnO xốp: J  J0  J 0,34  0,25 100%  100%  26% J0 0,34 Nhƣ vậy, sau khoảng thời gian đo 1800 giây mật độ dòng quang điện cực ZnO/AgI10 suy giảm đến 31%, kết cho thấy điện cực làm việc khơng ổn định AgI bị khử q trình đo quang điện hóa Đối với điện cực ZnO/AgI10/CdS sau có lớp bảo vệ CdS mật độ dòng quang giảm 20%, độ ổn định có cải thiên nhƣng dịng quang cao cần phải tối ƣu thêm bề dày lớp bảo vệ CdS 57 KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ Luận văn nghiên cứu chế tạo khảo sát tính chất quang điện hóa tách nƣớc vật liệu ZnO/AgI cấu trúc xốp đế ITO * Kết đạt đƣợc nhƣ sau: Chế tạo thành công cấu trúc vật liệu ZnO xốp, ZnO/AgI xốp ZnO/AgI/CdS phƣơng pháp lắng đọng điện hóa khn cứng cầu PS kết hợp với phƣơng pháp hóa ƣớc Phổ XRD cho thấy vật liệu tinh thể ZnO với pha lục giác Wurtzite, AgI có cấu trúc lập phƣơng với pha α CdS có cấu trúc lập phƣơng Kết đo thuộc tính PEC cho thấy dƣới xạ ánh sáng đèn Xenon (150 W) cƣờng độ sáng I = 75 mWcm-2 điện cực cấu trúc ZnO/AgI10 xốp cho hiệu suất 1,49% Sau mọc thêm cấu trúc lớp vật liệu CdS để hình thành cấu trúc ZnO/AgI10/CdS hiệu suất đạt đƣợc 4,0 %, giá trị hiệu suất cao so với nghiên cứu gần hệ vật liệu Độ hồi đáp quang độ bền làm việc điện cực đƣợc đo kiểm tra Kết cho thấy điện cực có độ hồi đáp quang tốt theo vòng on-off ánh sáng Tuy nhiên độ bền làm việc thời gian dài điện cực chƣa tốt * Những đóng góp - Góp phần đa dạng thêm hệ vật liệu phƣơng pháp chế tạo điện cực quang ứng dụng tách nƣớc quang điện hóa - Điện cực quang chế tạo cho hiệu suất PEC cao kết tốt đạt đƣợc luận văn 58 * Ý nghĩa khoa học thực tiễn đề tài Đây cấu trúc có tiềm ứng dụng làm điện cực quang hệ quang điện hóa sản suất khí hydro tốt 59 DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] F Paquin, J Rivnay, A Salleo, N Stingelin, en C Silva, “Multi-phase semicrystalline microstructures drive exciton dissociation in neat plastic semiconductors”, J Mater Chem C, vol 3, bll 10715–10722, 2015, doi: 10.1039/b000000x [2] C Li, X Zhu, H Zhang, Z Zhu, B Liu, en C Cheng, “3D ZnO/Au/CdS Sandwich Structured Inverse Opal as Photoelectrochemical Anode with Improved Performance”, Adv Mater Interfaces, vol 2, no 18, bll 1–7, 2015, doi: 10.1002/admi.201500428 [3] M Ghorbani, H Abdizadeh, M Taheri, en M R Golobostanfard, “Enhanced photoelectrochemical water splitting in hierarchical porous ZnO/Reduced graphene oxide nanocomposite synthesized by sol-gel method”, Int J Hydrogen Energy, vol 43, no 16, bll 7754–7763, 2018, doi: 10.1016/j.ijhydene.2018.03.052 [4] R Dom, L R Baby, H G Kim, en P H Borse, “Enhanced solar photoelectrochemical conversion efficiency of ZnO:Cu electrodes for water-splitting application”, Int J Photoenergy, vol 2013, bll 18–20, 2013, doi: 10.1155/2013/928321 [5] J Liu, Z Shi, X Li, J Yang, en J Lang, “ZnO nanorod arrays decorated with AgCl nanoparticles as highly efficient visible-lightdriven photocatalyst”, J Mater Sci Mater Electron., vol 30, no 14, bll 13690–13697, 2019, doi: 10.1007/s10854-019-01746-7 [6] M Pirhashemi et al., “n-n ZnO-Ag2CrO4 heterojunction photoelectrodes with enhanced visible-light photoelectrochemical properties”, RSC Adv., vol 9, no 14, bll 7992–8001, 2019, doi: 10.1039/c9ra00639g 60 [7] R E Adam et al., “ZnO/Ag/Ag2WO4 photo-electrodes with plasmonic behavior for enhanced photoelectrochemical water oxidation”, RSC Adv., vol 9, no 15, bll 8271–8279, 2019, doi: 10.1039/c8ra10141h [8] K Vignesh, A Suganthi, M Rajarajan, en S A Sara, “Photocatalytic activity of AgI sensitized ZnO nanoparticles under visible light irradiation”, Powder Technol., vol 224, bll 331–337, 2012, doi: 10.1016/j.powtec.2012.03.015 [9] X Wang, X Wan, X Xu, en X Chen, “Facile fabrication of highly efficient AgI/ZnO heterojunction and its application of methylene blue and rhodamine B solutions degradation under natural sunlight”, Appl Surf Sci., vol 321, bll 10–18, 2014, doi: 10.1016/j.apsusc.2014.09.103 [10] G Sberveglieri, S Groppelli, P Nelli, A Tintinelli, en G Giunta, “A novel method for the preparation of NH3 sensors based on ZnO-In thin films”, Sensors Actuators B Chem., vol 25, no 1–3, bll 588–590, 1995, doi: 10.1016/0925-4005(95)85128-3 [11] J A Rodriguez, T Jirsak, J Dvorak, S Sambasivan, en D Fischer, “Reaction of NO with Zn and ZnO: Photoemission, XANES, and Density Functional Studies on the Formation of NO3”, J Phys Chem B, vol 104, no 2, bll 319–328, 2000, doi: 10.1021/jp993224g [12] C Chen, J Liu, P Liu, en B Yu, “Investigation of Photocatalytic Degradation of Methyl Orange by Using Nano-Sized ZnO Catalysts”, Adv Chem Eng Sci., vol 01, no 01, bll 9–14, 2011, doi: 10.4236/aces.2011.11002 [13] F Lu, W Cai, en Y Zhang, “ZnO hierarchical micro/nanoarchitectures: Solvothermal synthesis and structurally enhanced photocatalytic performance”, Adv Funct Mater., vol 18, no 7, bll 1047–1056, 2008, 61 doi: 10.1002/adfm.200700973 [14] Y Qiu, K Yan, H Deng, en S Yang, “Secondary branching and nitrogen doping of ZnO nanotetrapods: Building a highly active network for photoelectrochemical water splitting”, Nano Lett., vol 12, no 1, bll 407–413, 2012, doi: 10.1021/nl2037326 [15] M Gupta et al., “Preparation and characterization of nanostructured ZnO thin films for photoelectrochemical splitting of water”, Bull Mater Sci., vol 32, no 1, bll 23–30, 2009, doi: 10.1007/s12034-0090004-1 [16] Q Zhang, C S Dandeneau, X Zhou, en C Cao, “ZnO nanostructures for dye-sensitized solar cells”, Adv Mater., vol 21, no 41, bll 4087– 4108, 2009, doi: 10.1002/adma.200803827 [17] Y AIMURA, “Basic Properties and Applications of Hydrogenated NBR.”, Nippon Gomu Kyokaishi, vol 70, no 12, bll 681–688, 1997, doi: 10.2324/gomu.70.681 [18] A Mocanu, G Isopencu, C Busuioc, O M Popa, P Dietrich, en L Socaciu-Siebert, “Bacterial cellulose films with ZnO nanoparticles and propolis extracts: Synergistic antimicrobial effect”, Sci Rep., vol 9, no 1, bll 1–10, 2019, doi: 10.1038/s41598-019-54118-w [19] A Pimentel, S H Ferreira, D Nunes, T Calmeiro, R Martins, en E Fortunato, “Microwave synthesized ZnO nanorod arrays for UV sensors: A seed layer annealing temperature study”, Materials (Basel)., vol 9, no 4, 2016, doi: 10.3390/ma9040299 [20] D Baghmar, N K Gaur, D C Gupta, en S Singh, “Structural properties of silver iodide and copper iodide”, Cent Eur J Phys., vol 6, 62 no 3, bll 445–449, 2008, doi: 10.2478/s11534-008-0085-2 [21] H Huang et al., “Rock-salt and helix structures of silver iodides under ambient conditions”, Natl Sci Rev., vol 6, no 4, bll 767–774, 2019, doi: 10.1093/nsr/nwz041 [22] Y H Huang, B V Park, Y F Chen, R C Gaba, G Guzman, en R P Lokken, “Locoregional Therapy of Hepatocellular-Cholangiocarcinoma versus Hepatocellular Carcinoma: A Propensity Score–Matched Study”, J Vasc Interv Radiol., vol 30, no 9, bll 1317–1324, 2019, doi: 10.1016/j.jvir.2019.03.024 [23] H Ishizaki, M Imaizumi, S Matsuda, M Izaki, en T Ito, “Incorporation of boron in ZnO film from an aqueous solution containing zinc nitrate and dimethylamine-borane by electrochemical reaction”, Thin Solid Films, vol 411, no 1, bll 65–68, 2002, doi: 10.1016/S0040-6090(02)00189-X [24] Z Liu, Z Jin, W Li, en X Liu, “Ordered porous ZnO thin films formed by dip-coating method using PS templates”, J Sol-Gel Sci Technol., vol 40, no 1, bll 25–30, 2006, doi: 10.1007/s10971-006-8421-8 [25] Q B Meng, C H Fu, Y Einaga, Z Z Gu, A Fujishima, en O Sato, “Assembly of highly ordered three-dimensional porous structure with nanocrystalline TiO2 semiconductors”, Chem Mater., vol 14, no 1, bll 83–88, 2002, doi: 10.1021/cm0101576 [26] Z Liu, Z Jin, W Li, J Qiu, J Zhao, en X Liu, “Synthesis of PS colloidal crystal templates and ordered ZnO porous thin films by dipdrawing method”, Appl Surf Sci., vol 252, no 14, bll 5002–5009, 2006, doi: 10.1016/j.apsusc.2005.07.018 63 [27] R E Marotti, D N Guerra, C Bello, G Machado, en E A Dalchiele, “Bandgap energy tuning of electrochemically grown ZnO thin films by thickness and electrodeposition potential”, Sol Energy Mater Sol Cells, vol 82, no 1–2, bll 85–103, 2004, doi: 10.1016/j.solmat.2004.01.008 ... tính quang điện hóa tách nƣớc vật liệu ZnO/ AgI/ CdS có cấu trúc xốp Đối tƣợng phạm vi nghiên cứu  Đối tƣợng nghiên cứu: Vật liệu ZnO/ AgI/ CdS  Phạm vi nghiên cứu: Nghiên cứu cách chế tạo ảnh hƣởng... tài ? ?Chế tạo nghiên cứu thuộc tính quang điện hóa tách nước vật liệu ZnO/ AgI/ CdS”, nhằm cải thiện thêm hiệu suất quang điện hóa tách nƣớc Tổng quan tình hình nghiên cứu đề tài Việc nghiên cứu vật. .. tổng quan lý thuyết cấu trúc tính chất (chú trọng đến tính chất quang điện hóa tách nƣớc) vật liệu ZnO, ZnO/ AgI, ZnO/ AgI/ CdS có cấu trúc xốp Chƣơng 2: Trình bày phƣơng pháp chế tạo phƣơng pháp phân