0
  1. Trang chủ >
  2. Kỹ Thuật - Công Nghệ >
  3. Kĩ thuật Viễn thông >

Materials Science and Engineering - Electronic and Mechanical Properties of Materials Part 10 pps

Materials Science and Engineering - Electronic and Mechanical Properties of Materials Part 1 doc

Materials Science and Engineering - Electronic and Mechanical Properties of Materials Part 1 doc

... Tuller-2001 For R9 3.225 9 Equation of Motion - Impact of Collisions Assume: • probability of collision in time dt = dt/τ • time varying field F(t) v(t+dt) = ( 1- dt/τ) {v(t) +dv} = ( 1- dt/τ) ... L/Wt = ρ L/A ⇒ρ(οhm-cm) σ = 1/ρ ⇒ σ (οhm-cm) -1 ⇒σ (Siemens/cm) (Test your dimensions: σ=E/j=neµ) Ohms/square ⇒ Note, if L=W, then R= ρ /t independent of magnitude of L and W. Useful for ... 1 τ p E∞ =− τ p t -eEτ τ If the environment has a lot of collisions, mvavg=-eEτ vavg=-eEτ/m µ τ = e m © E.A. Fitzgerald-1999 Eµ−=Define v Mean-free Time Between Collisions,...
  • 10
  • 363
  • 0
Materials Science and Engineering - Electronic and Mechanical Properties of Materials Part 5 ppt

Materials Science and Engineering - Electronic and Mechanical Properties of Materials Part 5 ppt

... Eg=1.1eV, and let µe and µh be approximately equal at 100 0cm2/V-sec (very good Si!). σ ~10 10cm -3 *1.602x10 -1 9 *100 0cm2/V-sec=1.6x10 -6 S/m, or a resistivity ρ of about 10 6 ohm-m max. ... 10 18cm -3 donors to Si: n~Nd –n ~10 18cm -3 , p ~10 2 (ni 2/Nd) • Can change conductivity drastically – 1 part in 10 7 impurity in a crystal ( ~10 22cm -3 atom density) 10 22*1 /10 7 =10 15 ... 10 22*1 /10 7 =10 15 dopant atoms per cm -3 –n ~10 15, p ~10 20 /10 15 ~10 5 σ/σi~(p+n)/2ni~n/2ni ~10 5! Impurities at the ppm level drastically change the conductivity ( 5-6 orders of magnitude)...
  • 10
  • 415
  • 0
Materials Science and Engineering - Electronic and Mechanical Properties of Materials Part 10 pps

Materials Science and Engineering - Electronic and Mechanical Properties of Materials Part 10 pps

... temperature conductivity: σ = 4.4 10 -1 8 S cm -1 8 9 10 11 12 13 10 -7 10 -6 10 -5 10 -4 Y-cut σ0 = 2.1 S cm -1 EA = 105 kJ mol -1 10 4/T [1/K] σ [S cm -1 ] 900 800 700 600 500 T ... 0 0 -1 00 10 2030405060708090 100 110 -1 00 10 2030405060708090 100 110 MFC2 Temp NO2 NH3 Feuchte CO NO2kl H2 Pt -1 00 resistance / ΩGas flow / sccmtime / h0 20 0 0 0 100 kTemp:360C, ... Tuller-2001 + - + - h+ h+h+h+ semiconductor Photo Electro-chemical Etching - PEC • Electro-chemical etching p-type + - Light source • Photo electro-chemical etching + - h+h+semiconductor...
  • 10
  • 394
  • 0
Materials Science and Engineering - Electronic and Mechanical Properties of Materials Part 9 pps

Materials Science and Engineering - Electronic and Mechanical Properties of Materials Part 9 pps

... 1,005 -1 6 -4 0 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 donoracceptor -2 0 -1 2 -8 donor dopedacceptor doped 2 3.225 15 Designer Wavelengths Variation of band-gap energy with composition x of In1-xGaxAs. ... High Acceptor Concentration in SrTiO3 10 -2 0 10 -1 5 10 -1 0 10 -5 10 0 0,1 1 750°C 800°C 900°C 850°C 950°C electrical conductivity / (Ω cm) -1 pO2 / bar m = 0,2 Sr(Ti0,65Fe0,35)O3 ... conductivity (I. Kosacki and H.L. Tuller, Sensors & Actuators B 2 4-2 5, 370 (1995).) High Strain (Pb0.98La0.02(Zr0.7Hf0.3)1-xTixO3 AFE-FE System (C. Heremans and H.L. Tuller, J....
  • 10
  • 343
  • 0
Materials Science and Engineering - Electronic and Mechanical Properties of Materials Part 3 pot

Materials Science and Engineering - Electronic and Mechanical Properties of Materials Part 3 pot

... (xrays) can be ‘particle-like’ • DeBroglie – matter can act like it has a ‘wave-nature’ • Schrodinger, Born – Unification of wave-particle duality, Schrodinger Equation Wave-particle Duality: ... interact, i.e. absorb energy and contribute to properties TF ~10 4K (Troom ~10 2K), EF ~100 Eclass, vF 2 ~100 vclass 2 © E. Fitzgerald-1999 2 3.225 21 Free Particle • One dimensional ... Fitzgerald-1999 )))33.2255Effect of Temperature (T>0): Coupled electronic- thermal properties in conductors• Electrons at the Fermi surface are able to increase energy: responsible for properties •...
  • 10
  • 392
  • 0
Materials Science and Engineering - Electronic and Mechanical Properties of Materials Part 6 pps

Materials Science and Engineering - Electronic and Mechanical Properties of Materials Part 6 pps

... when you join these together? © E. Fitzgerald-1999 3.225 12 - - ++ + + Holes diffuse Electrons diffuse ++ + + - - - - ++ + + - - ++ + + An electric field forms due to ... 3.225 11 The p-n Junction (The Diode) • Note that dopants move the fermi energy from mid-gap towards either the valence band edge (p-type) or the conduction band edge (n-type). p-type material ... cavityJhdiff © E. Fitzgerald-1999 Potential Wells - Heterojunction Lasers Energy bands of a light-emitting diode under forward bias for a double heterojunction AlGaAs-GaAs-AlGaAs structure. © H.L....
  • 10
  • 342
  • 0
Materials Science and Engineering - Electronic and Mechanical Properties of Materials Part 8 pdf

Materials Science and Engineering - Electronic and Mechanical Properties of Materials Part 8 pdf

... ;1''''+−=+−+=+=nnnisorWater molecule: τ=9.5x10 -1 1sec, ω ~10 10microwave oven, transmission of E-M waveslogωτ -2 0+2ε’,ε’’n2εsoαe+αiαe3.22520Dielectric Constant ... positions of positive and negative ions © E. Fitzgerald-1999 3.225 4 Ferroelectrics Applications • Capacitors • Non-volatile memories • Photorefractive materials © H.L. Tuller, 2001 2 10 3.22519Dielectric ... The splitting of the five 3d orbitals in a tetrahedral and an octahedral ligand field. Note: hen the element is a mid-gap dopant, transitions within this element lead to absorption and/ or emission...
  • 10
  • 353
  • 0
Materials Science and Engineering - Electronic and Mechanical Properties of Materials Part 4 pps

Materials Science and Engineering - Electronic and Mechanical Properties of Materials Part 4 pps

... are:)n=1,2,3,…=0,1,2,…,n-1ml =- , - +1,…,0,…, , (ms=+ or - 1/2)llll0 -1 3.6eVU(r)© E. Fitzgerald-1999)in -1 3.225 9 Diffraction Picture of the Origin of Band Gaps Probability Density=probability/volume ... the valence band to the conduction bandEcnear band gapEvnear band gapEkE=hνCreates a ‘hole’ in the valence band© E. Fitzgerald-1999 3.2258Holes and Electrons• Instead of tracking ... Electron Model © E. Fitzgerald-1999 5 3.225 5 Metals and Insulators •EF in mid-band area: free e-, metallic •EF near band edge –EF in or near kT of band edge: semimetal –EF in...
  • 10
  • 292
  • 0
Materials Science and Engineering - Electronic and Mechanical Properties of Materials Part 11 potx

Materials Science and Engineering - Electronic and Mechanical Properties of Materials Part 11 potx

... material Material Type χ Paramagnetic +10 -5 -1 0 -4 Diamagnetic -1 0 -8 -1 0 -5 Ferromagnetic +10 5 2 5 3.225 5© E. Fitzgerald-1999 Microscopic Source of Magnetization • No monopoles • magnetic ... 2(atomicdistance cinteratomi2>≡arrJ is a function of distance!83.2258© E. Fitzgerald-1999FerromagnetismMTTC() ( )() ( )1. 4-1 .3 0.3 7-0 .33 ≈−∝≈−∝−γχβγβTTTTTTMCCHB=H+4πM‘normal’ ... µr = B/ µ0H = 1 + (M/H) = 1 + χm Magnetic Permeability and Susceptibility 4 3.225 4© E. Fitzgerald-1999 Maxwell and Magnetic Materials • Ampere’s law • For a permanent magnet, there...
  • 6
  • 347
  • 0
Materials Science and Engineering - Electronic and Mechanical Properties of Materials Part 2 pot

Materials Science and Engineering - Electronic and Mechanical Properties of Materials Part 2 pot

... 7.5 x 10 14 Hz) λ = c/ν = 400 nm k=2π/ λ = 1.57 x 10 7 m -1 ω = 2 πν = 4.71 x 10 15 s -1 After Livingston ε) ε(kx-) ε6 3.225 23 • Scaling of Si CMOS includes conductivity engineering ... e-i(kx-ωt) are all waves e -i(kx-ωt) is the complex one and is the most general real imaginary A Acosθ iAsinθθ e iθ=cosθ+isinθ © E.A. Fitzgerald-1999 1 3.225 11 Wiedmann-Franz ... E.A. Fitzgerald-1999 3.225 10 Success and Failure of Free e- Picture • Success – Metal conductivity – Hall effect valence=1 – Skin Depth – Wiedmann-Franz law • Examples of Failure –...
  • 10
  • 294
  • 0

Xem thêm

Từ khóa: mechanical and thermal properties of carbon nanotubeschemical and physical properties of polyimides biomedical and engineering applicationshygric thermal and durability properties of autoclaved aerated concretethe method of science and the nature of scientific knowledgefood science and nutrition university of aucklandmsc food science and nutrition university of leedsGiáo án Sinh học 11 bài 13: Thực hành phát hiện diệp lục và carôtenôitGiáo án Sinh học 11 bài 13: Thực hành phát hiện diệp lục và carôtenôitGiáo án Sinh học 11 bài 13: Thực hành phát hiện diệp lục và carôtenôitĐỒ ÁN NGHIÊN CỨU CÔNG NGHỆ KẾT NỐI VÔ TUYẾN CỰ LY XA, CÔNG SUẤT THẤP LPWANNGHIÊN CỨU CÔNG NGHỆ KẾT NỐI VÔ TUYẾN CỰ LY XA, CÔNG SUẤT THẤP LPWAN SLIDEQuản lý hoạt động học tập của học sinh theo hướng phát triển kỹ năng học tập hợp tác tại các trường phổ thông dân tộc bán trú huyện ba chẽ, tỉnh quảng ninhPhát triển mạng lưới kinh doanh nước sạch tại công ty TNHH một thành viên kinh doanh nước sạch quảng ninhTrả hồ sơ điều tra bổ sung đối với các tội xâm phạm sở hữu có tính chất chiếm đoạt theo pháp luật Tố tụng hình sự Việt Nam từ thực tiễn thành phố Hồ Chí Minh (Luận văn thạc sĩ)Nghiên cứu về mô hình thống kê học sâu và ứng dụng trong nhận dạng chữ viết tay hạn chếChuong 2 nhận dạng rui roKiểm sát việc giải quyết tố giác, tin báo về tội phạm và kiến nghị khởi tố theo pháp luật tố tụng hình sự Việt Nam từ thực tiễn tỉnh Bình Định (Luận văn thạc sĩ)BT Tieng anh 6 UNIT 2Tranh tụng tại phiên tòa hình sự sơ thẩm theo pháp luật tố tụng hình sự Việt Nam từ thực tiễn xét xử của các Tòa án quân sự Quân khu (Luận văn thạc sĩ)Giáo án Sinh học 11 bài 14: Thực hành phát hiện hô hấp ở thực vậtGiáo án Sinh học 11 bài 14: Thực hành phát hiện hô hấp ở thực vậtTrách nhiệm của người sử dụng lao động đối với lao động nữ theo pháp luật lao động Việt Nam từ thực tiễn các khu công nghiệp tại thành phố Hồ Chí Minh (Luận văn thạc sĩ)Chiến lược marketing tại ngân hàng Agribank chi nhánh Sài Gòn từ 2013-2015Đổi mới quản lý tài chính trong hoạt động khoa học xã hội trường hợp viện hàn lâm khoa học xã hội việt namHIỆU QUẢ CỦA MÔ HÌNH XỬ LÝ BÙN HOẠT TÍNH BẰNG KIỀMTÁI CHẾ NHỰA VÀ QUẢN LÝ CHẤT THẢI Ở HOA KỲ