Engineering Materials and Processes phần 8 pdf

... than 15 minutes [8] Diffusion coefficient D (10–21 m2/s) of Al oxide Temperature (°C) Ag(200 nm)/Al(20 nm) Ag(200 nm)/Al(30 nm) 400 0.25 0 .80 500 5. 78 1.59 600 6. 18 3.06 Figure ... factors such as Al thickness and trapping of Al in the silver on the transport kinetics and subsequent formation of the surface oxide. The curves in Figure 6.8a and b show the transport ratio ... Figure 6 .8. Transport ratio of Al atoms through the Ag layers annealed at different temperatures, (a) Al(20 nm)/Ag(200 nm) and (b) Al (30 nm)/Ag(200 nm) [8] 0 20406 080 1001200.00.10.20.30.40.5 8 M(t)M(...

Engineering Materials and Processes phần 1 doc

... reliability. Engineering Materials and Processes Dedicated to our ever patient, supportive and loving wives, Madeline, Katherine and Betty 1 Introduction ... and technologists in the field of integrated circuits and microelectronics research and development. The content of the monograph is an indirect result of extensive and in-depth research and ... Microstructure of Steels and Cast Irons M. Durand-Charre Phase Diagrams and Heterogeneous Equilibria B. Predel, M. Hoch and M. Pool Computational Mechanics of Composite Materials M. Kamiński...

Engineering Materials and Processes phần 2 pptx

... (FWHM). For example, Ag has a mass M2 = 1 08 and In has a mass M2 = 115. The difference between KAg = 0 .86 2 and KIn = 0 .87 0 is 0.0 08. For 2 .8 MeV helium ions, the difference in backscattering ... Brijs, J. Goemans, and W. Vandervost, Nucl. Instr. Meth. B 66, 1 283 18( 1992). [6] S. W. Russell, T. E. Levine, A. E. Bair, and T. L. Alford, Nucl. Instr. Meth. B 1 18, 1 18( 1996). [7] L. R. ... 1994. [3] J. Li, J. W. Mayer, Y. Shacham-Diamand, E. G. Colgan, Appl. Phys. Lett. 60. 2 983 (1992). [4] D. Adams, and T. L. Alford, Materials Science and Engineering: Reports 40, 207(2003). [5]...

Engineering Materials and Processes phần 3 docx

... oxygen content and composition of the TaN films. The 3.0 MeV and 3.7 MeV beam energies correspond to oxygen (O) and nitrogen (N) resonances, respectively, and were used to detect O and N. The 3.0 ... Diffusion Barriers and Self-encapsulation 31 XRD and RBS analysis using the same parameters and conditions as for the TaN/Si were also carried out on the Ag/TaN/Si structures before and after the ... Barriers and Self-encapsulation 29 through it, without itself being dissolved. It is believed that the diffusion occurs along grain boundaries and possibly microvoids, pinholes, cracks and weak...

Engineering Materials and Processes phần 4 pptx

... Diffraction Standard (JCPDS ICDD cards #: 25-1 280 , 26-0 985 , 32-1 282 , 25-12 78, 14-0471, 31-1370, & 32-1 283 ), PDF Database, 1994. [ 18] G. S. Chen, and T. S. Chen, J. Appl. Phys. 87 , 84 73(2000). ... Kaloyeros and W. A. Lanford, Thin Solid Films, 236, 257(1993). [7] H. Miyazaki, K. Hinode, Y. Homma and K. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., 48, 329(1 987 ). [8] T. L. Alford, D. Adams, T. Laursen and ... Ullrich, Appl. Phys. Lett., 68, 3251(1996). [9] D. Adams, T. Laursen, T. L. Alford, and J. W. Mayer. Thin Solid Films 3 08 309, 4 48( 1997). [10] N. Marecal, E. Quesnel, and Y. Pauleau, J. Electrochem....

Engineering Materials and Processes phần 5 pptx

... dielectric constant, the materials must have a good adhesion to silicon and to interconnect materials and thermal stability. Thermal stability is important to device characteristics and reliability. ... 2.73 2.55 1.95 1 .87 3. 48 60 Silver Metallization about 13 nm thick for the sample annealed at 700°C and that the thickness of the Ag layer is ~ 180 nm thick. Figure 4.9 gives ... of 3.7 MeV was used for RBS analysis and corresponds to the resonance energy for nitrogen [8] . It also enhances carbon and oxygen signals in the spectra and hence was used to clearly distinguish...

Engineering Materials and Processes phần 6 doc

... K. S. Gadre and T. L. Alford, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 281 4(2000). [3] H. C. Kim, T. L. Alford, and D. R. Allee, Appl. Phys. Lett. 81 , 4 287 (2002). [4] T. L. Alford, Lingui Chen, and K. S. ... Alford, J. Vac. Sci. Technol. B 18( 6), 281 4(2000). [8] L. C. Feldman and J. W. Mayer, Fundamentals of Surface and Thin Film Analysis (North-Holland), New York, 307(1 986 ). [9] S. W. Russell, S. ... Laursen, and B. M. Ullrich, J. Appl. Phys. 81 , 7773(1997). [17] Y. Zeng, T. L. Alford, Y. L. Zou, A. Amali, B. M. Ullrich, F. Deng, and S.S. Lau, J. Appl. Phys. 83 , 779(19 98) . [ 18] R. E....

Engineering Materials and Processes phần 7 ppsx

... 600°C in an NH3 ambient for 120 minutes. Only the surface peaks and positions are shown [8] . 30 40 50 60 70 80 900246 8 10121416 400oC 500oC 600oCAg(200nm)/Al(20nm) on SiO2Thickness ... Ag(200 nm)/Al (8 nm) bilayers on SiO2 before and after annealing at two different temperatures in NH3 ambient for 30 minutes. Only the Al surface peaks are shown in (b) [8] . 80 Silver Metallization ... samples were tested for both test configurations (samples A, B, C, and D for bare Ag patterns, and samples A′, B′, C′, and D′ for and NH3-annealed Ag patterns). The average of four failure times...

Engineering Materials and Processes phần 9 ppsx

... of Ag and Ti before and after annealing at 500°C in an ammonia ambient for 30 minutes. The spectra were obtained using a 2.0 MeV He+2 beam and a scattering angle of 170° [4]. Wang and Alford ... Mayer, Thin Solid Films, 3 08/ 309, 4 48( 1997). [2] Y. L. Zou, T. L. Alford, J. W. Mayer, F. Deng, S. S. Lau, T. Laursen, A. I. Amli, B. M. Ullrich, J. Appl. Phys. 82 , 3321(1997). [3] T. L. ... L. Rossiter, The Electrical Resistivity of Metals and Alloys, (Cambridge University Press, Cambridge, UK, 1 987 ). [15] K. Sieradzki, K. Baily, and T. L. Alford, Appl. Phys. Lett. 79, 3401 (2001)....

Engineering Materials and Processes phần 10 pptx

... heating, 78, 80 Kinematic factor, 8 Kinetics in Ag/Al bilayer systems, 83 , 97 reaction kinetics, 83 outdiffusion of Al through Ag, 83 Kinetics of oxide, 89 , 93 growth kinetics, 89 Law ... Electromigration, 1, 5, 75, 76, 78 81 Electronegativity, 102 Encapsulation, 80 , 81 , 83 Energy resolution, 8 Failure mechanisms, 109 TiN(O)-encapsulated Ag lines, 80 electromigration resistance, ... (e.g. grain size and texture); (2) contamination control (C, O and CI); (3) oxidation and corrosion control; (4) prevention of Ag diffusion in metals and dielectric materials; and (5) mechanical...

Xem thêm

Từ khóa: Nghiên cứu sự biến đổi một số cytokin ở bệnh nhân xơ cứng bì hệ thống chuyên đề điện xoay chiều theo dạng Một số giải pháp nâng cao chất lượng streaming thích ứng video trên nền giao thức HTTP Quản lý hoạt động học tập của học sinh theo hướng phát triển kỹ năng học tập hợp tác tại các trường phổ thông dân tộc bán trú huyện ba chẽ, tỉnh quảng ninh Phối hợp giữa phòng văn hóa và thông tin với phòng giáo dục và đào tạo trong việc tuyên truyền, giáo dục, vận động xây dựng nông thôn mới huyện thanh thủy, tỉnh phú thọ Trả hồ sơ điều tra bổ sung đối với các tội xâm phạm sở hữu có tính chất chiếm đoạt theo pháp luật Tố tụng hình sự Việt Nam từ thực tiễn thành phố Hồ Chí Minh (Luận văn thạc sĩ)Định tội danh từ thực tiễn huyện Cần Giuộc, tỉnh Long An (Luận văn thạc sĩ)Tìm hiểu công cụ đánh giá hệ thống đảm bảo an toàn hệ thống thông tin Thiết kế và chế tạo mô hình biến tần (inverter) cho máy điều hòa không khí Chuong 2 nhận dạng rui ro Tăng trưởng tín dụng hộ sản xuất nông nghiệp tại Ngân hàng Nông nghiệp và Phát triển nông thôn Việt Nam chi nhánh tỉnh Bắc Giang (Luận văn thạc sĩ)Tranh tụng tại phiên tòa hình sự sơ thẩm theo pháp luật tố tụng hình sự Việt Nam từ thực tiễn xét xử của các Tòa án quân sự Quân khu (Luận văn thạc sĩ)chuong 1 tong quan quan tri rui ro Giáo án Sinh học 11 bài 14: Thực hành phát hiện hô hấp ở thực vật Giáo án Sinh học 11 bài 14: Thực hành phát hiện hô hấp ở thực vật Trách nhiệm của người sử dụng lao động đối với lao động nữ theo pháp luật lao động Việt Nam từ thực tiễn các khu công nghiệp tại thành phố Hồ Chí Minh (Luận văn thạc sĩ)HIỆU QUẢ CỦA MÔ HÌNH XỬ LÝ BÙN HOẠT TÍNH BẰNG KIỀM MÔN TRUYỀN THÔNG MARKETING TÍCH HỢP TÁI CHẾ NHỰA VÀ QUẢN LÝ CHẤT THẢI Ở HOA KỲ QUẢN LÝ VÀ TÁI CHẾ NHỰA Ở HOA KỲ