... 0,3 ÷ 1, 1 0,5 ÷ 1, 8 1, 0 ÷ 1, 7 0,8 1, 55 1, 7 0,5 0 ,7 1, 1 Các phổ đáp ứng của Si và InGaAs như hình 4.9. R tương đối 1, 00,80,60,40,200,2 0,4 0,6 0,8 1, 21, 0(µm)SiR tương đối 1, 00,80,60,40,200,9 ... đối 1, 00,80,60,40,200,9 1, 1 1, 3 1, 5 1, 91, 7 (µm)InGaAs Hình 4 .11 Phổ đáp ứng của Si và InGaAs Si và InGaAs có ηmax = 0,8. Từ đó suy ra, ở λ = 0,8 μm, R = 0,5 A/W Đối với InGaAs ở bước sóng 1, 7 m, η = ... photodiode, trung bình có 1, 2 .10 11 electron được tạo ra. Hãy xác định hiệu suất lượng tử và đáp ứng của photodiode ở bước sóng 0,85μm. Giải 4,0 10 .3 10 .2 ,1 11 11 ===pnneη Như vậy hiệu...