Giáo trình CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ - Chương 2 ppt

Giáo trình CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ - Chương 2 ppt

Giáo trình CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ - Chương 2 ppt

... cách điện (SiO 2 ) gọi là cổng oxide. Khảo sát 3 kiểu làm vi c của một tụ MOS: Hình 2. 4: Sụ tạo kênh truyền n+n+ S G V GS D V DS > V GS - V T V GS - V T + - D S G D S G Chương 2: ... Hình 2. 7 Đặc tuyến của nMOS Bài tập2.1: Vẽ Đặc tuyến của pMOS DS Linear Relationship -4 V (V) 0 0.5 1 1.5 2 2. 5 0 0.5 1 1.5 2 2. 5 x 10 I D (...
Ngày tải lên : 27/07/2014, 11:21
  • 5
  • 348
  • 2
Giáo trình CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ - Chương 7 pps

Giáo trình CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ - Chương 7 pps

... Chương 7:Cấu trúc linh kiện FPGA và các công nghệ lập trình 43 ViaLink Anti-fuse Không Không Anti-fuse nhỏ Pro.trans lớn 5 0-8 0 1-3 EPROM Không Ngoài mạch Nhỏ 2- 4 K 1 0 -2 0 ... Trong mạch 2xEPROM 1 0 -2 0 1 0 -2 0 Bảng 7.1 các đặc tính của công nghệ lập trình 7.4. Các loại FPGA trên thị trường Công ty Kiến trúc tổng quát Kiểu khối l...
Ngày tải lên : 27/07/2014, 11:21
  • 7
  • 375
  • 4
Giáo trình CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ - Chương 6 ppsx

Giáo trình CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ - Chương 6 ppsx

... chức này có thể sử dụng cho cả ma trận đọc -vi t và ma trận chỉ có đọc. Mặc dù vậy trong các phần sau ta sử dụng chữ vi t tắt các chữ đầu RAM vì nó là chữ vi t tắt được chấp nhận phổ biến đối với ... đối với một địa chỉ. Do dó vi c lưu trữ thông thông tin nhị phân tại một vị trí địa chỉ riêng Amplify swing to rail-to-rail amplitude Selects appropriate word Chương 6: Bộ nhớ 35 th...
Ngày tải lên : 27/07/2014, 11:21
  • 8
  • 247
  • 3
Giáo trình CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ - Chương 5 pps

Giáo trình CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ - Chương 5 pps

... tích hợp 24 5.3. Quy tắc layout vi mạch Chương 5 :Công nghệ mạch tích hợp 25 Chương 5 :Công nghệ mạch tích hợp 26 Chương 5 :Công nghệ mạch tích hợp 22 Chương 5 CÔNG NGHỆ MẠCH ... MOSFET Chương 5 :Công nghệ mạch tích hợp 28 Chương 5 :Công nghệ mạch tích hợp 23 5 .2. Các bước chế tạo IC Chương 5 :Công nghệ mạch tích hợp 2...
Ngày tải lên : 27/07/2014, 11:21
  • 9
  • 497
  • 2
Giáo trình CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ - Chương 4 pps

Giáo trình CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ - Chương 4 pps

... pMOS2 nMOS1 nMOS2 OUT 0 0 0 1 1 0 1 1 Bài tập 4.1: Thiết kế cổng OR và AND 2 đầu vào Chương 4: Mạch CMOS – Thiế kế và Layout 19 4 .2. 2. ... a. OR 2 ngõ vào b. AND 2 ngõ vào c. NOR 3 ngõ vào d. NAND 3 ngõ vào e. OUT = (A + B).C f. OUT =A.B + C g. FF-D Chương 4: Mạch CMOS – Thiế kế và Layout...
Ngày tải lên : 27/07/2014, 11:21
  • 7
  • 462
  • 10
Giáo trình CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ - Chương 3 docx

Giáo trình CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ - Chương 3 docx

... Chương 3 :Công nghệ xử lý CMOS 10 Chương 3 CÔNG NGHỆ XỬ LÝ CMOS 3.1 Quy trình tạo Wafer Silic là chất bán dẫn trong trạng thái tinh khiết hay bán dẫn thuần, là chất có độ dẫn điện ... 8 8 i i n n c c h h e e s s 1 1 2 2 i i n n c c h h e e s s ~ 300mm Single die Wafer Chương 3 :Công nghệ xử lý CMOS 13 chu trình nhiệt, nó dùng để dồn tạp ch...
Ngày tải lên : 27/07/2014, 11:21
  • 5
  • 649
  • 7
Giáo trình CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ - Chương 1 doc

Giáo trình CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ - Chương 1 doc

... có điện trở súât nhỏ như Au, Al,Cu Chương 1: Tổng quan về mạch tích hợp 3  Điện trở: Dùng màng kim loại hoặc hợp kim có điện trở suất lớn như Ni-Cr; Ni-Cr-Al; Cr-Si; Cr có thể tạo nên điện ... rất lớn.  Tụ điện: Dùng màng kim loại để đóng vai trò bản cực và dùng màng điện môi SiO; SiO 2 , Al 2 O 3 ; Ta 2 O 5 . Tuy nhiên khó tạo được tụ có điện dung lớn hơn F/cm...
Ngày tải lên : 27/07/2014, 11:21
  • 4
  • 445
  • 3