Giáo trình CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ - Chương 3 docx

... Chương 3 :Công nghệ xử lý CMOS 10 Chương 3 CÔNG NGHỆ XỬ LÝ CMOS 3. 1 Quy trình tạo Wafer Silic là chất bán dẫn trong trạng thái tinh khiết hay bán dẫn thuần, là chất có độ dẫn điện ... i i n n c c h h e e s s ~ 30 0mm Single die Wafer Chương 3 :Công nghệ xử lý CMOS 13 chu trình nhiệt, nó dùng để dồn tạp chất từ bề mặt silic vào thể tích chung. Nu...

Ngày tải lên: 27/07/2014, 11:21

... Chương 7:Cấu trúc linh kiện FPGA và các công nghệ lập trình 43 ViaLink Anti-fuse Không Không Anti-fuse nhỏ Pro.trans lớn 5 0-8 0 1 -3 EPROM Không Ngoài mạch Nhỏ 2-4 K 1 0-2 0 ... phần tử lập trình không bay hơi hay có thể lập trình lại được. Về mặt chế tạo, các phần tử lập trình nếu có thể tạo theo công nghệ CMOS thì rất tốt. Các công n...

Ngày tải lên: 27/07/2014, 11:21

... một địa chỉ. Do dó vi c lưu trữ thông thông tin nhị phân tại một vị trí địa chỉ riêng Amplify swing to rail-to-rail amplitude Selects appropriate word Chương 6: Bộ nhớ 35 thể thực hiện ... chức này có thể sử dụng cho cả ma trận đọc -vi t và ma trận chỉ có đọc. Mặc dù vậy trong các phần sau ta sử dụng chữ vi t tắt các chữ đầu RAM vì nó là chữ vi t tắt được chấp nhận phổ biến đối...

Ngày tải lên: 27/07/2014, 11:21

... Chương 5 :Công nghệ mạch tích hợp 30 3. 1 N-Well 3. 2 Active Area 3. 3 Field Doping 3. 4 Capacitor Implant 3. 5 Gate Oxide 3. 6 High Resistivity Poly Masking 3. 7 P+ Implant (with P- ... transistor p-channel MOSFET Chương 5 :Công nghệ mạch tích hợp 28 Chương 5 :Công nghệ mạch tích hợp 23 5.2. Các bước chế tạo IC Chương 5 :Công ng...

Ngày tải lên: 27/07/2014, 11:21

... c. NOR 3 ngõ vào d. NAND 3 ngõ vào e. OUT = (A + B).C f. OUT =A.B + C g. FF-D Chương 4: Mạch CMOS – Thiế kế và Layout 20 Silicon Gate: Bài tập 4 .3: Vẽ schematic ... Bài tập 4.2: a. Thiết kế NOR 3 ngõ vào b. Thiết kế NAND 3 ngõ vào c. Thiết kế cổng : OUT = (A + B).C d. Thiết kế cổng : OUT =A.B + C e. Thiết kế FF-D Chương 4: Mạch CMOS –...

Ngày tải lên: 27/07/2014, 11:21

... cách điện (SiO 2 ) gọi là cổng oxide. Khảo sát 3 kiểu làm vi c của một tụ MOS: Hình 2.4: Sụ tạo kênh truyền n+n+ S G V GS D V DS > V GS - V T V GS - V T + - D S G D S G Chương ... tạo trong Si bằng cách Si khuếch tán âm (hay Si được pha âm) giàu điện tử (điện cực âm) hay Si khuếch tán dương giàu lỗ trống (điện cực dương). Sau các bước xử lý, một cấ...

Ngày tải lên: 27/07/2014, 11:21

... có điện trở súât nhỏ như Au, Al,Cu Chương 1: Tổng quan về mạch tích hợp 3  Điện trở: Dùng màng kim loại hoặc hợp kim có điện trở suất lớn như Ni-Cr; Ni-Cr-Al; Cr-Si; Cr có thể tạo nên điện ... device) tức là một bộ phận có khả năng thể hiện một chức năng điện tử nào đó. Sự kết tụ (integration) các thành phần của mạch điện tử cũng như các bộ phận cấu thành của một...

Ngày tải lên: 27/07/2014, 11:21

... gia công và có thể triệt tiêu đợc nó khi điều chỉnh máy. y 2 y 1 6 2 6 1 T min max L 0 Hình 3. 7- Đờng cong phân bố kích thớc thực. -3 = 3 B 3 3 B = 1,1 3 B = 67,0 3 B = 0 3 B = 3 Hình ... hệ thống công nghệ, khe hở ổ đỡ trục chính, độ nhám bề mặt của chi tiết gia công. Khoa Cơ khí - Trờng Đại học Bách khoa 38 Giáo trình: Công nghệ ch...

Ngày tải lên: 13/12/2013, 17:15

... của hệ thống công nghệ, khe hở ổ đỡ trục chính, độ nhám bề mặt của chi tiết gia công. Khoa Cơ khí - Trờng Đại học Bách khoa 38 Giáo trình: Công nghệ chế tạo máy Lu đức bình 3. 2. 1- Phơng pháp ... nhỏ, độ chính xác gia công yêu cầu có thể Khoa Cơ khí - Trờng Đại học Bách khoa 37 Giáo trình: Công nghệ chế tạo máy Lu đức bình Chơng 3 độ chính xác...

Ngày tải lên: 25/01/2014, 21:20

... gia công và có thể triệt tiêu đợc nó khi điều chỉnh máy. y 2 y 1 6 2 6 1 T min max L 0 Hình 3. 7- Đờng cong phân bố kích thớc thực. -3 = 3 B 3 3 B = 1,1 3 B = 67,0 3 B = 0 3 B = 3 Hình ... phôi: EI3 L .Py 3 ymax = Trong trờng hợp này độ cứng vững của phôi sẽ là: 3 p L EI3 J = Khoa Cơ khí - Trờng Đại học Bách khoa 26 Giáo trình: Công...

Ngày tải lên: 19/10/2012, 16:50