Cấu kiện điện tử-Phần 1 pptx

... watermark. CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN 20 cm 10 0 )10 ) (10 10 (1, 6 )(0,748V )10 2 (1, 04 3 1/ 2 15 1 619 12 − − − ×= ⎥ ⎦ ⎤ ⎢ ⎣ ⎡ +× × = 0297 p ,x cm100 3 D A pn − ×== ... 6329 cm.K1027 ,1 −− = xB cho GaAr. Ví dụ 1. 1: Hãy xác đinh giá trị của i n của Si ở nhiệt độ phòng (300K) ? () () () () 619 5 3 63 312 i cm...

Ngày tải lên: 19/01/2014, 02:20

... cú: 12 011 9 )V.s.cm (10 2 ,1) 106 ,10 54,0( == xxx q S th t phộp th D N (cm -3 ) n à (cm 2 / V.s) Dn N à (V.s.cm) -1 1 1x10 16 11 00 1, 1x10 19 2 1x10 18 350 3,5x10 20 3 1x10 17 710 ... watermark. CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN 20 cm 10 0 )10 ) (10 10 (1, 6 )(0,748V )10 2 (1, 04 3 1/ 2 15 1 619 1...

Ngày tải lên: 22/06/2014, 01:20

... Suy ra: F/cm100 41) 10858)( 811 ( 811 12 14 oS −− ×=×=×= ,,,, εε Tại 300 o K, ta có 0,025VkT/q T ≅=V . Vì vậy từ phương trình (2 .13 ), V )/cm (10 )/cm (10 )/cm (10 ln V)(0,025ln 320 316 317 2 i DA TB 7480, ... biểu thức (1. 6) và (1. 15), ta có: ⎪ ⎪ ⎭ ⎪ ⎪ ⎬ ⎫ ∂ ∂ −= ∂ ∂ += x p qDpEqj x n qDnEqj pp T p nn T n µ µ (1. 17) Thay hệ thức Einstein từ (1. 16) vào biểu thưc (1. 17), t...

Ngày tải lên: 10/10/2012, 09:41

... nghiệm. 7 C 10 u R 10 k BAS16 BAS16 BAS16 BAS16 + Vin - + Out D1 D2 D3 D4 Bộ tạo điện áp đầu vào tạo điện áp hình sin có biên độ cực đại U m = 10 V; tần số = 50Hz; pha ban đầu = 0. Tụ điện có C = 10 ... điện. Hình 3. 21 – Bảng thiết lập thuộc tính cho nguồn dòng được điều khiển bằng dòng điện 39 Hình 3 .11 – Bảng thiết lập thuộc tính cho nguồn điện áp 1 chiều • Labe...

Ngày tải lên: 24/04/2013, 20:48

... dụng của cấu kiện điện tử người ta chia cấu kiện điện tử ra làm 2 loạ i là các cấu kiện điện tử thụ động và các cấu kiện điện tử tích cực: - Cấu kiện điện tử thụ động là các linh kiện điện tử ... Tantan Dung sai 10 PF > ;10 PF Polyster Đen 0 0 1 1 - 10 2PF ±20% - Nâu 1 1 10 10 10 0 - 0,1PF 1% - Đỏ 2 2 10 0 10 0 250 - ±2% 250w C...

Ngày tải lên: 07/09/2013, 11:35

Ngày tải lên: 19/09/2013, 07:16

... -3 ) 5,65 .10 18 1, 83 .10 19 7,57 .10 18 Nồng độ (tại 300K) Ge Si GaA s n i (cm -3 ) 2,8 .10 13 1, 0 .10 10 2,0 .10 6 Chơng I: Cơ sở vật lý của vật liệu linh kiện 6 Cấu kiện điện tử ... 12 12 400 EE = với E đơn vị [eV] và [A 0 ] 1 eV là năng lợng đợc tính bằng công của 1e chuyển dời trong điện trờng giữa 2 điểm có hiệu điện thế là 1...

Ngày tải lên: 04/10/2013, 18:44

... 10 2PF ±20% - Nâu 1 1 10 10 10 0 - 0,1PF 1% -  2 2 10 0 10 0 250 - ±2% 250w Cam 3 3 1K - - - ±2,5% - Vàng 4 4 10 K - 400 6,3 - - - Lc 5 5 10 0K - - 16 0,5PF ±5% - Lam ... Bng 2 .1 : Bng qui c màu Vch màu th 1 Vch màu th 2 Vch màu th 3 Vch màu th 4 Màu Hàng chc n v S nhân Dung sai en 0 0 1 20% Nâu 1 1 10 1%  2 2 10 0...

Ngày tải lên: 09/12/2013, 22:15

... a S = 34 ,1 b S = 10 1 c S = 15 ,1 d S = 9,5 / Cho mch đin nh hình v có tranzito silic và U B = 10 V; R B = 10 0K. Hi dòng đin cc gc I B là bao nhiêu? a 10 0 A b ... phòng? a Ω= 9 10 .4 V Z b Ω= 15 10 .4 V Z c Ω= 10 10 .5 V Z d Ω= 12 10 .4 V Z / Trong công thc tính dòng đin cc máng I D = KI D0 ca JFET, h s K l...

Ngày tải lên: 13/12/2013, 00:15