0
  1. Trang chủ >
  2. Kỹ Thuật - Công Nghệ >
  3. Kĩ thuật Viễn thông >

Optoelectronics Devices and Applications Part 1 pdf

Optoelectronics Devices and Applications Part 1 pdf

Optoelectronics Devices and Applications Part 1 pdf

... DEVICES AND APPLICATIONS Edited by Padmanabhan Predeep Organic Light Emitting Diodes: Device Physics and Effect of Ambience on Performance Parameters 17 10 10 0 1k 10 k 10 0k 1M1k 10 k 10 0k ... Physics and Effect of Ambience on Performance Parameters 15 Fig. 12 . Deducing equivalent circuit from impedance plots. Fig. 13 . Equivalent Circuit. 10 10 0 1k 10 k 10 0k 1M1k 10 k ... figure 10 a and 10 b respectively. The devices C and D in which the emissive material is small molecule Alq3 exhibits a current variation as shown in figure 11 a and 11 b respectively. Fig. 10 ....
  • 40
  • 794
  • 1
Optoelectronics Devices and Applications Part 13 pdf

Optoelectronics Devices and Applications Part 13 pdf

... C 0.0 01 7 10 5 1 10 5 0 .15 5 10 1 2 10 3 0.002 1. 1 10 6 3 10 5 0.2 1 10 1 7 10 2 0.003 1 10 6 5 10 5 0.3 2 10 0 1. 6 10 2 0.004 9 10 5 6 10 5 1 10 3 0.4 8 10 -1 4.0 10 1 0.006 ... 8 10 5 6.5 10 5 2 10 3 0.6 3 10 -1 1. 5 10 1 0.008 6 10 5 6 10 5 3 10 3 0.8 1 10 -1 6 0. 01 4 10 6 5 10 5 5 10 3 1 3 10 -2 2 0. 015 8 10 5 3 10 5 1 10 4 1. 5 0.6 0.02 1 10 4 1 10 5 ... 1 10 5 1. 3 10 4 2 0.2 0.03 1 10 3 1. 6 10 4 2 10 4 3 0.06 0.04 1 10 2 3 10 3 1. 3 10 4 4 0.02 0.06 1 10 1 1 10 3 8 10 3 6 0. 01 0.08 1 10 0 6 10 2 5 10 3 8 0.003 0 .1 0 .1 1.5 10 2...
  • 40
  • 365
  • 0
Optoelectronics Devices and Applications Part 2 potx

Optoelectronics Devices and Applications Part 2 potx

... -6. 31 b (eV) -1. 7 -1. 8 -1. 9 -1. 7c 11 (GPa) 18 1 .1 83.29 293 10 .11 c 12 (GPa) 53.2 10 1 .1 159 5. 61 m∗e/mo0.067 0.023 0.22 0.08m∗hh/mo0.5 0.4 0.8 0.6m∗lh/mo0.087 0.026 0 .19 0.089m∗so/mo0 .15 ... ZA2009/0 915 ), ZA2 010 /08579, ZA2 011 /03826; and PCT Patent Application PCT/ZA2 010 /000 31 of 2 010 ” (Priority patents: ZA 2 010 /020 21, ZA 2 010 /002 01, ZA2 010 /00200, ZA 2009/07233, ZA2009/07 418 , ZA 2009/0 416 4, ... nitrogen and other non-radiative centers, thereby improvingalloy homogeneity, enhancing PL efficiency and reducing the prevalence localised excitons.-5-4-3-2 -1 0 1 2 1. 05 1. 1 1. 15 1. 2 1. 25 1. 3 1. 35...
  • 40
  • 507
  • 0
Optoelectronics Devices and Applications Part 3 ppt

Optoelectronics Devices and Applications Part 3 ppt

... O Heavy metals (Ni, Cr, etc.) Ga-face 2 x 10 18 cm-3 7 x 10 18 cm-3 10 15 ~10 17 cm-3 N-face 2 x 10 16 cm-3 2 x 10 19 cm-3 10 15 ~10 16 cm-3 Table 2. Example of impurity concentrations ... Crystal Growth 19 5: 416 –420.76 Optoelectronics Devices and Applications Optoelectronics Devices and Applications 92Gilbert, R. Auchincloss, JH. Brodsky, J. & Boden, W. (19 72). Changes ... Physics Part II, Vol.35, (19 96), pp.L74. Peters, D. (19 90). Journal of Crystal Growth, Vol .10 4, (19 90), pp. 411 . Porowski, S. (19 99). MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor, Res. 4S1, (19 99),...
  • 40
  • 476
  • 0
Optoelectronics Devices and Applications Part 4 pptx

Optoelectronics Devices and Applications Part 4 pptx

... c Si 10 .26 20.52 Sn0 .12 5Si0.875/Si (0 01) 10 .49 20.92 Sn0.25Si0.75/Si (0 01) 10 ,58 21. 30 Sn0.5Si0.5/Si (0 01) 10 .79 21. 90 Ge0 .12 5Si0.875/Si (0 01) 10 .36 20. 71 Ge0.25Si0.75/Si ... Se/Si5/O/Si5(0 01) 14 ,62 14 .53 33.07 Se/Si5/S/Si5 (0 01) 14 .64 14 .59 34.28 Se/Si5/Se/Si5 (0 01) 14 .66 14 .66 34.79 Se/Si6/O/Si6(0 01) 14 ,42 7. 31 38.57 Se/Si6/S/Si6 (0 01) 14 .47 7.33 39.80 ... models and their equilibrium lattice constants, the VI-Si bond length and Optoelectronics Devices and Applications 12 0 Fig. 5(a). Band structure of GexSi 1- x/ Si (0 01) superlattices....
  • 40
  • 397
  • 0
Optoelectronics Devices and Applications Part 5 pot

Optoelectronics Devices and Applications Part 5 pot

... criterion [Busch & Bush, 19 99] 12 01gg, (15 ) where the parameters g 1 and g2 are respectively 1 1 1 Lgr , (16 ) 22 1 Lgr. (17 ) The optical signal ... Technology, 51, pp. 95 10 1 Hamamatsu, Solid State Division (2 011 ). Technical information SD -12 , Characteristics and use of infrared detectors, Cat. No. KIRD9001E04, Mar. 2 011 DN He, Y., ... Edited by Singh, Upendra N.; Pappalardo, Gelsomina. Proceedings of the SPIE, Volume 711 1, pp. 711 10R- 711 10R-9 Moore, D.S. (2007). Recent Advances in Trace Explosives Detection Instrumentation,...
  • 40
  • 360
  • 0
Optoelectronics Devices and Applications Part 6 pptx

Optoelectronics Devices and Applications Part 6 pptx

... spectrum is appoximately2 10 17 cm2molecule 1 . This is around one thousand times greater than was the case in the 19 2 Optoelectronics Devices and Applications 11 Optical-Fiber Measurement ... International Symposium on Combustion (code 19 626), Pittsburgh, PA, USA,pp. 17 61 17 67. ISSN:0082-0784.204 Optoelectronics Devices and Applications Applications and Optoelectronic Methods of Detection ... measurement range is from -10 mmHg up to +10 0 mmHg, the linearity and hysteresis is ±2 mmHg from 0 mmHg to 10 mmHg and 10 % of reading from -10 mmHg to 12 5 mmHg (Mignani & Baldini, 19 95). Camino Laboratories...
  • 40
  • 422
  • 0
Optoelectronics Devices and Applications Part 7 potx

Optoelectronics Devices and Applications Part 7 potx

... (Ω) (pF) (Ω) (pF) (Ω) (pF) 10 36 1. 43 10 .18 5.05 10 . 21 5.05 12 20.8 3 5.88 10 .6 5.88 10 .6 14 14 .11 2.93 3.99 10 .35 3.99 10 .35Table 1. Comparison of the DBR resistances and capacitances249The ... · S (17 ) and S=Nw· g0·τS(N − Nth) (18 )By injecting Equations 17 and 18 in Equation 15 , we obtain:ηi· Iq · Nw−NτN−g0(N − Nth)=0 (19 )240 Optoelectronics Devices ... resistance, AppliedPhysics Letters 61( 15): 18 20 18 22.252 Optoelectronics Devices and Applications 8 Will-be-set-by-IN-TECHat 1. 5μm (Kapon et al., 2009).Fig. 10 . Monilithic structure of Raycan...
  • 40
  • 398
  • 0
Optoelectronics Devices and Applications Part 8 pot

Optoelectronics Devices and Applications Part 8 pot

... 64, No. 1, (July 19 96), 51- 56, ISSN 10 90-6487. Yang R. Q. (19 95). Optical intersubband transitions in conduction-band quantum wells. Phys. Rev. B vol. 33, No. 16 , (Oct. 19 95-II), 11 958 -11 968, ... = 20 Å0 = 10 Å Eb [meV]Lc [Å] 40 60 80 10 0 12 08 10 12 14 ÅÅÅ6040 10 0 =0 =0 =00 = BGQW Eb [meV]Lc [Å] 40 60 80 10 0 12 08 10 12 14 16 600 =400 ... Phys., vo.l. 13 1, (2009), 14 4 510 , ISSN 00 21- 9606. Tsu, R. & Esaki, L. (19 73). Tunneling in a finit superlattice. Appl. Phys. Lett., vol. 22, No. 11 (19 73), 562-564, ISSN 10 77- 311 8. Unlu,...
  • 40
  • 392
  • 0
Optoelectronics Devices and Applications Part 9 docx

Optoelectronics Devices and Applications Part 9 docx

... Vol .11 5, No .1, (March 19 95), pp. (19 -25). ISSN 0030-4 018 . Yariv, A. & Pochi, Y. (19 84). Optical Waves in Crystals, Wiley, ISBN 0-4 71- 0 914 2 -1, USA. Optoelectronics Devices and Applications ... Rickenstorff C. (2 010 ). Experimental generating the partially coherent and partially polarized electromagnetic source. Optics Express, Vol .18 , No .12 , (June 2 010 ), pp. (12 864 -12 8 71) . ISSN 10 94-4087. ... )()(1PLC2PJJJT , (19 ) where LCJis the matrix given by Eq. (17 ) and Optoelectronics Devices and Applications 310 refraction index on along the short molecular axis and extraordinary...
  • 40
  • 405
  • 0

Xem thêm

Từ khóa: electric motors and drives fundamentals types and applications 3rd edition pdfelectric motors and drives fundamentals types and applications 4th edition pdfdigital audio broadcasting principles and applications of dab pdfdreamweaver cs5 tutorial how to make a website using photoshop and dreamweaver part 1data mining techniques and applications hongbo du pdfelectronics devices and circuits by bakshi pdfMột số giải pháp nâng cao chất lượng streaming thích ứng video trên nền giao thức HTTPNghiên cứu vật liệu biến hóa (metamaterials) hấp thụ sóng điện tử ở vùng tần số THzBiện pháp quản lý hoạt động dạy hát xoan trong trường trung học cơ sở huyện lâm thao, phú thọGiáo án Sinh học 11 bài 13: Thực hành phát hiện diệp lục và carôtenôitGiáo án Sinh học 11 bài 13: Thực hành phát hiện diệp lục và carôtenôitGiáo án Sinh học 11 bài 13: Thực hành phát hiện diệp lục và carôtenôitĐỒ ÁN NGHIÊN CỨU CÔNG NGHỆ KẾT NỐI VÔ TUYẾN CỰ LY XA, CÔNG SUẤT THẤP LPWANQuản lý hoạt động học tập của học sinh theo hướng phát triển kỹ năng học tập hợp tác tại các trường phổ thông dân tộc bán trú huyện ba chẽ, tỉnh quảng ninhPhối hợp giữa phòng văn hóa và thông tin với phòng giáo dục và đào tạo trong việc tuyên truyền, giáo dục, vận động xây dựng nông thôn mới huyện thanh thủy, tỉnh phú thọPhát triển mạng lưới kinh doanh nước sạch tại công ty TNHH một thành viên kinh doanh nước sạch quảng ninhNghiên cứu về mô hình thống kê học sâu và ứng dụng trong nhận dạng chữ viết tay hạn chếTìm hiểu công cụ đánh giá hệ thống đảm bảo an toàn hệ thống thông tinChuong 2 nhận dạng rui roQuản lý nợ xấu tại Agribank chi nhánh huyện Phù Yên, tỉnh Sơn La (Luận văn thạc sĩ)Tăng trưởng tín dụng hộ sản xuất nông nghiệp tại Ngân hàng Nông nghiệp và Phát triển nông thôn Việt Nam chi nhánh tỉnh Bắc Giang (Luận văn thạc sĩ)Tranh tụng tại phiên tòa hình sự sơ thẩm theo pháp luật tố tụng hình sự Việt Nam từ thực tiễn xét xử của các Tòa án quân sự Quân khu (Luận văn thạc sĩ)Giáo án Sinh học 11 bài 15: Tiêu hóa ở động vậtchuong 1 tong quan quan tri rui roHIỆU QUẢ CỦA MÔ HÌNH XỬ LÝ BÙN HOẠT TÍNH BẰNG KIỀMQUẢN LÝ VÀ TÁI CHẾ NHỰA Ở HOA KỲ