Bài tập Kỹ thuật điện tử - Dư Quang Bình

... U I (V) U O (V) -3 -2 -1 +1 +2 +3 2 Đáp án Độ lợi áp = - ( 100K // 100 K ) / 10K = -5 U I (V) U O (V) -3 +15 -2 +10 -1 +5 +1 -5 +2 -1 0 +3 -1 5 5 Câu hỏi Cho một ... Đáp án Vi - Si + + - Vo 3.3k V - + - VoVi + Ideal 8.2k Si V T =-0 .7V -V m +V T t 0 t V o V T = V+0.7V -Vm - V T 0 -V T...

Ngày tải lên: 15/10/2012, 08:33

Ngày tải lên: 03/12/2013, 19:18

... TRƢỜNG ĐẠI HỌC SƢ PHẠM KỸ THUẬT TP.HCM KHOA: ĐIỆN TỬ BỘ MÔN: CƠ SỞ KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ Tên học phần: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ Mã học phần:1162010 Số ĐVHT:3 Trình độ đào tạo:Đại học A - NGÂN HÀNG CÂU HỎI ... 1.5 - Vo Si + - Vi + V 1 V 2 Si 15k -1 0V Vo 0V 2.2K Si Si -1 0V -1 0V Vo 0V 2.2K Si Si -1 0V -1 0V Vo 0V 2.2K Si Si -1 0V R v + Vi + 1 v - Vo - 2...

Ngày tải lên: 12/10/2012, 13:41

... từ nơi có điện thế cao đến nơi có điện thế thấp, từ nơi có mật độ hạt tích điện dư ng cao đến nơi có mật độ hạt tích điện dư ng thấp và do vậy ngược với chiều chuyển động của điện tử. Từ các ... s ch (t) = S ch (-t) = 2 1 [ s(t) + s(-t) ( 1-2 1) s lẻ (t) = -s lẻ (-t) = 2 1 [ s(t) - s(-t)] từ đó suy ra: s ch (t) + s lẽ (t) = s(t) 12 0s;s(t)(t)s lech == ( 1-...

Ngày tải lên: 13/10/2012, 10:21

Ngày tải lên: 13/10/2012, 10:21

... nhỏ. R 1 Q D R 2 R C V CC U r U v R 1 Q R 2 R C V CC U r -V CC Ch Ch ế ế ñ ñ ộ ộ kh kh ó ó a c a c ủ ủ a OPAMP a OPAMP U ra U ngưỡng U vào U ramax -U ramax t t VCC -VCC U ngưỡng - + U ra VCC -VCC U vào Khi U v < U ngưỡng : U P < ... cấu thành bởi các hạt mang ñiện:  Hạt nhân (ñiện tích dư ng)  ðiện tử (ñiện tích âm) ρ↓ρ↓ρ↑T 0 ↑ 10 5 ÷10 22 Ωcm10 -4 ÷10 4 Ωcm 10 -6 ÷10...

Ngày tải lên: 15/10/2012, 10:02

... nguyên tử đó. Mỗi nguyên tử này đều có 4 điện từ hoá trị ở lớp vỏ ngoài cùng. Do khoảng cách giữa các nguyên tử rất gần, các điện tử này chịu ảnh hưởng của các nguyên tử xung quanh. Vì vậy điện tử ... nguyên tử được bổ sung thêm 4 điện tử, nghĩa là đủ số điện tử tối đa của lớp vỏ (8 điện tử) , do đó lớp này trở thành bền vững (ít có khả năng nhận thêm hoặc mấ...

Ngày tải lên: 12/08/2013, 22:19

... Ở đây: - r E là điện trở vi phân của tiếp giáp emitơ và chất bán dẫn làm cực E. - r B điện trở khối của vùng bazơ. - r C (B) điện trở vi phân của tiếp giáp colectơ. - C C (B) điện dung ... 31 · Điện áp 1 chiều lúc vào hở mạch R t . D2rao 2UU2U -= ( 2-2 2) Với U D là điện áp thuần trên các van mở. · Điện áp 1 chiều lúc có tải R t : ( ) viraora /2RR...

Ngày tải lên: 25/10/2013, 01:15

... từ nơi có điện thế cao đến nơi có điện thế thấp, từ nơi có mật độ hạt tích điện dư ng cao đến nơi có mật độ hạt tích điện dư ng thấp và do vậy ngược với chiều chuyển động của điện tử. Từ các ... s ch (t) = S ch (-t) = 2 1 [ s(t) + s(-t) ( 1-2 1) s lẻ (t) = -s lẻ (-t) = 2 1 [ s(t) - s(-t)] từ đó suy ra: s ch (t) + s lẽ (t) = s(t) 12 0s;s(t)(t)s lech == ( 1-...

Ngày tải lên: 09/11/2013, 05:15

... emitơ và chất bán dẫn làm cực E. - r B điện trở khối của vùng bazơ. - r C (B) điện trở vi phân của tiếp giáp colectơ. - C C (B) điện dung tiếp giáp colectơ. - aI E nguồn dòng tương đương của ... cực cho từng loại mạch. -Từ mạch chung bazơ hình 2.34 với chiều mũi tên là hướng dư ng của điện áp và dòng điện, có thể xác định được cực tính của điện áp và dòng điện...

Ngày tải lên: 09/11/2013, 05:15