materials & fabrication technology 1

... kếthợp). ) 3 mặt phẳng nguyên lý đặc trưng cho 3 mặt phẳng nguyên lý đặc trưng cho tính dị hướng : [10 0], [11 0] và [11 1]. Z ZZ Z Y (10 0) Y ( 11 0 ) (11 1) X Y (10 0) X Y () X Y 19 CÔNG NGHỆ VÀ LINH KIỆN CÔNG NGHỆ VÀ LINH KIỆN MEMS Một ... trục [ 0 01 ] ; cũng trong mf này a [ 0 01 ] ; cũng trong mf này , nhưng nghiêng góc 45 0 ⇒ trục [10 1]; phương đi qua 2 đỉnh đốidi ệ...

Ngày tải lên: 23/04/2014, 10:16

... điện tử 3 .1. Cơ sở cấutrúcvậtliệu/Material structure 3.2. V ậ tli ệ u cho MEMS / Materials fo r MEMS ậ ệ 3.3. Kỹ thuậtchế tạoviđiệntử/ IC Technology 3 4 Công nghệ màng mỏng / Thin Film Technology 3 . 4 . Công nghệ màng mỏng / Thin Film Technology 3.5. ... tạocấutrúccầnthiếttrênbề mặt Si-líc. ế Ô - xy hóa ) Phương pháp: Chủ y ế u đượctạo trong môi trường nhiệt độ cao (10 00 – 11 00 0...

Ngày tải lên: 23/04/2014, 10:17

... Miller. Các trụcvàmặt quan trọng của si-líc là < ;10 0>, < ;11 0>, < 11 1 > ( 10 0 ) ( 11 0 ) và ( 11 1 ) < 11 1 > , ( 10 0 ) , ( 11 0 ) và ( 11 1 ) . ) Các kỹ thuật chính của công nghệ vi ... va chạm (~ 10 13 ố N am châm ion/cm 3 ) ⇒ tăng t ố c độ phún xạởáp suấtthấp ⇒ tạoramàngcóđộ sạch cao. 11 3.4. Công nghệ màng mỏng 3 41 Lắ đ hhibằ Vậtlý Phún xạ (sputte...

Ngày tải lên: 23/04/2014, 10:17

... thướccủahốc ăn mòn. a < ;11 0> [0 01] B z a a [0 01] < ;11 0> Đường đánh dấu tr ụ c TT < ;11 0 > [10 0] a ụ L < ;11 0> [ 010 ] 54,74 0 < ;11 0> V. Vi chế tạo và công nghệ MEMS 1. Kỹ thuật ănmòn/Etching ... làm vậtliệu đế/nền (substrate). ) Vai tr ò củaSi: • {11 0} [ 010 ] • {11 1} ª 3mặtphẳng nguyên lý đặctrưng cho tính dị hướng : [10 0], [11 0] và [11 1]. CÔNG N...

Ngày tải lên: 23/04/2014, 10:19

... MEMS fabrication; microsystem fabrication 1. 1 CMOS Technology 2 1. 1 .1 Basic Microfabrication Steps 4 1. 1 .1. 1 Thin Film Deposition 5 1. 1 .1. 2 Patterning 6 1. 1 .1. 3 Etching 8 1. 1 .1. 4 Doping 9 1 1 Fabrication ... Systems [11 0] MIT – Pressure sensor [11 1, 11 2] Univ. Michigan – Pressure sensor [11 3] Tohoku Univ. – Accelerometer [11 4] – Pressure sensor [11 5] Fra...

Ngày tải lên: 28/05/2014, 14:24

... 80 d=5.39393 d=4.2 619 5 d=3.43584 d=3.40 314 d=3.352 01 d=2.88432 d=2.69550 d=2.54964 d=2.4 612 6 d=2.28569 d=2. 210 60 d=2 .12 612 d =1. 8 217 1 d =1. 54423 d =1. 52469 d =1. 38295 d =1. 37278 d =1. 225 51 Figure 6. XRD result ... Started: 16 s - 2-Theta: 10 .000 ° - Theta: 5.000 ° - Chi: 0.00 Lin (Counts) 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 10 0 11 0 12 0 13 0 14 0 15 0 2-Theta -...

Ngày tải lên: 01/04/2013, 22:46

... language sections 10 . Table 10 : Test reliability coefficient 10 . Table 11 : p-value of items in 4 sections 11 . Table 12 : Discrimination value of items in 4 sections 12 . Table 13 : Number of test items ... Limitations of MCQs test 10 2.3.4. Principles on designing a good MCQs test 11 2.4. Reliability of a test 11 2.4 .1. Definition 11 2.4.2. Methods for test reliability e...

Ngày tải lên: 10/04/2013, 14:46

... Turbine 14 7 Steam Turbine Problems 15 2 Start Up a Steam Turbine 15 3 Gas Turbines 15 4 Electric Motors 15 5 Turbine and Motor Symbols 15 7 Summary 15 9 Review Questions 16 0 Chapter 7 Heat Exchangers 16 1 Key ... Symbols 13 8 Summary 13 8 Review Questions 14 1 Chapter 6 Turbines and Motors 14 3 Key Terms 14 4 Kinds of Turbines 14 5 History of Steam Turbines 14 5 Operating Pr...

Ngày tải lên: 15/08/2013, 07:50

... Interface Sci., Vol.2 81, No .1, 56- 61. Xiao, B. and Thomas, K. M. (2004) Competitive adsorption of aqueous metal ions on an oxidized nanoporous activated carbon. Langmuir, Vol.20, No .11 , 4566-4578. ... ions, 0. 01 g of WB or WB2 - 10 was added to 10 0 mL of lead ion solutions of varying concentrations. After shaking for 24 hrs at a speed of approximately 10 0 rpm and a temperatur...

Ngày tải lên: 05/09/2013, 09:08