2.2.1 Nhà máy điện mặt trời Sơn Mỹ 3.1
NMĐMT Sơn Mỹ 3.1 với tổng công suất 50MWp được xây dựng tại xã Sơn Mỹ, huyện
Hàm Tân – Tỉnh Bình Thuận có tổng vốn đầu tư 1.305 tỷ đồng trên diện tích gần 60 ha.
Hình 2.5: NMĐMT Sơn Mỹ 3.1 nhìn từ trên cao
NMĐMT Sơn Mỹ 3.1 sử dụng hệ thống kim thu sét tia tiên đạo sớm (ESE), bảo vệ lên đến
95% diện tích các tấm pin NLMT. Sơ đồ bố trí hệ thống kim thu sét tia tiên đạo sớm ESE
Hình 2.7: Lắp đặt hệ thống kim thu sét tia tiên đạo sớm ESE tại nhà máy
Ngoài ra, trong các tủ bảng điện của hệ thống Inverters sử dụng các bộ SPD (Surge Protection Device) nhằm tránh dòng sét lan truyền đến các thiết bị trong tủ, bảng điện.
2.2.2 Sự cố do dòng cảm ứng sét tại NMĐMT Sơn Mỹ 3.1
Ngày 22/07/2019 tại khu vực tại NMĐMT Sơn Mỹ 3.1 ghi nhận có mưa lớn đi kèm giông sét, một số tia sét đánh vào hệ thống kim thu sét phát tia tiên đạo sớm ESE.
Hình 2.9: Khu vực bị sét đánh tại NMĐMT Sơn Mỹ 3.1
Sau đó vào ngày 27/07/2019 nhiệt độ đo về từ các hộp nối (Junction Box) tại các tấm pin NLMT tăng cao quá mức cho phép. Từ các dữ liệu về sóng điện áp của bộ biến tần trên hệ
thống điều khiển trung tâm sau hơn một tháng hòa lưới cũng như kiểm tra nhiệt độ của các hộp nối là khá cao khi các tấm pin (module) này đang hoạt động. Sau khi khảo sát kỹ hơn, cho thấy giá trị điện áp hở mạch của các mơ-đun này thấp hơn bình thường. Có tổng cộng
hơn 400 tấm pin bao gồm 16 chuỗi pin (mỗi chuỗi có 28 tấm pin) có hiện tượng này.
Kiểm tra điện áp hở mạch của các tấm pin, giá trị đo được thấp hơn mức bình thường. (Giá trị đo được bằng khoảng 2/3 giá trị bình thường như trong hình.). Khi kiểm tra 4 tấm pin ngẫu nhiên dưới dạng mẫu và tất cả các kết quả đều giống nhau.
Từ các đo đạc kiểm chứng như trên chứng minh Bypass diode bị hỏng gây ra các hiện tượng bất thường (nhiệt độ cao của hộp nối, điện áp hở mạch thấp). Điều này cũng được
xác nhận bởi những hình ảnh hồng ngoại được chụp khi khảo sát.
Hình 2.11: Hình ảnh hồng ngoại trên tấm pin cho thấy sự quá nhiệt trong hộp kết nối
Hình 2.12: Bypass Diode quá nhiệt dẫn đến hư hỏng hộp kết nối
Bên cạnh các vùng của hộp nối, phần khác của tấm pin khơng có dấu hiệu bất thường rõ ràng. Khi mở nắp phía sau của hộp nối, phát hiện thấy một số vệt trên vị trí của các Bypass Diode. Khả năng xuất hiện dòng xung lớn gây ra các vệt này trên vị trí các diốt.
Hình 2.13: Vết phóng điện trên bề mặt của khung các tấm pin bị sự cố
Vào ngày 12/08/2020, sự cố tương tự xảy ra làm hộp Junction Box của tấm pin bị biến dạng. Nhiệt độ trên Junction Box cao và điện áp hở mạch thấp (~3VDC)
CHƯƠNG 3. XÂY DỰNG MƠ HÌNH VÀ CÁC CƠNG THỨC TÍNH TỐN VÀ KẾT QUẢ MƠ PHỎNG TÍNH TỐN