Chương 2 THỰC NGHIỆM
2.2.4. Chế tạo pin mặt trời perovskite
Lớp loại p được sử dụng là vật liệu Poly (3,4- ethylenedioxythiophene)- poly (styrenesulfonate).
Lớp loại i được sử dụng là vật liệu FAPbBr3.
Lớp loại n được sử dụng là vật liệu AZO (ZnO pha tạp Al).
Quy trỡnh chế tạo gồm cỏc bước sau: a. Chuẩn bị thớ nghiệm
Đế FTO được cắt với kớch thước 1.5x1.5 cmvà được ăn mũn một phần bằng hỗn hợp bột Zn và HCl. Sau đú, đế được rửa sạch bằng nước khử ion, dung mụi aceton, dung mụi IPA trong bể rung siờu õm mỗi lần 30 phỳt.
Đế FTO sau khi được làm khụ bằng khớ N2 thỡ được đưa vào lũ oxygen plasma trong 15 phỳt.
Tạo mụi trường N2 trong khoang găng (glove box) với độ ẩm < 30%.
Dung dịch FAPbBr3trong dung mụi DMF được chuẩn bị như trong hỡnh 2.1.
b. Tiến hành thớ nghiệm
Sau khi oxygen plasma, ta tiến hành nhỏ 10-20 μl dung dịch PEDOT:PSS lờn đế FTO với tốc độ phủ quay 3000 rpm trong 40 giõy. Mẫu được ủ ở 1200C trong 30 phỳt.
Sau đú, nhỏ 10-20 μl dung dịch FAPbBr3 lờn mẫu PEDOT:PSS với tốc độ 3500 rpm trong 1 phỳt. Trong quỏ trỡnh quay, ở giõy thứ 40, nhỏ dung dịch 10 μl dung mụi clobenzen. Sau đú, mẫu được ủ 1200C trong 30 phỳt.
Mẫu FTO/PEDOT: PSS/FAPbBr3 được đưa vào trong buồng mỏy phỳn xạ. Phỳn xạ với quy trỡnh như bảng 2.2 để tạo lớp màng AZO.
Mẫu FTO/PEDOT: PSS/FAPbBr3/AZO được đưa vào buồng mỏy bốc bay nhiệt. Bốc bay nhiờt với quy trỡnh như bảng 2.2 để tạo điện cực Ag
Thụng số kỹ thuật của phương phỏp Lớp AZO Lớp điện cực Ag Phỳn xạ Bia: AZO Áp suất: <5.10- 6Torr Nguồn dũng: dũng điện xoay chiều (RF).
Cụng suất: 90W. Thời gian: 30 phỳt.
Bốc bay nhiệt Ag
Áp suất:<5.10-6Torr. Nguồn dũng: 70A. Độ dày: 200 nm.
Bảng 2. 3: Bảng thụng số kỹ thuật của phương phỏp phỳn xạ và phương phỏp bốc bay nhiệt.