Làm giảm trở ra của bộ khuếch đại xuống (1+ β) lần.

Một phần của tài liệu Tài liệu hướng dẫn thực tập môn điện tử tương tự – 2020 – UET (Trang 33 - 35)

Việc thiết kế mắc song song với các trở này các tụ đoản mạch (bypass) với điện dung đủ lớn sẽ làm giảm hoặc triệt tiêu tác động về phản hồi âm về tín hiệu xoay chiều dung đủ lớn sẽ làm giảm hoặc triệt tiêu tác động về phản hồi âm về tín hiệu xoay chiều của mạch khuếch đại.

THỰC NGHIỆM

Bản mạch thí nghiệm AE – 102 Module:

1. Khảo sát đặc tuyến I-V của transistor NPN và PNP

Nhim v:Kiểm tra sơ bộ transistor bằng ôm kế, đo họ đặc tuyến ra của transistor loại npn-C1815 và transistor loại pnp-A1015. loại npn-C1815 và transistor loại pnp-A1015.

Bn mch thc nghim : A2 -1.

1.1. Kiểm tra sơ bộ transitor bằng Digital Multimeter

Vì BJT có cấu trúc gồm 2 lớp tiếp giáp pn nối đấu lưng nhau, nên có một cách nhanh chóng để kiểm tra sơ bộ nó là đo điện trở 2 lớp tiếp giáp này theo các hướng phân nhanh chóng để kiểm tra sơ bộ nó là đo điện trở 2 lớp tiếp giáp này theo các hướng phân cực thuận và ngược. Nhớ rằng cực base B là điểm giữa. Về nguyên tắc, có thể dùng một ôm-kế để đo các trở tiếp giáp này vì thiết bị đo có nguồn điện bên trong tạo dòng chảy qua linh kiện và chỉ thị thế sụt trên đó. Trong phòng thực hành đã có sẵn các đồng hồ vạn năng (Digital Multimeter) cho phép kiểm tra trực tiếp lớp tiếp giáp p-n của diode với vị trí chức năng có đánh dấu ( ). Khi đặt các đầu đo của thiết bị lên diode theo chiều phân cực thuận, nếu lớp tiếp giáp tốt dụng cụ sẽ hiện thế VON (ví dụ, là 0.7V với diode silic), khi đặt theo chiều ngược lại dụng cụ sẽ hiển thị báo ngắt mạch (OL).

Chưa mc các dây ni và chưa tiến hành thc nghim vi, suy nghĩ cách thc tiến hành kim tra BJT bng Digital Multimeter vi chc năng “kim tra diode”. tiến hành kim tra BJT bng Digital Multimeter vi chc năng “kim tra diode”.

Một phần của tài liệu Tài liệu hướng dẫn thực tập môn điện tử tương tự – 2020 – UET (Trang 33 - 35)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(185 trang)