bµi 8 tiõt 10 t×nh h×nh ph¸t trión kinh tõ x· héi c¸c níc ch©u ¸
Báo cáo thực tập công nhân 2 ngành điện tử viễn thông
... { TMOD=0x55 // 0101 0101 ;bo định thời 0,1-chế độ 1: //Bộ đếm 16 bit TCON=0x50 //# 0101 0000 TH0=0x00; TL0=0x00; EX0=1; EA=1; PX0=0; IT0=1; P1=0; //Bật đèn B=TH0; While(1) { delay (100 0); If(B!=TL0) ... phần cứng 17 PHẦN II: VI XỬ LÝ Thuyết minh Tìm hiểu IC89S51 AT89S51 vi điều khiển hãng Atmel, phiên khác 80 51 có 4KB ROM chíp nhớ Flash AT89S51 thích hợp cho ứng dụng nhanh có nhớ Flash xóa vài ... chân từ 21- 28 Port port xuất nhập 8bit hai chiều có sử dụng điện trở kéo lên bên Port có đệm xuất nhận/cấp dòng cho ngõ vào TTL Port 18 PHẦN II: VI XỬ LÝ Port (P3.0-P3.7) có số chân từ 10- 17 Port...
- 32
- 1,055
- 3
thiết kế chế tạo mạch biền đổi dùng quang trở với ứng dụng bật tắt đèn tự động
... trị quang trở tối 50kΩ , sáng 5kΩ , ta chọn R3 = 10kΩ Khi điện áp đầu vào chân LM324 tối là: Ut = 12V * 50/(50 +10) = 10V Khi sáng : Us = 12V * 5/ (10+ 5) = 4V Vậy ta đặt điện áp vào chân LM324 nằm ... điểm thường mở đóng lại cặp tiếp điểm thường đóng mở iV IC 781 2 Luôn cho điện áp đầu 12V Đèn LED Có chức hiển thị đầu Transistor C 181 5 Là phần tử tích cực mắc để làm khóa điện tử để điều khiển ... dòng điện qua mối tiếp giáp, Diode chiu điện áp ngược lớn khoảng 100 0V diode bị đánh thủng Diode bị cháy áp phân cực ngựơc tăng > = 100 0V Diode Phát quang ( Light Emiting Diode : LED ) Diode phát...
- 26
- 3,177
- 11
Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu các sản phẩm
... 10 R4 11 R5 12 R6, R7 13 R8 14 R9 15 R10 16 L1 17 L2 Giá trị MFR -2369 MGA- 86 576 NBB-300 100 pF 2.2 nF 10 pF 56 560 1 ,8 K 10 K 100 68 36 10 110 85 nH 50 nH Ghi Modul dao động Modul khuếch ... hộp 0,1 R R9 R =10 Ohm sp_mot_MRF2369 _8_ 19920301 SNP3 Bias="Bjt: Vce=10V Ic =50mA" Frequency="{0 .10 - 2.00} GHz" C C1 C =100 pF R R8 R=36 Ohm R R6 R= 68 Ohm R R7 R= 68 Ohm C C7 C =100 pF +5V L L5 ... ="{1.00 - 8. 00} GHz" C C6 C =10 pF C C12 C =100 pF Amplifier2 T1 NBB-300 C C9 C =10 pF Port RF_OUT L L1 L =85 .0 nH Amplifier2 D1 +12V C C11 C=2.2 nF L L4 -12V C C2 C =10 nF R R10 R= 110 Ohm C C8 C=2.2...
- 36
- 1,045
- 0
Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ chuyển mạch điốt pin
... Lớp P+ 76 10- 3 cm 2 10- 3 cm2 Lớp I 7,6 10- 3 cm 3,12 10- 3cm2 Lớp N+ 10, 2 10- 3 cm 4,5 10- 3cm2 Lớp kim loại 0,127 10- 3cm 4,5 10- 3cm2 Lớp đế 10, 2 10- 2 cm 12.9 10- 3cm2 12 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên ... Lớp P+ 76 10 cm 2 10- 3 cm2 Lớp I 7,6 10- 3 cm 3,12 10- 3cm2 Lớp N+ 10, 2 10- 3 cm 4,5 10- 3cm2 Lớp kim loại 0,127 10- 3cm 4,5 10- 3cm2 Lớp đế 10, 2 10- 2 cm 12.9 10- 3cm2 39 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên ... loại bỏ ta có: th = th ( Si) + th (Cu ) = 2, 28[ L2 ( P +) + L2 ( I ) + L2 ( N +)] 0 ,88 L2 (Cu ) = 2, 28 ì 10 [0,57 + 57,16 + 104 ] + 0 ,88 (10, 45 ì 10 ) = 9,5(ms ) Bảng 2.2: Cấu trúc hình học loại...
- 85
- 1,011
- 0
Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng chia công suất
... mức 27 1 .8 Các kỹ thuật cộng khác 28 1 .8. 1 Bộ cộng ống sóng dẫn điện môi 28 1 .8. 2 Bộ cộng đẩy-kéo 29 1 .8. 3 Bộ cộng mạch cộng hởng CAP - mũ 30 1 .8. 4 Bộ cộng ống dẫn sóng planar 31 1 .8. 5 Bộ cộng ... xấp xỉ 10GHz Bảng 1.1 Các tần số cộng hởng hốc cộng hởng băng-w n =1 f(GHz) p = m=0 p=2 p=3 p=4 p=5 p=6 p=7 p =8 c c = 1,5 g 63 ,89 76, 58 94 114 135,45 157,75 180 ,59 203, 78 c = g 60,30 63 ,89 69,46 ... 3-dB Hiệu suất cộng từ cổng vào đợc cho bởi: c = P0 = Pm D + 10 10 D 10 20 + (2 cos ) D ( ) + 10 10 (1.5) Hình 1 .10 đặc tính đầu cộng ghép lai hàm hiệu đầu vào với độ lệch pha...
- 64
- 758
- 0
Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ dao động bán dẫn VCO
... 3,7 1,7 Tần số (MHz) 750 100 0 1250 750 100 0 1250 750 100 0 1250 S11 (Mag.) 0,951 0,966 0, 986 0,994 0,962 0,969 0,991 0,993 0, 981 Góc 39,0 * -73,3 -122,4 -179 ,8 87,2 * -82 ,5 -144,6 -173,9 137,5 ... tạo dao động AT-11411 đệm AT-42 086 Điện áp điều chỉnh (V) 10 14 20 22 24 26 Tần số (MHz) 680 725 84 0 960 100 0 1220 1255 1 280 1300 Công suất (dBm) +15,0 +15,6 +15 ,8 +16,2 +17,1 +14,5 +13,0 +11,7 ... (Mag.) 0,65 0,70 0,67 0,76 0,64 -31 ,8 -39,0 -102 ,1 -137,9 -149,3 45 Góc -6,7 -13,9 -43 ,8 -107 ,1 -1 28, 6 S21 (dB) 24,1 25,4 27,1 25,5 24,3 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch...
- 69
- 979
- 1
Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ lọc dải thông
... mạch dải Báo cáo khoa học: Nghiên cứu thiết kế, chế tạo lọc dải thông 10 La / 10 10 La / 10 n arcch / ' arcch ( ) (2. 18) Và ta có công thức chuyển chuyển đổi thông thấp sang dải thông ta thay ... Số mắt lọc: 10 La / 10 10 La / 10 n arcch ' / g arcch ( ) (2.22) Các tham số điện: (2i 1) g i = sin 2n với gi = 1, gn+1 = Lar = 3dB, g = 45 i = 1,2, n Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên ... 0,51 + / + 10 w0 (2.4) r (tan g ) rhd (2.5) Tổn hao kim loại L (giả thiết phân bố đều) là: k = Rs = 8, 68 R s [dB / cm] Z w rhd (2.6) Z 0 (2.7) Hệ số phẩm chất mạch dải: Q= (2 .8) Điều kiện...
- 65
- 849
- 2
Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn tần
... 1.3.5.6 Các trộn tần cân đơn FET 1.3.5.7 Các trộn tần cân kép FET 1.3.5 .8 Các trộn tần FET có trở kháng 8 11 14 16 18 18 18 18 19 21 23 24 Chơng ii: Thiết kế trộn tần cân 27 Thiết kế trộn tần GHz ... loại vật liệu mạch in 2.2.3 Thiết kế vòng gép lai Rat-race 27 28 28 28 29 Kết luận Tài liệu tham khảo 31 32 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động tích cực ... 100 GHz, sử dụng khuếch đại tạp thấp sở bán dẫn GaAsFET để cải thiện hệ số tạp hệ thống, song dải tần số 100 GHz, ta sử dụng điốt nh khuếch đại biến đổi tần số tạp thấp mà Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G...
- 33
- 980
- 0
Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải quy trình đo đạc hiệu chỉnh, kiểm nghiệm chất lượng các sản phẩm
... sóng - Công suất [dBm] 10 15 - Độ ổn định công suất [dB] 10. 10-6 10. 10-6 - Dải điều chỉnh điện [MHz] 700 700 - Các hài [dBc]
- 37
- 699
- 0
Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải quy trình thiết kế các sản phẩm sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tầ
... -1.46 -7.03 -11 .84 89 .86 -10 Actual Center Frequency 0.20 -17.36 -1.46 -7.03 -11 .84 89 .86 -15 Change/Worst A->B 0.00 -8. 60 -4.47 -4. 38 -8. 74 0.00 Marker M1 0.30 -8. 60 -4.47 -4. 38 -8. 74 91.09 Marker ... -30 -3.07 -27.91 -20 .84 3. 58 -27.55 -3.02 -3.02 -30.61 -29.70 0.42 -16.69 -3.11 -3.11 -27.70 -17 .86 2 .84 - 18. 07 -3. 08 -3. 08 - 28. 11 -19.92 Marker M2 2 .88 - 18. 46 -3. 08 -3. 08 -27.97 -20.52 F: 1: ... 3.1 2.7 2 .8 2.9 3.0 2.7 2 .8 2.9 3.0 - 18 -20 -22 -24 2.6 30 2.7 2 .8 2.9 3.0 3.1 2.6 2.7 2 .8 2.9 3.0 3.1 - 28. 0 - 28. 5 -29.0 -29.5 2.6 3.1 -29.0 -27.5 -26 2.6 - 28. 5 3.1 -16 0.025 1.30 2.7 - 28. 0 -29.5...
- 87
- 799
- 1
Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải thuyết minh kỹ thuật và hướng dẫn sử dụng các sản phẩm
... sp_mot_MRF2369 _8_ 19920301 SNP3 Bias="Bjt: Vce=10V Ic=50mA" Frequency="{0 .10 - 2.00} GHz" C C1 C =100 pF R R8 R=36 Ohm R R6 R= 68 Ohm R R7 R= 68 Ohm C C7 C =100 pF C C2 C =10 nF R R1 R=56 Ohm C C3 C =10 pF R ... R R3 R=1 .8 kOhm R R5 R =100 Ohm R R10 R= 110 Ohm C C8 C=2.2 nF L L5 C C5 C C =10 pF C4 C=47.0 pF C C6 sp_hp_MGA -86 576_1_19921201 C =10 pF SNP1 Bias="Amplifier: Vd=5V" Frequency="{0.50 - 10. 00} GHz" ... Frequency="{1.00 - 8. 00} GHz" L L1 L =85 .0 nH Amplifier2 D1 R R4 R =10 kOhm U_Varactor Hình 8: Sơ đồ nguyên lý dao động VCO dải sóng 10cm C C12 C =100 pF +12V C C11 C=2.2 nF L L4 -12V L L3 L =10. 0 nH +5V...
- 36
- 810
- 0
Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải
... sp_mot_MRF2369 _8_ 19920301 SNP3 Bias="Bjt: Vce=10V Ic=50mA" Frequency="{0 .10 - 2.00} GHz" C C1 C =100 pF R R8 R=36 Ohm R R6 R= 68 Ohm R R7 R= 68 Ohm C C7 C =100 pF C C2 C =10 nF R R1 R=56 Ohm C C3 C =10 pF R R2 R=560 Ohm L ... R R3 R=1 .8 kOhm R R5 R =100 Ohm R R10 R= 110 Ohm C C8 C=2.2 nF L L5 C C5 C C =10 pF C4 C=47.0 pF C C6 sp_hp_MGA -86 576_1_19921201 C =10 pF SNP1 Bias="Amplifier: Vd=5V" Frequency="{0.50 - 10. 00} GHz" ... C=4700 pF L L3 L =84 .6 nH C C4 C =100 pF R R2 R=25 Ohm C E3 C6 C=1. 08 pF C E5 C7 C=3.16 pF E4 PIN D6 L L2 L =84 .6 nH Xung dieu khien 435 036 L L1 L =84 .6 nH INPUT III1 435 043 E6 C C8 C=1. 08 pF Tin hieu...
- 217
- 715
- 1
Đồ án Thiết kế chế tạo mạch điều khiển động cơ bước có sử dụng lập trình Vi Điều Khiển
... 1a 100 0100 0100 0100 0100 0100 01 Mấu 1a 1100 1100 1100 1100 1100 1100 1 Mấu 1b 0 0100 0100 0100 0100 0100 0100 Mấu 1b 00 1100 1100 1100 1100 1100 110 Mấu 2a 0100 0100 0100 0100 0100 0100 0 Mấu 2a 0 1100 1100 1100 1100 1100 1100 ... sau quay động theo chiều kim đồng hồ 24 bước vòng: Cuộn 100 10 0100 10 0100 10 0100 1001 Cuộn 0100 10 0100 10 0100 10 0100 100 Cuộn 0 0100 10 0100 10 0100 10 0100 10 thời gian ‐‐> Phần Điều khiển mức trung bình cung ... 2a 0100 0100 0100 0100 0100 0100 0 Mấu 2a 0 1100 1100 1100 1100 1100 1100 Mấu 2b 00 0100 0100 0100 0100 0100 010 Mấu 2b 100 1100 1100 1100 1100 1100 11 thời gian ‐‐> thời gian ‐‐> Nhớ hai nửa mấu không kích lúc Cả hai...
- 39
- 934
- 7
THIẾT kế CHẾ tạo MẠCH KHUẾCH đại CÔNG SUẤT DÙNG TRANSISTOR BJT CÔNG SUẤT 2w
... TRƯỜNG ĐẠI HỌC SPKT HƯNG YÊN -các linh kiện sử dụng mạch +trandito c2 383 .H1061 +tụ điện 10uf, 100 0uf +Điện trở 2,2k 44k 100 ôm 33 ôm 10k 44ôm2w + biến trở xoay 2k -Nguyên lý hoạt động mạch +Tụ c1 có ... dụ 100 µF (100 micro Fara) Nếu số dạng 103 J, 223K, 471J vv đơn vị pico, hai số đầu giữ nguyên, số thứ tương ứng số lượng số thêm vào sau( chữ J K cuối kà ký hiệu cho sai số) -Ví dụ 1 :103 J 100 00 ... P(Pico Fara) Pico = 1 /100 0.000.000.000 Fara (viết gọn 1pF) + N(Nano Fara) Nano = 1 /100 0.000.000 Fara (viết gọn 1nF) + MicroFarra Micro = 1 /100 0.000 Fara (viết gọn 1µF) 1µF = 100 0nF = 1.000.000...
- 18
- 1,633
- 2
BÁO cáo THIẾT kế CHẾ tạo MẠCH bảo vệ máy KHỞI ĐỘNG sử DỤNG OPAMP
... nhiều 2.4 Kinh phí để thực đề tài: (liệt kê kinh phí mua sắm thực đề tài theo bảng sau) STT TÊN THIẾT BỊ GIÁ TIỀN Quạt máy tính 25.000đ IC LM 3 58 , IC NE555,Tip 142 25.000đ ,Tran C 181 5 ,Tụ ... mềm điện tử 3.3 Các kinh nghiệm có được: + kinh nghiệm đọc thông tin linh kiện : từ trang alldatasheet.com + kinh nghiêm vẽ mạch cho phù hợp ,chống nhiễu ,đẹp + kinh nghiệm kiểm ... Biến Trở ,Công tắc ,Led ,điện trở các loại … In mạch ,Phíp đồng 10. 000đ TỔNG:60.000đ GHI CHÚ NHỮNG KIẾN THỨC, KINH NGHIỆM HỌC ĐƯỢC VÀ ĐỀ XUẤT: III 3.1 Kiến thức: - Thành viên nhóm...
- 6
- 536
- 2
Thiết kế chế tạo mạch điều khiển tốc độ động cơ điện một chiều
... linh kiện bán dẫn có cấu tạo gồm lớp bán dẫn PNP NPN ghép lại với (hình 2 .8) (2.9) C P N P B C B E E (a) (b) Hình 2 .8 Transistor PNP: a) cấu tạo b) ký hiệu C N B P N C B E E (a) (b) Hình 2.9 ... V2 Hình 2.7 b Dùng bảo vệ Transistor GVHD: Trần Văn Chương SVTH: Dỗn Trung Qn Vũ Minh Tiến Page 10 KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ ĐỒ ÁN MƠN HỌC 2.2 Transistor cơng suất 2.2.1 Cấu tạo: Transistor từ ghép ... HỌC Transistor công suất có cấu trúc ký hiệu sau: C B IC C UCE IB UBE E E• • B IE (a) (b) Hình 2 .10 Transistor công suất a) Cấu trúc b) Ký hiệu 2.2.2 Ngun lý làm việc Transistor E Emiter N C pP...
- 18
- 3,691
- 15
thiết kế, chế tạo mạch kiểm tra số lượt người ra vào cửa siêu thị
... hot ng n ỏp c) - Tn nhit tt cho 78xx Khi hot ng vi ti thỡ 78xx rt núng i vi cp in ỏp l 29V thỡ 78xx núng cú ti v chỳ ý tn nhit tt cho nú. núng quỏ sinh phỏ 78xx GVHD: Phm Ngc Thng TRNG I HC SPKT ... l t gm 104 vỡ t ny cú tn s lc ln Chng minh bi cụng thc: f= 1/(2 Xc C) - IC n ỏp Cú hai loi linh kin n ỏp h 78XX v 79XX H 78xx l h cho n nh in ỏp u l dng Cũn xx l giỏ tr in ỏp u nh 5V, 8V H 79xx ... t in T gm cú tỏc dng lc xung t bin 2.1.4 Khi n ỏp - Dũng h 78xx cho nhiu loi n ỏp in khỏc nhau: nh 780 5 n ỏp 5V - in ỏp u vo ca h 78xx l in ỏp chiu v max
- 34
- 2,563
- 9
Nghiên cứu thiết kế, chế tạo tua bin xung kích 2 lần kiểu Cink pdf
... C12 (3- 18) Từ tam giác vận tốc vào ta có: u1 sin( ) == sin( 180 o ) c1 (3-19) W1 sin = c1 sin( 180 o ) (3-20) Ngoài ta có: sin ( 180 o - 1) = sin cos ( 180 o - 1) = - cos Thay vào (2- 18) ta có: ... vuông góc với Công suất dòng chảy qua tua bin: NH = QH 102 = 9 ,81 QH KW (2 .10) Trong đó: = 100 Kg/m3; Q - m3/s Công suất tua bin: N = NH. = 9 ,81 .QH Viện khoa học thuỷ lợi (2.11) 17 NC, thiết kế, ... trình (3-40) lấy C = 0, 98; = 0, 98 max = 87 ,8% Vì hiệu suất tỷ lệ với bình phơng hệ số vận tốc K vòi phun nên cần 2= phải ý tới lu lợng vòi phun để tránh tổn thất Hình 20,19, 18 Bớc cánh Hình 19 Bớc...
- 119
- 525
- 1
Tính toán, thiết kế, chế tạo mạch điều khiển và ổn định tốc độ động cơ DC
... nng = 2 389 . 98( v/ph ) nên ta có : Uđkbh= Ucđ max .nbh = 58. 98 (0,0 08 2 389 . 98) =39 .86 (V) Page 33 N CHUYấN NGNH II Chọn Ubh =12 V K = U bh 12 = = 0.3 U dkbh 39 .86 K tg Ki = K = 2.4 28 = 8. 09 0.3 ... D 2390(1 + 0,0 08. 61.2) + 14.464.2.51.1.362 = = 58. 98( ) V K 61.2 n0max U cd K 58. 98. 61.2 = = 2423. 18( v ) p + K + 0,0 08. 61.2 Page 32 ra: N CHUYấN NGNH II Ta có : A (0; 2423. 18) ,B ( 2.51 ; 2390 ... âm dòng ta có : U cd K Ru I ng K D nng= + K = 58. 98. 61.2 14.464.2.51.1.362 = 2 389 . 98( v ) p + 0,0 08. 61.2 Điểm C có toạ độ C (3.765 ;2 389 . 98) Gọi D điểm phân biệt gữa vùng tác động vùng không...
- 68
- 1,942
- 5
Tìm thêm: khảo sát các chuẩn giảng dạy tiếng nhật từ góc độ lí thuyết và thực tiễn khảo sát chương trình đào tạo của các đơn vị đào tạo tại nhật bản khảo sát chương trình đào tạo gắn với các giáo trình cụ thể xác định thời lượng học về mặt lí thuyết và thực tế tiến hành xây dựng chương trình đào tạo dành cho đối tượng không chuyên ngữ tại việt nam điều tra đối với đối tượng giảng viên và đối tượng quản lí khảo sát thực tế giảng dạy tiếng nhật không chuyên ngữ tại việt nam xác định mức độ đáp ứng về văn hoá và chuyên môn trong ct phát huy những thành tựu công nghệ mới nhất được áp dụng vào công tác dạy và học ngoại ngữ mở máy động cơ lồng sóc mở máy động cơ rôto dây quấn các đặc tính của động cơ điện không đồng bộ đặc tuyến hiệu suất h fi p2 đặc tuyến mômen quay m fi p2 đặc tuyến tốc độ rôto n fi p2 động cơ điện không đồng bộ một pha sự cần thiết phải đầu tư xây dựng nhà máy thông tin liên lạc và các dịch vụ từ bảng 3 1 ta thấy ngoài hai thành phần chủ yếu và chiếm tỷ lệ cao nhất là tinh bột và cacbonhydrat trong hạt gạo tẻ còn chứa đường cellulose hemicellulose chỉ tiêu chất lượng 9 tr 25