Điều khiển các nguồn phân tán nối lưới thông qua bộ biến đổi công suất phỏng theo hoạt động của máy phát đồng bộ giúp cải thiện độ ổn định của lưới điện. Lưới điện nhỏ vận hành dưới nhiều chế độ hoạt động khác nhau do vậy các thông số của bộ điều khiển máy phát đồng bộ ảo cũng cần được điều chỉnh phù hợp với sự thay đổi của lưới. Bài báo đề xuất một mô hình điều khiển tần số lưới điện nhỏ ở chế độ độc lập thông qua máy phát đồng bộ ảo có thông số tự điều chỉnh. Bài báo cũng đã tiến hành mô phỏng quá trình điều khiển tần số lưới điện nhỏ ở chế độ độc lập trên công cụ MatlabSimulink.Nghiên cứu sử dụng và khai thác hiệu quả nguồn năng lượng tái tạo để phát điện có ý nghĩa thiết thực đến việc giảm biến đổi khí hậu cũng như giảm sự phụ thuộc vào các nguồn nhiên liệu hóa thạch. Công nghệ điều khiển nối lưới cho lưới điện siêu nhỏ (Microgrid MG) với các nguồn phát điện phân tán (Distributed generation DG) như: nguồn pin mặt trời, pin nhiên liệu, turbine gió, microturbine... là những nguồn năng lượng sạch, có tiềm năng lớn ở Việt Nam. Tuy nhiên, để xây dựng mô hình và công nghệ điều khiển nối lưới cho lưới điện siêu nhỏ với các nguồn phát điện phân tán, đồng thời tích hợp chúng vào hệ thống điện sao cho hiệu quả vẫn là mục tiêu nghiên cứu của các nhà quản lý. Việc phát triển lưới điện siêu nhỏ với các nguồn phát điện phân tán, là mục tiêu nhằm hướng đến phát triển lưới điện thông minh đồng thời điều khiển nối lưới linh hoạt các dạng nguồn năng lượng tái tạo.
Translated from English to Vietnamese - www.onlinedoctranslator.com 358PHẦN IIIỔ đĩa tốc độ điều chỉnh QUẢ SUNG 23/12Vận hành tái tạo động khơng có cảm biến tốc độ 20 vòng/phút với tải định mức: (A) tốc độ vị trí thực tế (B) lỗi ước tính tốc độ vị trí Điều khiển truyền động không cần cảm biếnChương 12359 dc bụng dq r r bụng dq abc bụng QUẢ SUNG 24/12Ổ đĩa IPMSM không cảm biến dựa mơ hình EMF Bằng cách áp dụng phương pháp lọc trạng thái[13], EMF ước tính sau: ^eαβ¼ kPs + L2ds + kTơiðLds + RQUẦN QUÈ vαβ ∗ + jω̂eLd-LqTôiαβ Lds + R R + kPs + kTôi ! - Tôiαβ (12:60) “^” biểu thị giá trị ước tính,vα*βbiểu thị vectơ điện áp tham chiếu,kPVàkTôilần lượt mức tăng tỷ lệ tích phân cơng cụ ước tính EMF Độ lợi cơng cụ ước tính EMF chọn cách sử dụng phương pháp hủy cực sau: kP¼Ldωc,kTơi¼Rωc (12.61) đâu ωclà băng thơng ước tính EMF Bằng cách thay phương trình.(12:60) vào phương trình.(12.61), thu điều sau ωc êαβ ¼ s +ωc eαβ (12.62) Vì vậy, rõ ràng đặc tính cơng cụ ước tính EMF giống lọc thông thấp bậc 12.5.2 Phân tích lỗi ước tính vị trí 12.5.2.1 Phân tích thành phần hài ước tính EMF mở rộng Sự chênh lệch điện áp giá trị tham chiếu giá trị thực tạo hiệu ứng thời gian chết, dẫn đến méo dòng điện stato Ngồi ra, sóng hài khơng gian thơng lượng IPMSM làm cho EMF mở rộng 360PHẦN IIIỔ đĩa tốc độ điều chỉnh bị bóp méo Cả hai trường hợp dẫn đến (6k1) thành phần hài thứ dịng điện stato, biu th bng 2=3- TụixẳTễI1tiet + 1+Tụi2=3ị +TễI6k-1tiẵ-6k-1ịet + 6k-1+Tụi + TễI6k +1tiẵ6k +1ịet + 6k +1+Tụi XN ẳTễI1tiet + 1+Tụi2=3ị + 2=3TễI6k 1tiẵ 6k1ịet + 6k1+Tụi2=3- kẳ1 (12.63) ch số đâuxđại diệnmột, b,hoặccgiai đoạn tương ứngTôilà 0, 2.TÔI1,TÔI6k-1, VàTÔI6k+1là biên độ bản, (6k-1) thứ (6k+1) hài bậc thứ dòng điện stato tương ứng θ1, θ6k-1, θ6k+1 giai đoạn ban đầu bản, (6k-1)th (6k+1) hài bậc thứ dòng điện stato tương ứng Sử dụng phép biến đổi Clarke Park, dòng điện stato trongdq hệ quy chiếu quay biểu diễn dạng XN Tơid¼TƠI1sinθ1+ TƠI6k 1tộið (12.64) 6kωet + θ6k1QUẦN Q k¼0 Tơiq¼-TƠI1cosθ1- XN TƠI6k 1vìð (12.65) 6kωet + θ6k1QUẦN Q k¼0 Theo phương trình.(12,64), (12,65), (6k-1)th (6k+1)các sóng hài thứ trục α-β tương ứng với (6k)thứ hài hòa trongdqcác trục Phương trình thay thế.(12,64), (12,65)vào phương trình.(12,57), xét (6k-1)th (6k+1) sóng hài thứ, EMF mở rộng trục α-β thu eα¼-Ebán tạitội liet ẳ Ld-Lqe-TễI1sin XN6k kẳ0 - vỡ TễI6k1ẵvỡ ð6k 1+ λBUỔI CHIỀU Ld-Lq ð6k 1Þωet + θ6k tội lỗi et (12,66) 1Þωet + θ6k 1QUẦN 1QUẦN QUÈ QUÈ- eβ¼Ebán tạicosωet ¼Ld-Lqωe + TƠI1sinθ XN6k k¼0 + tội li TễI 6k 1ẵti 6k 1ịet + 6k λ BUỔI CHIỀU Ld-Lq cosωet ð6k1Þωet + θ6k 1Þ-g 1QUẦN QUÈ (12,67) Điều khiển truyền động không cần cảm biếnChương 12361 1,5 0,5 0,8 hòa âm thứ suy giảm biên độ Độ trễ pha EMF (rad) 0,4 0,2 0 (MỘT) 0,6 60 Tầ ns ố h 40 oạ tđ ộn 20 g( rad /s) Tần 60 số h 300 200 /s) (rad 100 ng thô ăng oạ 40 tđ ộn g ) (B) B 300 200 20 (ra d/ s 0 /s) 100 (rad ông g th Băn Độ trễ pha triệt tiêu sóng hài liên quan đến băng thông ωcvà vận hành tần số ωe (A) Độ trễ pha EMF (B) Triệt tiêu biên độ thành phần hài bậc QUẢ SUNG 12:25 Trong ứng dụng thực tế, sóng hài bậc bậc thành phần chiếm ưu Được biết, cơng cụ ước tính EMF ngược tạo độ trễ pha giá trị ước tính giá trị thực Mặt khác, triệt tiêu sóng hài bậc cao mức độ Độ trễ pha triệt tiêu sóng hài có liên quan đến băng thông ωcvà tần số hoạt động ωe(như thể Hình 12.25) Có thể thấy với ω địnhe, ω lớnctương ứng với độ trễ pha nhỏ ước tính EMF tương ứng với khả triệt tiêu sóng hài yếu Để có độ trễ pha nhỏ hơn, băng thông ωcphải giá trị tương đối lớn, dẫn đến thành phần hài ước tính EMF ngược[11] 12.5.2.2 Lỗi ước tính vị trí sóng hài EMF ước tính Từ phân tích trên, lưu ý ước tính EMF chứa (6k thứ hịa âm 1) Trong điều kiện này, mơ hình điện áp IPMSM viết sau: "# vα vβ ¼ R + pLd ωeLd-LqQUẦN QUÈ - ωeLd-Lq Ở đâueh0Vàefbiểu thị (6k R + pLd !" # Tôiα + ef0+e0h Tơiβ 1) sóng hài thứ thành phần khơng có ước tính EMF, biểu thị "#" e'f¼ (12,68) ef0α ef0β ¼ - etộiðω et + θe1QUẦN QUÈ e0vìðω t + θ e e1QUẦN QUÈ # (12,69) 362PHẦN IIIỔ đĩa tốc độ điều chỉnh # N -6k-1ịet + eh ẳ4 - e06k1 -tụi eh0ẳ eh - 6k-1ịet + e6k-1QUN QUẩ e0 " eð6k-1QUẦN QUÈ 6k-1vì +4 - e06k +1tội e6k +1vì ð6k +1Þωet + θ6k +1QUẦN QUÈ7 (12:70) ð6k +1Þωet + θeð6k +1QUẦN QUÈ 0 Ở đâue6k-1Vàe 6k+1biểu thị biên độ (6k-1)th (6k+1) thứ thành phần hài hòa θe(6k-1)và θe(6k+1)tương ứng pha ban đầu tương ứng 0 α¼efα+e0 hα)Vàe0 β(e0 β¼e0 fβ+ehβ)thu được, Khi EMFe0(e0 α PLL cầu phương sử dụng để trích xuất thơng tin vị trí tốc độ rơto Độ lệch pha thu phương pháp sau: εθ¼-e0 αcosθ̂e-e0 βsinθ̂e ¼-e0 f α+ e0hα cos^θe- e0 f β+ e0hβsinθ̂e ¼e01tộiðωe-ω̂eQUẦN QUÈt + θe1-θ^ơi XN + e6k-1 tộið-ð6k-1Þωe-ω̂eQUẦN Qt + θ k¼1 + XN - ^ - (12.71) 6k-1QUẦN Q-θơi e6k0 +1ti6k +1ịe-eQUN QUẩt + e6k +1QUN QUẩ-^ụi kẳ1 T(12.71), cú thể thấy độ lệch pha chứa thuật ngữ tần số chênh lệch hai thuật ngữ tần số cao Khi cơng cụ ước tính vị trí hội tụ,(12.71)có thể đơn giản hóa εθ¼e01tội lỗi θe1-θ̂ơi XN e0tội lỗi 6kω t + θ 6k e eð6kQUẦN QUÈ (12,72) k¼1 đóe6k đại diện cho biên độ tương đương 6ksóng hài EMF θe(6k)đại diện cho giai đoạn đầu số 6kCác sóng hài EMF hiển thị dạng lỗi bổ sung tồn độ lệch pha Kết là, vị trí rơto thu từ PLL bậc hai, có tín hiệu đầu vào độ lệch pha chứa kthứ hòa âm 12.5.3 Phương pháp lọc vectơ thích ứng để loại bỏ dao động hài hịa lỗi vị trí Để loại bỏ dao động hài hịa lỗi vị trí cải thiện độ xác ước tính vị trí cho truyền động IPMSM không cảm biến, chiến lược mạng phản hồi chéo (CFN) dựa lọc vectơ đa thích ứng (AVF) Điều khiển truyền động khơng cần cảm biếnChương 12363 đề xuất[12] Theo phương pháp đề xuất, nhiều AVF hoạt động bên CFN, đạt khả tách bù hài hòa ngược EMF 12.5.3.1 Bộ lọc vectơ thích ứng AVF ứng cử viên sáng giá cho việc phát sóng hài cung cấp đặc tính đầy hứa hẹn độ chọn lọc tần số dương âm[12] Sơ đồ khối AVF dạng vô hướng vectơ thể trongHình 12.26 TừHình 12.26, hàm truyền dạng vô hướng AVF mô tả kfω0 s + kfω0 - ω0 yα ¼ ω s + kfω0 yβ s + kfω02 + ω02 y y (12,73) T x-Vyẳ ẵy yT-biu th vect đầu vào desivectơ đầu màu đỏ, ω0là tần số cộng hưởng vàkflà độ lợi AVF Ở đâuxαβ¼ ½xα Sau đó, thơng qua khái niệm vectơ phức, giới thiệu Xαβ¼xα+jxβ Yαβ¼yα+jyβ hàm truyền dạng vectơ thu (MỘT) (B) QUẢ SUNG 26/12Sơ đồ khối AVF (A) Dạng vô hướng (B) Dạng vectơ (12,74) 364PHẦN IIIỔ đĩa tốc độ điều chỉnh HAVFðSÞ ¼ Yαβ kf ω0 s + kf ω0+jω0 ¼ Xαβ s + kfω 2+ ω20 (12,75) với nghiệm phương trình đặc trưng jω0 S1, 2¼-kfω0 (12,76) Như thấy, hai nghiệm phức phương trình đặc tính ln nằm nửa bên tráiS-mặt phẳng nếukfω0>0, đảm bảo ổn định hệ thống AVF Việc sử dụng khái niệm vectơ phức tạp giúp đơn giản hóa mơ hình AVF từ hệ thống nhiều đầu vào nhiều đầu sang hệ thống vectơ phức tạp đầu vào đầu tương đương, giúp giảm thứ tự số lượng đầu vào đầu hệ thống xuống -một nửa Hiệu suất mơ hình vectơ phức tạp đánh giá cách sử dụng dạng hàm đáp ứng tần số (FRF) tổng quát[14] Vectơ phức FRF biểu với tần số dương âm vectơ phức quay phía trước (tần số dương) lùi (tần số âm) Hình 12.27hiển thị vectơ FRF phức tạp AVF điều kiện khác kfvới ω0cài đặt mức 30 Hz Như thấy, với giá trị củakf, AVF có độ lợi thống độ dịch pha tần số ω0và tần số khác, tín hiệu đầu vào bị suy giảm Các đặc tính đảm bảo việc trích xuất nội dung tần số mong muốn Ngồi ra, lưu ý lọc có tính chọn lọc cao với kích thước nhỏ hơn.kfnhưng băng thơng hẹp ngược lại Kết luận đưa từ phương trình đặc tính AVF –5 Độ lớn (dB) – 10 – 15 – 20 – 25 – 250 –200 –150 –100 –50 Giai đoạn (độ) 100 50 kf= 2 50 kf = kf = – 50 – 100 – 250 –200 –150 –100 –50 50 Tần số (Hz) QUẢ SUNG 27/12 100 150 200 250 Tần số (Hz) Vectơ phức FRF AVF với dạng khác nhaukf 22 100 150 200 250 Điều khiển truyền động không cần cảm biếnChương 12365 Trong ứng dụng thực tế, cần cân nhắc cân độ chọn lọc hài hòa tốc độ hội tụ Hơn nữa, nhận thấy AVF có tính độc đáo đặc tính chọn lọc tần số phân cực, tạo điều kiện thuận lợi cho việc trích xuất nội dung EMF phía sau với sóng hài bị biến dạng cho ổ PMSM không cảm biến 12.5.3.2 CFN nhiều AVF Như lưu ý AVF có mức tăng thống dịch pha tần số điều chỉnh Đối với tần số khác, tín hiệu đầu vào bị suy giảm Nó quan sát từHình 12.27sự suy giảm nội dung tần số khác phụ thuộc vào mức tăng chọnkf Theo đó, EMF ngược ước tính với số nội dung tần số cho ổ IPMSM, giá trị củakfnên giảm xuống để đạt độ suy giảm mong muốn Là đối tác, giá trị thấp củakf ngụ ý thời gian xử lý lâu hơn, điều dẫn đến biến dạng đáng kể nội dung làm giảm hiệu suất hệ thống Do đó, CFN sử dụng, nhiều AVF điều chỉnh cho nội dung tần số riêng biệt xếp hoạt động song song theo cách hợp tác CFN hiểu tập hợp lọc chọn lọc thích ứng chủ yếu bao gồm việc loại bỏ nội dung tần số không mong muốn đầu vào AVF Chỉ tính đến nội dung hài bậc -5 bậc với biên độ lớn hơn, CFN bội AVF đề xuất hiển thị trongHình 12.28được sử dụng để trích xuất nội dung EMF ngược ước tính Như thể trongHình 12.28, CFN bao gồm ba AVF, đóHN(S)là phiên tùy chỉnh hàm truyền hiển thị biểu thức.(12,75), tần số trung tâm cho bởinω0, VàN {1, -5, 7} thứ tự hài hòa AVFNchặn, tức QUẢ SUNG 28/12Nhiều AVF CFN 366PHẦN IIIỔ đĩa tốc độ điều chỉnh êαβN1¼H1ðSCácαβN-êαβN-5-êαβN7 êαβN-5¼H-5ðSCácαβN-êαβN1-êαβN7 (12,77) êαβN7¼H7ðSCácαβN-êαβN1-êαβN-5 ê đâuαβN1êαβN-5, êαβN7biểu thị ước tính EMF ngược hài hịa thứ thứ Do đó, hàm truyền CFN nhiều AVF đề xuất đưa 1-H - - H +2H H -57 ðS¼ QUÈH11-H-5H7-H1H-5-H1H7+ 2H1H-5H7 H CFNQUN (12,78) vi HNSị ẳ kfnn0QUN QUẩs + kfnðnω0Þ +jðnω0QUẦN QUÈ s + kfN ðnω 0Þ + ðnω0QUẦN QUÈ2 (12,79) Ở đâukfnlà mức tăng AVF điều chỉnh để chọn lọcNnội dung hài hòa trở lại EMF Từ phương trình.(12,77) đến (12,79), kết luận cấu trúc CFN trích xuất nội dung nhiều sóng hài (sóng hài thứ thứ ước tính EMF ngược) cách sử dụng nhiều AVF kết nối song song Các tín hiệu trích xuất bị loại bỏ phản hồi chéo khỏi đầu vào nhiều AVF để thu nội dung hài hòa mà khơng bị biến dạng sóng hài Qua phân tích kết luận tín hiệu đầu vào AVF tính cách trừ đầu tất AVF cịn lại khỏi tín hiệu đầu vào ban đầu Bằng cách này, sau trình thời, tín hiệu đầu vào AVF loại bỏ khỏi nội dung hài hòa phát AVF cịn lại, tín hiệu bù lại độ méo đầu Vectơ phức FRF CFN nhiều AVF đề xuất hiển thị Hình 12.29khi IPMSM hoạt động tần số 10 Hz Như thấy, CFN nhiều AVF có mức tăng thống độ dịch pha tần số ω0, có mức tăng vô hạn bậc -5 bậc cho phép loại bỏ nội dung hài không mong muốn Các đặc tính chọn lọc tần số phân cực đảm bảo trích xuất nội dung EMF ngược loại bỏ nội dung không mong muốn (6k1) biến dạng sóng hài truyền động PMSM khơng cảm biến Hơn nữa, gánh nặng tính tốn giảm nửa thực đặc tính chọn lọc phân cực[12] CFN nhiều AVF đề xuất cắm vào quan sát EMF ngược Luenberger theo thứ tự đầy đủ với PLL chuẩn hóa EMF ngược ước tính chuẩn hóa đóng vai trị vectơ đầu vào, tốc độ ước tính đóng vai trò tần số cộng hưởng vectơ EMF ngược đầu sau lọc sử dụng để thu ước tính vị trí tốc độ rơto thơng qua PLL Độ lớn (dB) Điều khiển truyền động không cần cảm biếnChương 12367 20 – 20 – 40 – 60 – 80 – 100 – 250 –200 –150 –100 –50 50 100 150 200 250 Tần số (Hz) Giai đoạn (độ) 200 100 – 100 – 200 – 250 –200 –150 –100 –50 50 100 150 200 250 Tần số (Hz) thứ (MỘT) – Thứ thứ – ngày 11 ngày 13 Tần số (25 Hz/div) –1 (B) Thời gian (20 ms/div) thứ êβ êα – Thứ thứ – ngày 11 ngày 13 FFT(pu) Thời gian (20 ms/div) FFT(pu) Ước lượng trở lại EMF (pu) êβ êα –1 Ước lượng trở lại EMF (pu) FRF vectơ phức tạp CFN nhiều AVF đề xuất QUẢ SUNG 29/12 Tần số (25 Hz/div) Ước tính EMF ngược phân tích FFT (A) Khơng có nhiều AVF CFN (B) Với nhiều AVF CFN QUẢ SUNG 12:30 12.5.4 Kết thực nghiệm Hình 12.30cho thấy so sánh thử nghiệm EMF ngược ước tính với phân tích phổ FFT chuẩn hóa trước sau sử dụng CFN nhiều AVF đề xuất tốc độ 300 vòng / phút tải định mức 75% Từ kết thử nghiệm, thấy rõ quan sát nội dung hài âm thứ -5, 7, -11 13 EMF ngược ước tính mà khơng cần sử dụng nhiều AVF CFN đề xuất nội dung hài âm -5 đề xuất đóng vai trị quan trọng việc ước tính vị trí biên độ lớn Sau sử dụng nhiều AVF CFN đề xuất, nội dung hài âm thứ thứ bị loại bỏ hồn tồn ước tính EMF ngược trở nên hình sin hơn, nội dung hài âm thứ 11 thứ 13 với biên độ nhỏ cịn chúng khơng bù kiểm tra 368PHẦN IIIỔ đĩa tốc độ điều chỉnh QUẢ SUNG 12.31So sánh vị trí rơto ước tính sai số 150 vịng/phút (tốc độ định mức 10%) (A) Khơng có nhiều AVF CFN (B) Với nhiều AVF CFN QUẢ SUNG 12:32So sánh vị trí rơto ước tính sai số 75 vịng/phút (tốc độ định mức 5%) (A) Khơng có nhiều AVF CFN (B) Với nhiều AVF CFN Do tính phi tuyến biến tần hoạt động nghiêm trọng dải tốc độ thấp nên tỷ lệ tín hiệu nhiễu EMF ngược giảm tốc độ vận hành giảm Do đó, thử nghiệm so sánh vị trí ước tính sai số vận hành tốc độ thấp thực Kết thử nghiệm tốc độ 150 vòng/ phút (tốc độ định mức 10%) 75 vòng/phút (tốc độ định mức 5%) thể trongQuả sung 12,31 12,32, tương ứng Có thể thấy, vị trí ước tính bị biến dạng với dao động điều hòa bậc đáng ý lên tới 0,025π 150 vòng/ phút 0,045π 75 vòng/phút Ngược lại, với nhiều AVF CFN đề xuất, vị trí rơto ước tính phù hợp tốt với vị trí đo dao động điều hịa sai số vị trí thứ loại bỏ hồn tồn Hơn nữa, dịng pha trở nên hình sin mà không bị biến dạng Bằng cách này, kết luận CFN nhiều AVF đề xuất có hiệu việc cải thiện độ xác ước tính vị trí tốc độ thấp NGƯỜI GIỚI THIỆU [1]J Holtz, Điều khiển không dùng cảm biến máy cảm ứng—có khơng có tín hiệu tiêm, IEEE Trans Điện tử Ấn Độ 53 (1) (2006) 7–30 [2]V.-M Leppanen, J Luomi, Điều khiển máy cảm ứng không cảm biến tốc độ cho tốc độ tần số 0, IEEE Trans Điện tử Ấn Độ 51 (5) (Tháng 10 năm 2004) 1041–1047 [3]S Suwankawan, S Sangwongwanich, Chiến lược thiết kế quan sát thứ tự đầy đủ thích ứng cho hiệu suất ổn định theo dõi ổ đĩa cảm ứng không cảm biến tốc độ, IEEE Trans Điện tử Ấn Độ 53 (1) (2006) 96–119 [4]ZQ Chen, M Tomita, S Doki, S Okuma, Mô hình lực điện động mở rộng để điều khiển khơng cần cảm biến động đồng nam châm vĩnh cửu bên trong, IEEE Trans Điện tử Ấn Độ 50 (2) (2003) 288–295 Điều khiển truyền động không cần cảm biếnChương 12369 [5]ZQ Zhu, LM Gong, Điều tra tính hiệu hoạt động không cảm biến phương pháp điều khiển khơng cảm biến dựa tín hiệu sóng mang, IEEE Trans Điện tử Ấn Độ 58 (8) (2011) 3431–3439 [6]W Sun, Y Yu, G Wang, D Xu, Phương pháp thiết kế quan sát thứ tự đầy đủ thích ứng có khơng có lỗi thơng lượng ước tính thuật tốn ước lượng tốc độ, IEEE Trans Điện tử công suất 31 (3) (2016) 2609–2626 [7]W Sun, J Gao, X Liu, Y Yu, G Wang, D Xu, Bù lỗi phi tuyến biến tần cách sử dụng mức tăng phản hồi tự điều chỉnh lỗi ước tính trình quan sát thứ tự đầy đủ thích ứng, IEEE Trans Ứng dụng Ấn Độ 52 (1) (2016) 472–482 [số 8]B Wang, Y Zhao, Y Yu, G Wang, D Xu, Điều khiển máy cảm ứng không cảm biến tốc độ vùng suy yếu trường cách sử dụng máy quan sát toàn thích ứng tốc độ rời rạc, IEEE Trans Điện tử công suất 31 (8) (2016) 5759–5773 [9]F Briz, MW Degner, RD Lorenz, Phân tích thiết kế điều chỉnh dòng điện sử dụng vectơ phức tạp, IEEE Trans Ứng dụng Ấn Độ 36 (3) (2000) 817–825 [10]G Wang, R Yang, D Xu, điều khiển dựa DSP điều khiển IPMSM không cảm biến để vận hành phạm vi tốc độ rộng, IEEE Trans Điện tử Ấn Độ 60 (2) (2013) 720–727 [11]G Wang, L Ding, Z Li, J Xu, G Zhang, H Zhan, R Ni, D Xu, Người quan sát vị trí nâng cao cách sử dụng tích hợp tổng quát bậc hai cho truyền động động đồng nam châm vĩnh cửu bên không cảm biến, IEEE Trans Chuyển đổi lượng 29 (2) (2014) 486–495 [12]GQ Zhang, GL Wang, DG Xu, RG Ni, CH Jia, Lỗi vị trí dựa mạng phản hồi chéo nhiều AVF loại bỏ dao động hài hịa cho ổ đĩa IPMSM khơng cảm biến, IEEE Trans Điện tử Ấn Độ 63 (2) (2016) 821–831 [13]RW Hejny, RD Lorenz, Đánh giá giới hạn tốc độ thấp thực tế để kiểm soát tốc độ không cảm biến dựa theo dõi EMF ngược cách sử dụng độ cứng ổ đĩa làm thước đo chính, IEEE Trans Ứng dụng Ấn Độ 47 (3) (2011) 1337–1343 [14]KW Martin, Xử lý tín hiệu phức tạp không phức tạp, IEEE Trans Hệ thống mạch 51 (9) (2004) 1823–1836 Mục lục Lưu ý: Số trang theo sau làfchỉ số liệu vàtchỉ bảng MỘT kết mô nghiên cứu trường hợp, 83, 83– Bộ chuyển đổi AC/AC, 176, 178, 178f 84f mô hình tín hiệu nhỏ của, 75–79, 78f thơng số kỹ Bộ chuyển đổi AC-DC-AC, 178f thuật, 73–74 Bộ chuyển đổi AC/DC, 7–12, 7–8f,25–27, 25f, 93–95, 94f Bộ chuyển đổi Buck-Boost, 20f,21 Bộ chuyển đổi DC-DC tăng cường Buck sơ đồ khối điều khiển đề xuất cho 90f kiểm soát ranh giới bậc hai chung, hoạt động, 98–102, 99f pha, mơ hình hóa, chỉnh lưu AC/DC 85–88, 85–86f 95–102, truyền động động AC 93–95, chế độ hoạt động, 89f 329, 331, 332f Giảm chấn chủ động, thiết kế điều khiển ranh giới bậc hai cho, LCL-lọc 88–91 Phản hồi dòng tụ điện, 228–229, 228f, kết mô nghiên cứu trường hợp, 91f,92 231, 231f thơng số kỹ thuật, 84–85 bố trí thử nghiệm, 229t,230f giảm chấn chủ động kiểu phản hồi, 222–231, 223–225f Bộ chuyển đổi Buck, 20, 20f Bộ chuyển đổi DC-DC Buck điều khiển chế độ điện áp miền tần số của, dựa lọc, 232–238 69–73 mạng dẫn đầu, 226–227f,227, 231 phương kết mô nghiên cứu trường hợp, pháp thực hành, 222 Bộ chỉnh lưu tích cực, 207 73, 75f mơ hình tín hiệu nhỏ, thơng số kỹ Thiết bị truyền động, 55 thuật 69–72, 69, 70f thiết kế điều khiển mơ hình điện áp, 72–73 Ngun tắc quan sát thứ tự đầy đủ thích ứng, 332– 334 Bộ lọc vectơ thích ứng (AVF), 363–365, 363f ADC Nhìn thấyBộ chuyển đổi tương tự sang số (ADC) Ổ đĩa điều chỉnh tốc độ (ASD), 175 Bố trí ngược pha thay (APOD), 42–44 Phương pháp điều chế độ rộng xung tương tự, 35f Bộ chuyển đổi tương tự sang số (ADC), 213–214 APOD.Nhìn thấyPha thay ngược lại bố trí (APOD) ASD.Nhìn thấyỔ đĩa điều chỉnh tốc độ (ASD) Điều chế độ rộng xung không đối xứng, 134, 134f AVF.Nhìn thấyBộ lọc vectơ thích ứng (AVF) C Phản hồi dòng điện tụ điện, kỹ thuật số thực hiện, 224f Cầu H xếp tầng (CHB), 42 chuyển đổi, 43f biến tần, 42 CCM.Nhìn thấyChế độ dẫn truyền liên tục (CCM) CCS.Nhìn thấyBộ điều khiển liên tục (CCS) Chopper, 18 Mạch kẹp, 193 Chế độ dẫn liên tục (CCM), 18–20, 85 Bộ điều khiển liên tục (CCS), 32–33 Chế độ B dòng điện liên tục (CCM), Bộ chuyển đổi Bộ chuyển đổi tăng cường, 20–21, 20f Bộ chuyển đổi DC-DC tăng cường điều khiển chế độ tại, 73, 76f,79–83, 80f miền tần số, chuyển đổi DC-DC 73–83 Boost đáp ứng tần số, 81–82f 75–76, 31 Xem thêm loại cụ thể cuộn cảm, 207–209 vai trị điều biến, 34 điện tử cơng suất, CSI.Nhìn thấyBộ biến tần nguồn (CSI) Bộ chuyển đổi Cuk, 20f,21 371 372Mục lục Bộ chuyển đổi điện tử cơng suất cấp dịng điện, 4–5, f DC-DC điều khiển theo chế độ (CMC) chuyển đổi, 73, 76f Biến tần nguồn (CSI), 13 Cycloconverter, 25–27, 176 AC/AC, 176 chuyển đổi nguồn nối tiếp nhau, 283 sơ đồ khối điều khiển DFIG dựa DPC hệ thống, 287–288, 288f Áp dụng mơ hình tốn học GSC, 286–287 Áp dụng mơ hình tốn học RSC, 283–286 D Điều khiển mơmen trực tiếp (DTC), 62, 62f,271– Bộ chuyển đổi DC/AC, 13–18, 13f,153–154 nghiên cứu điển hình, 165–172, 165f,166t,167–169f, 171f 272 Chế độ dẫn khơng liên tục (DCM), 18–20, 85 DLL.Nhìn thấyThư viện liên kết động (DLL) Máy phát sơ đồ mạch, 154f hệ thống điều khiển điện cảm ứng cấp nguồn kép (DFIG), 269 Gió dựa vịng kín, 168f thiết kế điều khiển, máy phát điện cảm ứng cấp nguồn kép 160–172 điều khiển tại, 161–163, 161f Bộ điều khiển điện áp liên kết DC, 164– 165 indq-khung tham chiếu, 158f ba pha nối lưới, 166t đa cấp, 15–18, 16f chuyển đổi khung tham chiếu hệ thống tuabin, 272 điều khiển công suất trực tiếp nguồn điện back-to-back chuyển đổi, 283 sơ đồ khối điều khiển, 287–288, 288 f Áp dụng mơ hình tốn học GSC, 286–287 Áp dụng mơ hình tốn học RSC, khung tham chiếu cố định đến đồng khung tham chiếu, khung tham chiếu ba pha đến cố định 155–156, 155 283–286 chuyển đổi phía lưới, 281–283, 282–283f thiết kế điều khiển dịng điện bên trong, mơ hình 276–278 DFIG, 272–275, 272f,275f pha, 14–15, 14f mơ hình hóa cơng suất phản kháng vịng hở, 281f hệ thống, 156–160, 156f hàm truyền, 280f dịng điện rơto vịng hở, 279f mơ hình vịng điều khiển tại, 157–159 mơ hình vịng điều khiển liên kết DC, 159–160, 164f,167f PQmơ hình vịng điều khiển, 159 ba pha, 15, 15f Biến tần DC/ AC cho hệ thống PV, 258–259, 259f ba pha, 158f Bộ chuyển đổi DC/DC, 18 bị cô lập, 22–25, 23f không bị cô lập, 18–22, 20f điều khiển miền thời gian điều khiển điện áp liên kết DC bản, 83–92, 164–165, 164 f DCM.Nhìn thấyChế độ dẫn khơng liên tục hàm truyền, 278f thiết kế điều khiển nguồn bên ngồi, 279–281 thơng số PI điều khiển nguồn, 280–281, 280t sơ đồ mạch vịng cơng suất phản kháng, 279f sơ đồ vịng dịng điện rơto, 278f chuyển đổi phía rơto kiểm sốt, 275–281, 277 f thơng số, 278t xác nhận mô phỏng, 289 điều khiển công suất trực tiếp, 289–290, 291 t,291f điều khiển vector, 289, 289t,290f khung quay đồng bộ, 273f điều khiển véc tơ (DCM) DFIG.Nhìn thấyMáy phát điện cảm ứng cấp nguồn kép (DFIG) Bộ điều khiển tích phân tỷ lệ kỹ thuật số, 214 Điều chế độ rộng xung kỹ thuật số, 35f Bộ chỉnh lưu điốt, 95–97, 95f toàn cầu, 95–96, 96f Bộ chuyển đổi ma trận trực tiếp, 179, 179f,184–189, 186f cấu hình mạch 179, 179f kỹ thuật điều chế của, 184–189, 186f,188f Điều khiển công suất trực tiếp (DPC), 62, 271–272 nguồn điện trở lại chuyển đổi, 275 DPC.Nhìn thấyĐiều khiển cơng suất trực tiếp (DPC) DSOGI-PLL.Nhìn thấyThứ tự kép vịng khóa pha tích hợp tổng qt (DSOGI-PLL) DTC.Nhìn thấyĐiều khiển mômen trực tiếp (DTC) Cầu chủ động kép (DAB), 25 Nửa cầu kép (DHB), 25 Pha tích hợp tổng qt bậc hai vịng lặp bị khóa (DSOGI-PLL), 126–131, 126–131f Mục lục373 Ma trận chu kỳ nhiệm vụ, 184 Thư viện liên kết động (DLL), 196 Pin nhiên liệu (FC), Bộ chuyển đổi toàn cầu, 24–25 Bộ chỉnh lưu tồn cầu, 97 E kiểm sốt, 104–109, 105t chỉnh lưu Cách ly điện, 22 Mơ hình điện tế bào quang điện, 247f Nhiễu điện từ (EMI), 22 phát thải, 5–6 Lực điện động (EMF), 301, 331–332 Cảm biến dựa mơ hình lực điện động kiểm sốt ổ đĩa PMSM Trình quan sát EMF ngược dựa thơng lượng hoạt động, 357–359, 359f lọc vectơ thích ứng, 363–365, 363f kết thí nghiệm, 367–368, 367–368 f nhiều AVF CFN, 365–366, 365f,367f lỗi ước tính vị trí sóng hài EMF ước tính, 361–362 diode, 95–96, 96f Bộ chuyển đổi nguồn toàn diện, 270, 270f Bộ chỉnh lưu tồn sóng, 7–8, 8f G Cuộn dây stato máy phát điện, 270 Nối lưới LCL-ba pha dựa lọc chuyển đổi, 207–209, 208f, 210f Hệ thống quang điện nối lưới, 156–157 Bộ chuyển đổi DC/AC pha nối lưới, 171t Điều khiển vòng lặp dòng điện lưới, 135f Cuộn cảm lưới, 207–209 Bộ chuyển đổi phía lưới, 273, 281–283, 282–283f, 289t thành phần hài hòa EMF mở rộng ước tính, 359–361, 361f Cấu trúc liên kết lai nổi, 22, 25 EMI.Nhìn thấyNăng lượng nhiễu điện từ (EMI) vịng vịng ngồi 7,5kW, 141f mơ hình tín hiệu nhỏ 122, 122f Đồng hóa lưới điện, 122–131 DSOGI-PLL, 126–131, 126–131f SRF- tiêu thụ, 243 tái tạo, 243 bền vững, 243 Vòng khóa pha nâng cao (EPLL), 111–112, 112f PLL, 123–126, 123–125f,131f Bộ chuyển đổi nối lưới phép biến đổi tọa độ vectơ khơng gian, 119–121, 120f mơ hình tốn học dướiabcthẩm quyền giải khung, 117–118 Điện trở nối tiếp tương đương (ESR), 69 mơ hình hóa phân tích tham số 117 F vòng dòng điện lưới 7,5kW, 136t cho Định luật cảm ứng điện từ Faraday, 301 FCS.Nhìn thấyBộ điều khiển hữu hạn (FCS) FCS-MPC Nhìn thấyMơ hình tập điều khiển hữu hạn kiểm sốt dự đoán (FCS-MPC) FFT, 236–238, 237f Điều khiển suy yếu trường, động cảm ứng nguyên tắc, 339–342, 342f tốc độ mạnh mẽ không cảm biến, 342–348, 343f Giảm chấn chủ động dựa lọc, 232–238 Bộ điều khiển hữu hạn (FCS), 33–34 Điều khiển dự đốn mơ hình tập điều khiển hữu hạn (FCS-MPC), 62–63 vòng điện áp 7,5kW, 138t mơ hình tín hiệu nhỏ dướidqkhung tham chiếu, 121–122 thơng số kỹ thuật 7,5kW, 140t mơ hình trung bình nhà nước theoabcthẩm quyền giải khung, 118–119 cấu trúc ba pha, 118f Biến tần nối lưới, 207–209, 208f,210f điều khiển, 208f Điện áp lưới, góc pha 122 H Định luật bàn tay trái Fleming, 301, 316–317 Điều Bộ chuyển đổi nửa cầu, 23f,24 Chỉnh lưu nửa sóng, khiển định hướng thông lượng (FOC), 274 Bộ 7, 7f Bộ chuyển đổi điện tử công suất chuyển mạch chuyển đổi Flyback, 23, 23f Tụ điện bay (FC), 18, cứng, 42 FOC.Nhìn thấyĐiều khiển định hướng thơng lượng (FOC) Bộ chuyển đổi chuyển tiếp, 23f,24 5–6 Kỹ thuật bù hài hịa, 11–12, 11f 374Mục lục Tiêm tín hiệu tần số cao ước tính, 332 điều khiển vector sơ đồ điều khiển trực tiếp, 306–310, 308f sơ đồ điều khiển gián tiếp, 310–312, 312f điều điều khiển không cần cảm biến truyền động PMSM, 350–356, 351f khiển vector, 176 điều khiển số điện áp/ thiết kế người quan sát vị trí, 353–355, tần số của, 305–306, 306f 354f kết thí nghiệm, 355–356, 355–358f nguyên tắc ước tính vị trí, 351–352 quy trình Cuộn cảm tín hiệu để thu Tương đương chuyển đổi, 207–209 lỗi ước tính vị trí, 352–353, 353f lưới, 207–209 Lý thuyết cơng suất tức thời, 160 Transistor Tín hiệu kiểm tra tần số cao, 332 lưỡng cực có cổng cách điện (IGBT), PFC phun dòng điện lai PFC, 12, 13f Cấu trúc liên kết lai, 22 Thủy điện, 244f Trình điều khiển tích hợp, 177 98–99 Nam châm vĩnh cửu bên (IPM), 318–319 Động đồng nam châm vĩnh cửu bên TƠI (IPMSM), 318–320f,319 ổ đĩa IGBT.Nhìn thấyTransistor lưỡng cực có cổng cách điện (IGBT) Khơng cảm biến dựa mơ hình EMF, Bộ chuyển đổi ma trận gián tiếp, 180–181, 180–181f, 359f dựa việc tiêm tín hiệu tần số cao 189–191, 189f không cảm biến, 351f cấu hình mạch của, 180–181, 180f kỹ thuật điều chế sơ đồ điều khiển hướng trường cảm biến, 355f cấu hình mạch, 189f điều chế giai người mẫu, 321–322 đoạn biến tần, điều chế giai đoạn điều khiển véc tơ không cảm biến tốc độ cho, điều khiển chỉnh lưu 191, 189–190, véc tơ 331–332 của, 325 190–191f cấu trúc liên kết của, 181f mơ hình điện áp biến tần 357 Xem thêm loại cụ thể Sản xuất tín hiệu AC bằng, 13f kẹp điểm trung tính, 17PWM so vớiSVM cho, 47 loại, 13–14, 13f Máy phát điện cảm ứng (IG), 269–271 Động cảm ứng (IM), 177, 301–315, 303f,331 nguyên lý quay, rôto 302– 305, 302, 302f điều khiển không cảm biến, vùng tốc độ cao kết thực nghiệm, nguyên lý điều IPM.Nhìn thấyNam châm vĩnh cửu bên (IPM) IPMSM.Nhìn thấyNam châm vĩnh cửu nội thất động đồng (IPMSM) Bộ chuyển khiển trường suy yếu 348–350, 339–342, 342f suy yếu trường không cảm biến tốc độ mạnh mẽ đổi DC-DC cách ly, 22–25, 23f Bộ chuyển đổi điện tử công suất cách ly, 3–4, 4f kiểm soát, 342–348, 343f,345f điều khiển không cảm biến, vùng tốc độ cực thấp nguyên tắc quan sát trật tự đầy đủ thích ứng, 332–334 K Luật hành Kirchhoff (KCL), 96–97, 117–118, 157, 247–248 kết thí nghiệm, 337–339, 338–339f phương pháp thiết kế đạt phản hồi mạnh mẽ, 334–337 điều kiện giới hạn, định luật điện áp 182 Kirchhoff (KVL), 117–118 điều kiện giới hạn, 181 ước tính tốc độ mạnh mẽ, 334–337 mô điều khiển cài đặt bản, 312–314, 313t,313f điều khiển vector trực tiếp, 314, 315f kiểm soát véc tơ gián tiếp, 314–315, 316f stato, 302 L LCL-bộ lọc, 207, 209 giảm xóc chủ động phản hồi dịng điện tụ điện, 228–229, mơ hình điện áp stato của, 339 mạch tương đương trạng thái ổn định của, 311f tốc độ đồng của, 305 228f,231, 231f bố trí thử nghiệm, 229t,230f kiểu phản hồi, 222–231, 223–225f Mục lục375 dựa lọc, 232–238 mạng dẫn đầu, 226–227f,227, 231 phương pháp thực hành, 222 MMF.Nhìn thấyĐộng lực Magneto (MMF) Bộ chuyển đổi đa cấp mô-đun (MMC), 42 Kỹ thuật điều chế, 34–50, 35f kỹ thuật PLC thông thường, 35–47 điều khiển dòng điện chuyển đổi nguồn điện áp với, 213–215 chuyển đổi ma trận trực tiếp, 184–189, 186f, 188f thiết kế của, 210–213 giảm chấn thụ động chuyển đổi ma trận gián tiếp thiết kế, 216–219, 216–219f ước tính tổn cấu hình mạch, 189f điều chế giai thất giảm chấn thụ động, đoạn biến tần, điều chế giai đoạn chỉnh lưu 191, 189–190, 219–221, 221t 190–191f điều khiển chế độ trượt cho chuyển đổi ba pha 222, 207–209 nối lưới, 208f,210f Điều chế độ rộng xung chuyển mức cho chuyển đổi nguồn DC/AC nguồn điện áp, 35, 36f,36–37t MPPT.Nhìn thấyĐiểm tối đa theo dõi sức mạnh Bộ điều khiển tuyến tính, điều chế độ rộng xung, 57f (MPPT) Độ rộng xung đa sóng mang điều chế, 42–44 Bộ lọc thơng thấp (LPF), 123 Cấu trúc liên kết biến tần Multicell ML, 18, 19f (LS-PWM), 42–44, 44f Lbộ lọc, 207 Bộ chuyển đổi DC-to-AC đa cấp, 15–18, 16f Bộ M chuyển đổi mô-đun đa cấp (MMC), 18 CFN Động lực Magneto (MMF), 302–305, nhiều AVF, 365–366, 365f,367f MATLAB®, 163, 249, 249f,262–264 Bộ N 304f chuyển đổi ma trận, 27, 27f cấu hình mạch 178 Kẹp điểm trung tính (NPC) biến tần, 17 trực tiếp, 179, 179f,184–189, 186f gián tiếp, 180–181, 180–181f,189–191, 189f chuyển mạch công tắc hai chiều, 193–194, 194–195f cấu hình trực tiếp, 192–193, 192f mạch kẹp, 193 lọc đầu vào, 192–193 chiến lược kiểm soát, 191–200 nguyên tắc bản, 175–177 lịch sử, 176 điện áp dịng điện đầu vào-đầu dạng sóng 199f phương trình tương tác cho điện áp đầu vào-đầu tại, 181–184, 182f dòng điện đầu của, 201f xu hướng nghiên cấu trúc liên kết, 17, 17f Phương pháp NewtonRaphson, 248–249, 251 Bộ chuyển đổi DC-to-DC không cách ly, 18–22, 20f Bộ chuyển đổi điện tử công suất khơng cách ly, 3–4, 4f Bộ lọc khía, 233–235, 233f,235–236f Hàm truyền vòng hở (OLTF), 333–334 Kỹ thuật điều chế độ rộng xung tối ưu, 47–50, 48f Dự đoán mơ hình trình tự chuyển đổi tối ưu kiểm sốt (OSS-MPC), 64, 65 f Bộ tạo tín hiệu trực giao (OSG), 155–156 cứu, 177 kết mơ cấu hình mạch sử dụng PSIM công cụ mô phỏng, 194–200, 195 f ba pha, 177–178 Theo dõi điểm công suất tối đa (MPPT), 244–245, 254–256, 255t,257f,260–261, 293 P Giảm chấn thụ độngLCL-lọc thiết kế, 216–219, 216–219f ước tính tổn thất giảm chấn thụ động, 219–221, 221t PD.Nhìn thấyMáy dị pha (PD); Bố trí pha Xe chiến đấu qn sự, 177 MMC.Nhìn thấy Bộ chuyển đổi mơ-đun đa cấp (MMC) (PD) P-DPC.Nhìn thấyĐiều khiển cơng suất trực tiếp dự đốn (P-DPC) 376Mục lục Máy phát đồng nam châm vĩnh cửu (PMSG), 270–272 Hệ thống quang điện, 5, 153–154 kiểm soát, 253–254 người mẫu, 292–293, 292–293f Bộ biến tần DC-AC cho 258–259, 259f theo hệ thống tuabin gió, 290–292 dõi điểm cơng suất tối đa, 254–256, xác thực mô phỏng, 294–295, 294–295t, 296f điều khiển véc tơ nguồn điện trở lại chuyển đổi, 293, 294f Động đồng nam châm vĩnh cửu (PMSM), 177, 315–316 phân loại, 318–320 truyền động, điều khiển khơng cảm biến.Nhìn thấykhơng cảm biến điều khiển bên truyền 255t,257f ví dụ vận hành, hệ thống chuyển đổi lượng 260–265, 254f Hệ thống chuyển đổi tăng cường nạp PV, 260–261f, 260t Hệ thống chuyển đổi PV-Fed DC-DC, 257–258 Bộ điều khiển PI.Nhìn thấyTỷ lệ tích phân (PI) điều khiển động PMSM, 318–319f,Mơ-men xoắn công cụ pidTuner, 163 đầu 319, nguyên lý quay 322, 316– PLL.Nhìn thấyVịng khóa pha (PLL) PMSG.Nhìn 320, 317f rôto của, 324f thấyĐồng nam châm vĩnh cửu mô của, 325–328, 325f,326t bề mặt, 318, 318f kiểm soát véc tơ, 321–325, 324 tiếp giáp bán dẫn pn, 247 POD.Nhìn thấy Ứng dụng bố trí ngược pha (POD) Điểm tải (POL), 20 f Phương pháp nhiễu loạn quan sát (P&O), Hệ thống chuyển đổi lượng máy phát điện (PMSG) kiểm soát véc tơ, 325–328, 327–328f gắn MPPT, 254–256, 257f,260–262 PFC.Nhìn thấyHiệu AC/AC, 178–179, 178f AC-DC-AC, 178f chỉnh hệ số công suất (PFC) Bộ chỉnh lưu thyristor trực tiếp, 178, 201–202 điều khiển pha, 97–98, gián tiếp, 178 98f Bộ dị pha (PD), 123 Bố trí pha (PD), 42– 44 Vịng khóa pha (PLL), 40–42, 122– 123, 156–157, 156f DSOGI-PLL, 126–131, 126–131f điều khiển Điều khiển chuyển đổi nguồn với điều biến nhúng, 63–65 mơ hình trình tự chuyển mạch tối ưu điều khiển dự đốn, điều khiển cơng suất trực tiếp dự đốn 64–65, điều khiển tuyến tính điều chế độ rộng xung 64, chuyển đổi AC/DC pha, 50–61, 51f 110–113, 111–112f khơng có điều biến, 61 SRF-PLL, 123–126, 123–125f,131f Bố trí ngược pha (POD), 42–44 Điều chế độ rộng xung chuyển pha (PS-PWM), 42–44, 43f Điốt quang, 247 Quá trình chuyển photon thành dịng điện tử, 247 Tế bào quang điện (PV), 243–244 cấu hình, 251–253 mơ hình điện của, 247f người mẫu, 247–251, 249f đặc điểm, 250f,252f cấu trúc kết nối vật lý, 252–253, 253f nguyên lý hoạt động, 245–246 lượng mặt trời, 244f Hiệu ứng quang điện, 243–244, 246–247, 246f Mô-đun quang điện, 244–245 tăng cường hệ thống chuyển đổi cung cấp bởi, 260f,260t đặc tính điện áp của, 255f điều khiển mơ-men xoắn trực tiếp/cơng suất trực tiếp kiểm sốt, 62 Điều khiển dự đốn mơ hình FCS, độ trễ 62–63, 61–62, 62f Điốt nguồn, 95 Điều khiển điện tử công suất phân loại, 32–34, 33f mục tiêu, 32 Bộ chuyển đổi điện tử công suất, 3, 94f,153, 244–245, 253–254, 254f,265–266 chuyển mạch cứng/chuyển mạch mềm, 5–6 không cách ly/cách ly, 3–4, 4f loại, 6–7, 6f cấp điện áp/cấp dòng điện, 4–5, 5f Bán dẫn điện tử công suất, 117 Hiệu chỉnh hệ số cơng suất (PFC) mạch điện, 8–9 bù sóng hài, 11–12, 11f pha, 9, 10f Mục lục377 chuyển cấp độ, 42–44, 44f Điều khiển chuyển đổi AC/DC, 102–104, 103f,103t điều khiển tuyến tính, thực kỹ thuật số, 57f ba pha, 10–12, 11f phương pháp, 176 Chất lượng điện năng, điều khiển PR 95–96, 102– điều biến, 213–214 103, 113–114.Nhìn thấyCộng hưởng tỷ lệ (PR) tối ưu, 47–50, 48f chuyển pha, 42–44, 43f chỉnh lưu, 94–95, 99–102, 99f vs.SVM cho biến tần, 47 đối xứng, 134, 134f đồng hóa, 57f điều khiển Điều khiển cơng suất trực tiếp dự đốn (P-DPC), 64 Bộ điều khiển tích phân tỷ lệ (PI), 52, 52f, 72f,73, 163 kế hoạch chống gió, 55, 55f thiết kế điều khiển vòng lặp dòng điện bên trong, 132–136, 133f vịng điện áp bên ngồi, 137–139, 137–138f tiêu chí thiết kế, 53–55 kỹ thuật, 94 tiêm trình tự 0, 41f Bộ chuyển đổi kéo đẩy, 23f,24 Hệ thống chuyển đổi PV-Fed DC-DC, 257–258, 258f triển khai kỹ thuật số, 56–58, 57f điều khiển dòng điện lưới, xác thực mô 131, 139– Hệ thống PV xạ mặt trời hình thang, 260–261, 262f 140 Bộ điều khiển cộng hưởng tỷ lệ (PR), 141, 163, 170 kPthiết kế, 142–144 xác nhận mô phỏng, 146–149, 147–148f, 150f xác minh lý thuyết, 144–146 kr thiết kế, 142–144 xác nhận mô phỏng, 146–149, 147–148f, 150f PWM.Nhìn thấyĐiều chế độ rộng xung (PWM) Q Bộ tạo tín hiệu cầu phương (QSG), 126 Đối xứng sóng phần tư (QW), 47 R Bộ chỉnh lưu Xem thêm loại cụ thể điốt, 95–97, 95f thyristor điều khiển pha, 97–98, 98f điều chế độ rộng xung, 94–95, 99–102, 99f xác minh lý thuyết, chức truyền điều khiển vòng hở 144–146 cách sử dụng, 142, 142f hàm truyền vòng hở sử dụng, 145f Công cụ mô PSIM, 194–200 Điều chế độ rộng xung (PWM), 34–35, 156–157 tương tự, 35f Năng lượng tái tạo, 243 Cơ cấu công suất điện tái tạo (2016), 244f Bộ điều khiển cộng hưởng, 55–56 triển khai kỹ thuật số, 56–58, 57 f pha, 60, 60f bất đối xứng, 134, 134f người vận chuyển, 213–214 kỹ thuật điều khiển xung dựa sóng mang Làm suy yếu trường không cảm biến tốc độ mạnh mẽ điều khiển, động cảm ứng, 342–348, 343f, PWM lưỡng cực đơn cực cho đơn biến tần pha, 37–39, 38f đa sóng mang cho VSI đa cấp, 345f Cánh quạt, 302, 302f phương trình điện áp sử dụng mơ hình tại, 42–44 309–310, 310f SVM cho biến tần ba pha đa cấp, 46–47, 46f SVM cho biến tần ba pha hai cấp, 44–46, 45t,45f ba pha hai cấp VSI, 39–42, 40–41f phân loại, 36f S SCR.Nhìn thấyBộ chỉnh lưu điều khiển silicon (SCR) Bộ tích hợp tổng quát bậc hai (SOGI), 103–104, 126, 126f Loại bỏ sóng hài chọn lọc-độ rộng xung đổi 35–37, 175 điều chế (SHE-PWM), 47–50 MPC loại bỏ sóng hài chọn lọc (SHE-MPC), 63–64 kỹ thuật số, 35f Chất bán dẫn, điện tử công suất, 117 phương pháp điều khiển, 18 kỹ thuật thông thường, chuyển 378Mục lục Điều khiển không cảm biến, động cảm ứng vùng tốc độ cao kết thực nghiệm, nguyên lý điều khiển trường suy yếu 348–350, 339–342, 342f suy yếu trường không cảm biến tốc độ mạnh mẽ kiểm soát, 342–348, 343f,345f vùng tốc độ cực thấp nguyên tắc quan sát trật tự đầy đủ thích ứng, 332–334 kết thí nghiệm, 337–339, 338–339f phương pháp thiết kế đạt phản hồi mạnh mẽ, 334–337 ước tính tốc độ mạnh mẽ, 334–337 Điều khiển không dùng cảm biến truyền động PMSM, EMFdựa mơ hình người quan sát EMF ngược dựa thông lượng hoạt động, 357–359, 359f lọc vectơ thích ứng, 363–365, 363f kết thí nghiệm, 367–368, 367–368 f nhiều AVF CFN, 365–366, 365f,367f lỗi ước tính vị trí sóng hài EMF ước tính, 361–362 thành phần hài hịa EMF mở rộng ước tính, 359–361, 361f Điều khiển không cần cảm biến truyền động PMSM, hiệu suất cao dựa tín hiệu tần số, 350– 356, 351f hiệu chỉnh hệ số công suất, 102–104, 103f, 103t người mẫu, 95–102 Bộ chỉnh lưu AC/DC pha, vịng kín hệ thống điều khiển tại, 106f Hệ thống điện xoay chiều pha, 100f Bộ chuyển đổi DC/AC pha, 14–15, 14f nối lưới, 171t với điều khiển PR, 171f Bộ chỉnh lưu diode pha, 7–8 Biến tần toàn cầu pha, 38f Biến tần pha, lưỡng cực đơn cực PWM cho, 37–39, 38f Hệ thống vịng khóa pha, 110, 111–112f Hiệu chỉnh hệ số công suất pha, 9, 10f dạng sóng, 9, 10f Bộ điều khiển dịng điện cộng hưởng pha, 60, 60f PV kết nối lưới hai pha pha hệ thống, 263f thông số 264t hiệu suất của, 265f Điều chế độ rộng xung hình sin (SPWM), 37 Điện áp đầu AC cho, 14f thông thường, 42 nguồn điện áp ba pha hai cấp biến tần, 40f Dạng sóng hình sin, 207 thiết kế người quan sát vị trí, 353–355, 354f Điều khiển chế độ trượt, choLCL-bộ lọc, 222 mơ kết thí nghiệm, 355–356, 355–358f ngun hình tín hiệu nhỏ tắc ước tính vị trí, 351–352 quy trình tín hiệu để chuyển đổi DC-DC tăng cường, 75– thu tín hiệu tương đương 79, 78f chuyển đổi DC-DC Buck, 69– lỗi ước tính vị trí, 352–353, 353f Vận hành khơng cảm biến động tái tạo, 358f tốc độ khơng, 357f SEPIC.Nhìn thấyCuộn cảm sơ cấp đầu chuyển đổi (SEPIC) 72 động, 121–122 chuyển đổi phía lưới, 122, 122f Điện tử công suất chuyển mạch mềm chuyển đổi, 5–6 Kỹ thuật chuyển mạch mềm, 5–6 SOGI.Nhìn thấyBộ tích phân tổng quát bậc hai Phương pháp dựa tín hiệu tiêm, 331–332 (SOGI) Bộ chỉnh lưu điều khiển silicon (SCR), 94 Năng lượng mặt trời, 243–244 Simulink®, 249–251 Tế bào quang điện mặt trời, 244f,245–246, Bộ chuyển đổi cuộn cảm sơ cấp đầu (SEPIC), 21 251–253 Mô hình quang điện mặt trời, 249, 250t Năng Bộ lọc cuộn cảm đơn, 118f Bộ lượng quang điện mặt trời, 253–254 chuyển đổi AC/DC pha Điều chế vectơ không gian (SVM), 40–42, 176 điều khiển điện áp đầu DC vịng kín hệ thống 108f kiểm sốt, 102 điều khiển chỉnh lưu tích cực tồn cầu, 104–109, 105t,106f,108–109f vịng khóa pha, 110–113, 111–112f cho biến tần ba pha đa cấp, 46–47, 46f cho biến tần ba pha hai cấp, 44–46, 45t Người quan sát thứ tự đầy đủ thích ứng tốc độ, 346, 346f Điều khiển vector không cảm biến tốc độ, 331