Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 64 (06/2021) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh 65 GIẢI THUẬT PWM CẢI TIẾN CHO NGHỊCH LƯU BA BẬC HÌNH T ĐỂ TĂNG HỆ SỐ TĂNG ÁP MODIFIED PWM STRATEGY FO[.]
Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 64 (06/2021) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh 65 GIẢI THUẬT PWM CẢI TIẾN CHO NGHỊCH LƯU BA BẬC HÌNH T ĐỂ TĂNG HỆ SỐ TĂNG ÁP MODIFIED PWM STRATEGY FOR THREE LEVEL T-TYPE INVERTER TO INCREASE BOOST FACTOR Đỗ Đức Trí 1, Trần Vĩnh Thanh , Nguyễn Phan Thanh , Chiêm Trọng Hiển Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh, Việt Nam Đại học Cơng nghiệp Thực phẩm, Thành phố Hồ Chí Minh, Việt Nam Ngày soạn nhận 9/4/2021, ngày phản biện đánh giá 4/5/2021, ngày chấp nhận đăng 11/5/2021 TÓM TẮT Trong báo này, giải thuật PWM cải tiến cho nghịch lưu tăng áp tựa khóa chuyển mạch hình T ba bậc (TL-MqSBT2I) để tăng hệ số tăng áp trình bày Trạng thái ngắn mạch (ST) chèn vào vector zero nhằm mục đích tăng áp mà khơng ảnh hưởng đến điện áp ngõ Phương pháp điều khiển xung ngắn mạch cải tiến tăng hệ số tăng áp lên đến 66.67% so với phương pháp điều khiển truyền thống chu kỳ đóng D0 0.15 Bằng cách kết hợp kỹ thuật ngắn mạch xen kẽ ngắn mạch đồng thời mạng nguồn kháng nghịch lưu hình T Nguyên lý hoạt động phương pháp điều khiển tổng quát cho cấu hình trình bày chi tiết Kết mơ thực phần mềm PSIM để chứng minh tính xác phương pháp Từ khóa: Nghịch lưu đa bậc; nguồn Z; Tăng áp tựa khóa chuyển mạch; Nghịch lưu hình T; Hệ số tăng áp cao ABSTRACT In this paper, a modified pulse-width modulation (PWM) strategy for the three-level quasi-switched boost T-type inverter (TL-MqSBT2I) to increase boost factor is presented The Shoot through (ST) state is inserted into zero vector in order not to affect the output voltage Modified shoot through pulse control method can increase boost factor up to 66.67% as compared to the traditional control method when the duty cycle D0 is 0.15 By combining the technique of alternating short-through and full short-through between impedance source network and T-Type inverter The operation principle and overall control strategy for this configuration are also detailed The simulation is implemented with the help of PSIM software to demonstrate the accuracy of this strategy Keywords: Multilevel inverter; Z Source; Quasi Switch Boost; T-Type inverter; High boost factor GIỚI THIỆU Ngày nay, ngành công nghiệp ứng dụng nguồn lượng tái tạo như: Năng lượng gió (wind), lượng mặt trời (Photovoltaic), pin nhiên liệu (fuel cell), nguồn công suất liên tục (uninterrupted power supply), việc tạo nguồn điện thân thiện với môi trường Các chuyển đổi lượng Doi: https://doi.org/10.54644/jte.64.2021.91 chiều (DC) thành điện xoay chiều (AC) đóng vai trị quan trọng cho trình chuyển đổi lượng tái tạo phục vụ cho hệ thống phân phối Bộ nghịch lưu nguồn áp (VSI) áp dụng phổ biến cấu hình nghịch lưu Tuy nhiên, nghịch lưu (VSI) có số nhược điểm điện áp hiệu dụng đầu nhỏ nguồn điện áp chiều đầu vào Vì vậy, nghịch lưu (VSI) hoạt 66 Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 64 (06/2021) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh động chế độ giảm áp (Buck) Khi nghịch lưu có yêu cầu hoạt động chế độ tăng-giảm áp, chuyển đổi DC-DC bổ sung ghép nối tiếp với nghịch lưu truyền thống để tăng điện áp đầu từ điện áp chiều đầu vào thấp, việc chuyển đổi hình thành chuyển đổi cơng suất hai chặng [1], [2] Trong [3] hai chuyển đổi miniboost nối tiếp với nghịch lưu truyền thống với mục đích nâng cao hiệu suất Tuy vậy, nghịch lưu hai chặng truyền thống hoạt động trạng thái ngắn mạch (trạng thái hai khóa cơng suất nhánh dẫn thời gian) Để tránh tượng ngắn mạch, deadtime tăng cường để đảm bảo không bị trùng dẫn Việc tăng cường deadtime gia tăng chi phí kích thước chuyển đổi tăng méo dạng sóng hài tổng (THD) ảnh hưởng đến chất lượng đầu chuyển đổi Nghịch lưu nguồn Z (ZSI) gọi nghịch lưu chặng đề xuất vào năm 2003 nhà khoa học Fang Z Peng Nghịch lưu nguồn Z với khả hoạt động tăng-giảm áp giải vấn đề ngắn mạch tồn cấu hình hai chặng truyền thống [4] Tuy nhiên, cấu hình nghịch lưu nguồn Z tồn số bất lợi: Dòng điện ngõ vào khởi động cao, điện áp đặt tụ điện lớn dịng điện đầu vào khơng liên tục Để giải vấn bất lợi vừa đề cập, nghịch lưu tựa nguồn Z (qZSI) đề xuất [5]-[7] Các cấu hình sử dụng phần tử cơng suất thụ động L, C giống nghịch lưu nguồn Z khác cách ghép Các nghịch lưu tựa nguồn Z không thừa hưởng thuận lợi nghịch lưu truyền thống mà có khả hoạt động chế độ tăng-giảm áp, chế độ ngắn mạch cải thiện dòng điện ngõ vào liên tục Phương pháp điều chế vector không gian đề xuất để giảm điện áp common mode (CMV) cấu hình tựa nguồn Z [6], [7] Tuy nhiên, nghiên cứu ảnh hưởng đến cân điểm trung tính, để giải cân điểm trung tính nhà nghiên cứu tăng cường vector nhỏ phụ vào chuỗi xung truyền thống Điều ảnh hưởng đến việc tính tốn phức tạp Ngồi ra, việc sử dụng hai mạng tựa nguồn Z để đối xứng gia tăng số lượng phần tử công suất thụ động dẫn đến gia tăng kích thước trọng lượng hệ thống Để giảm kích thước trọng lượng nghịch lưu nguồn Z nghịch lưu tựa nguồn Z, nghịch lưu tăng áp tựa khóa chuyển mạch (qSBI) trình bày [8] Với cấu hình sử dụng khóa điều khiển cơng suất, điều giúp khả điều khiển linh hoạt Để tạo điện áp đầu ba bậc cấu hình đề xuất cách ghép hai mạng nguồn kháng nối tiếp với nghịch lưu ba bậc NPC trình bày [9] Kết quả, nghịch lưu [9] giảm phần lớn phần tử thụ động công suất điện áp đặt phần tử công suất Tuy vậy, báo [9] sử dụng khóa công suất Trong báo nghịch lưu tăng áp tựa khóa chuyển mạch hình T ba bậc (3L-qSBT2I) [10] cải thiện độ gợn dòng điện cuộn dây tăng áp so với báo [9], báo [9] sử dụng phương pháp chèn xung ngắn mạch đồng thời dẫn đến độ gợn dòng điện cuộn dây tăng áp cao Ngoài ra, báo [10] cải thiện độ lợi điện áp cao so với báo [9] Để hoạt động chế độ hở mạch khóa cơng suất mạng nguồn kháng nghịch lưu hình T trình bày báo [11] Ngồi khả hở mạch khóa cơng suất, báo [11] trì thuận lợi báo [10] Trong báo này, phương pháp chèn xung ngắn mạch giúp hệ thống tăng cường hệ số tăng áp (B) mà giữ nguyên thuận lợi báo [10] giảm độ gợn dòng điện, độ lợi điện áp cao giảm điện áp đặt phần tử công suất Trạng thái ổn định, nguyên lý hoạt động giải thuật chèn xung ngắn mạch cho cấu hình nghịch lưu tăng áp tựa khóa chuyển mạch hình T ba bậc phân tích kết mơ phần mềm PSIM thực để kiểm chứng sở lý thuyết Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 64 (06/2021) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh CẤU HÌNH NGHỊCH LƯU TĂNG ÁP TỰA KHĨA CHUYỂN MẠCH HÌNH T BA BẬC VST Vcon -Vcon -VST -1 S1a S2a=S3a S4a D1 T1 LB C1 P S1a S2a T1 D2 D3 T2 D4 N TẢI S3c S2c S4b S4a S4c Nghịch lưu tăng áp tựa khóa chuyển mạch hình T ba bậc (3L qSBT2I) kết hợp hai chặng mạng nguồn kháng (qSB) nghịch lưu bậc hình T truyền thống Mạng nguồn kháng (qSB) gồm có cuộn cảm (LB), tụ điện (C1, C2) diode (D1, D2, D3, D4), chúng kết nối với để tạo điểm (O) Điểm hai đầu mạng qSB (P, N) cung cấp lượng cho mạch nghịch lưu bậc hình T truyền thống gồm nhánh (pha a, b, c), nhánh gồm IGBT Trong đó, khóa hai chiều cấu tạo IGBT mắc ngược chiều trình bày Hình iL Vdc T1 D1 +Vc iL C1 D2 O D3 C2 T2 D4 LB Vdc T1 (a) LB iL Vdc Li iL D2 C1 O D3 C2 T2 -Vc +Vc D1 Vdc D4 D1 +Vc D2 C1 O D3 C2 T2 D4 (d) D1P +Vc D2P CP O D2N CN D1N -Vc (c) D1 LB T1 iL D2 C1 O D3 C2 Vdc -Vc T1 T2 -Vc (b) T1 -vref_a t Trạng thái ngắn mạch t t D0T/2 t D0T/2 T2 t t2 t1 t t4 t6 t8 t10 t12 t3 t5 t7 t9 t11 Hình Phương pháp điều khiển SPWM cải tiến cho pha A Hình Cấu trúc ba bậc qSBT2I LB vcar1 vcar2 T2 S3b C2 vref_a S2b S3a O Vdc S1c S1b T 67 D4 (e) Hình Nguyên lý hoạt động 3L qSBT2I (a) trạng thái NST1, (b) trạng thái NST2, (c) trạng thái NST3, (d) trạng thái NST4, (e) trạng thái ST Với cấu trúc bậc, nghịch lưu hình T có khả tạo cấp điện áp ngõ cách kích đóng khóa S1x (x = a, b, c) điện áp VXO đạt giá trị +VC Điện áp VXO đạt giá trị khóa S2x, S3x kích đóng Tương tự, điện áp VXO đạt giá trị –VC cách kích đóng S4x 2.1 Ngun lý hoạt động Cấu hình 3L-MqSBT2I-HB có hai trạng thái chuyển mạch “Khơng ngắn mạch (NST)” “Ngắn mạch (ST)” Hình trình bày trạng thái hoạt động 3L-MqSBT2I-HB 2.1.1 Trạng thái không ngắn mạch Trạng thái NST 1: (t1 đến t2 t3 đến t4) khóa T1 kích đóng khóa T2 kích ngắt biểu diễn Hình 2(a) Kết diode D1 phân cực ngược Trong diode D2, D3, D4 phân cực thuận Năng lượng tích trữ cuộn dây LB nguồn điện ngõ vào Vdc nạp cho tụ điện C2, tụ điện C1 xả lượng Mạch nghịch lưu làm việc mạch nghịch lưu hình T truyền thống đại diện nguồn dịng Hình 2(a) Điện áp đặt cuộn dây LB xác định sau: VLB = Vdc − VC1 (1) Trạng thái NST 2: (t7 đến t8 t9 đến t10) khóa T1 kích ngắt khóa T2 kích đóng biểu diễn Hình 2(b) Kết diode D4 phân cực ngược Trong diode D1, D2, D3 phân cực thuận Năng lượng tích trữ 68 Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 64 (06/2021) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh cuộn dây LB nguồn điện ngõ vào Vdc nạp cho tụ điện C1, tụ điện C2 xả lượng Phía nghịch lưu đại diện nguồn dịng Hình 2(b) Điện áp đặt cuộn dây LB xác định sau: VLB = Vdc − VC2 (2) Trạng thái NST 3: (t0 đến t1, t4 đến t5, t6 đến t7 t10 đến t11) khóa T1 T2 kích ngắt biểu diễn Hình 2(c) Kết diode D1, D2, D3 D4 phân cực thuận Năng lượng tích trữ cuộn dây LB nguồn điện ngõ vào Vdc nạp cho tụ điện C1 C2 Phía nghịch lưu đại diện nguồn dịng Hình 2(c) Điện áp đặt cuộn dây LB xác định sau: VLB = Vdc − VC1 − VC2 (3) Trạng thái NST 4: (t2 đến t3 t8 đến t9) khóa T1 T2 kích đóng đồng thời, biểu diễn Hình 2(d) Kết diode D1 D4 phân cực ngược diode D2 D3 phân cực thuận Năng lượng nguồn cung cấp nạp cho cuộn dây LB Năng lượng tích trữ tụ điện C1 C2 cung cấp lượng cho mạch nghịch lưu Phía nghịch lưu đại diện nguồn dịng Hình 2(d) Điện áp đặt cuộn dây LB biểu diễn sau: VLB = Vdc (4) D0 + M (6) 2.2 Phân tích trạng thái ổn định Thời gian tác dụng trạng thái NST4 ST chu kỳ sóng mang D0T Trong trạng thái NST1 NST2 tạo khoảng thời gian dT/2 Có thể xác định thời gian tồn trạng thái NST3 (1 – D0 – d)T Mối liên hệ hệ số d tỉ số ngắn mạch D0 biểu diễn sau: D0 d − D0 (7) Với d chu kỳ ngắn mạch mạng nguồn kháng, D0 chu kỳ ngắn mạch mạng nguồn kháng nghịch lưu hình T (Trong báo [10] D0 ngắn mạch cho nghịch lưu hình T) Với giả thuyết điện dung tụ điện đủ lớn để điện áp đặt tụ xem số, áp dụng tính chất cân điện áp cuộn dây, xác định điện áp DC-link 3L-MqSBT2I-HB sau: VPN = 2VC = 2Vdc − 5D0 − d (8) Khi đó, giá trị hiệu dụng điện áp ngõ tải xác định sau: 2.1.2 Trạng thái ngắn mạch: (t5 đến t6 t11 đến t12) Khóa T1 T2 kích đóng đồng thời với tất khóa bên phía nghịch lưu hình T, S1x-S4x biểu diễn hình 2(e) Kết diode D1, D2, D3 D4 bị phân cực ngược Năng lượng tích trữ cuộn dây LB nguồn điện ngõ vào Vdc nạp cho tụ điện C1 C2 Điện áp đặt cuộn dây LB biểu diễn sau: VLB = Vdc + VC1 + VC điện áp tham chiếu xác định số điều chế M Dựa vào giản đồ xung Hình 3, xác định mối liên hệ hệ số ngắn mạch (D0) số điều chế M sau: (5) Lưu ý để không gây méo dạng điện áp ngõ nghịch lưu giá trị VST không nhỏ giá trị đỉnh điện áp tham chiếu Vx (x = a, b, c) Giá trị lớn Vx , RMS = M VC M Vdc = 2 ( − 5D0 − d ) (9) Với M số điều chế phần nghịch lưu Hệ số tăng áp (B) xác định sau: B= VPN = Vdc − 5D0 − d (10) Như trình bày Hình 3, số điện áp Vcon số điện áp -Vcon thay đổi từ [1-VST, VST] đến [-VST, VST-1] Do d thay đổi từ D0 đến 1-D0 sau: D0 d − D0 (11) Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 64 (06/2021) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh Khi d=D0 hệ số tăng áp nhỏ giải thuật đề nghị xác định: Bmin = 1/ (1 − 3D0 ) (12) Khi d=1-D0 hệ số tăng áp lớn giải thuật đề nghị xác định: Bmax = / (1 − 6D0 ) (13) Hình trình bày kết so sánh hệ số tăng áp phương pháp đề nghị phương pháp [10] Cả hai phương pháp so sánh với hệ số tăng áp nhỏ (màu xanh dương màu xanh lá) tăng áp lớn (màu đỏ màu hồng) Có thể thấy hai trường hợp tăng áp nhỏ tăng áp lớn nhất, phương pháp đề xuất có hệ số tăng áp cao phương pháp [10] Hệ số tăng áp, B 10 Bảng Các thông số mô thực nghiệm nghịch lưu Thông số thành phần Giá trị Điện áp ngõ vào Vg 90 - 180V Điện áp ngõ Vo 110V Tần số ngõ fo 50 Hz Tần số sóng mang fs Phương pháp [10] Phương pháp đề nghị kHz Tỉ số ngắn mạch phụ mạng nguồn d kháng 0.15-0.85 Tỉ số ngắn mạch D0 0.18 Tỉ số điều chế M 0.82 Điện cảm L 3mH Tụ điện C2 = C3 2200 F Lf Cf mH 10 F Rt 40 Ω Mạch lọc LC 69 Tải trở 0 0.05 0.1 0.15 Tỷ số ngắn mạch, D0 0.2 Hình So sánh hệ số tăng áp phương pháp đề nghị phương pháp [10] KẾT QUẢ MƠ PHỎNG Nhóm nghiên cứu tiến hành mô hỗ trợ phần mềm PSIM với thơng số Bảng Hình trình bày kết mơ cho cấu hình 3L-MqSBT2I-HB Vdc = 180 V d = 0.18 Từ xuống dưới: điện áp pha ngõ VAG, điện áp pha so với trung tính nguồn VAO, điện áp dây ngõ VAB, dòng điện tải IA, dòng điện ngõ vào IL tần số cao, điện áp ngõ vào Vdc, điện áp tụ điện C1 C2 Hình Kết mơ cho cấu hình 3L-MqSBT2I-HB Vdc = 180 V d = 0.18 70 Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 64 (06/2021) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh Hình Kết mơ cho cấu hình 3L-MqSBT2I-HB Vdc = 90 V d = 0.63 Hình Kết mơ dạng sóng tín hiệu điều khiển cho khóa cơng suất mạng nguồn kháng (VT1, VT2), điện áp Diode (VD1 VD2), điện áp DC-link (VPN) dòng điện ngõ vào (IL) Vdc = 180 V d = 0.18 Như trình bày Hình điện áp tụ C1 C2 tăng áp lên 195 V 195 V từ điện áp ngõ vào 180 V Điện áp DC-link mô đạt 390 V Tần số hoạt động cuộn dây LB 20 kHz Điện áp pha so với tâm nguồn (VA0) có điện áp 195 V, -195 V Dòng điện ngõ liên tục Hình Tín hiệu điều khiển cực cổng T1 T2, điện áp diode D1 D4, điện áp DC-link, dòng điện cuộn dây tăng áp tần số thấp Hình thấy rằng, điện áp VPN đo 390 V, dòng điện cuộn dây tăng áp đo 5.44 A Như trình bày Hình Hình 8, dịng điện cuộn dây tăng suốt chu kỳ ngắn mạch trạng thái không ngắn mạch (NST3), hai khóa T1 T2 kích đóng đồng thời Hình Kết mơ dạng sóng tín hiệu điều khiển cho khóa cơng suất mạng nguồn kháng (VT1, VT2), điện áp Diode (VD1 VD2), điện áp DC-link (VPN) dòng điện ngõ vào (IL) Vdc = 90 V d = 0.63 Hình trình bày kết mơ cho cấu hình 3L-MqSBT2I-HB Vdc = 90 V d = 0.63 Từ xuống dưới: điện áp pha ngõ VAG, điện áp pha so với trung tính nguồn VAO, điện áp dây ngõ VAB, dịng Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 64 (06/2021) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh điện tải IA, dịng điện ngõ vào IL tần số cao, điện áp ngõ vào Vdc, điện áp tụ điện C1 C2 Như trình bày Hình điện áp tụ C1 C2 tăng áp lên 195 V 195 V từ điện áp ngõ vào 90 V Điện áp DC-link mô đạt 390 V Tần số hoạt động cuộn dây LB 20 kHz Điện áp pha so với tâm nguồn (VA0) có ba bậc 195 V, -195 V Dòng điện ngõ liên tục Hình thấy rằng, Từ xuống dưới, Tín hiệu điều khiển hai khóa công suất mạng nguồn kháng VT1, VT2, điện áp đặt Diode D1, D2, điện áp VPN dòng điện cuộn dây tăng áp Giá trị đỉnh VPN đo 390 V, dịng điện trung bình cuộn dây tăng áp đo 9.98 A, độ gợn dòng điện đạt A KẾT LUẬN Bài báo trình bày mạng nguồn kháng qSB kết nối với nghịch lưu ba bậc hình T Bên cạnh tính tăng, giảm áp (Buck-Boost) đa bậc Với giải thuật trình bày, cấu hình 3L-MqSBT2I cịn có khả tăng hệ số tăng áp lên đến 66.67% so với báo [10] chu kỳ đóng D0 0.15 áp dụng giải thuật tăng áp lớn 71 Nguyên lý hoạt động kết mơ cho cấu hình 3L-MqSBT2I-HB phân tích phù hợp với sở lý thuyết Cấu hình giải thuật cho 3L-MqSBT2I-HB phù hợp với ứng dụng cơng suất trung bình nhỏ như: hệ thống PV, pin nhiên liệu động LỜI CẢM ƠN Bài báo thực phịng thí nghiệm điện tử công suất nâng cao D405 với hổ trợ dự án CT2019.04.03 Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh DANH MỤC TỪ VIẾT TẮT 3L Three level PWM Pulse Width Modulation qSB Quasi-Z-Source qZSI Quasi-Z-Source Inverter SPWM Sine Pulse Width Modulation T2 I T-Type inverter ST Shoot Through NST Non Shoot Through TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] [2] [3] [4] [5] [6] D Meneses, F Blaabjerg, O García, and J A Cobos, ‘‘Review and comparison of step-up transformerless topologies for photovoltaic AC-module application,’’ IEEE Trans Power Electron., vol 28, no 6, pp 2649–2663, Jun 2013 S Kouro, J I Leon, D Vinnikov, and L G Franquelo, ‘‘Grid- connected photovoltaic systems: An overview of recent research and emerging PV converter technology,’’ IEEE Ind Electron Mag., vol 9, no 1, pp 47–61, Mar 2015 E Serban, F Paz, and M Ordonez, ‘‘Improved PV inverter operating range using a miniboost,’’ IEEE Trans Power Electron., vol 32, no 11, pp 8470–8485, Nov 2017 F Z Peng, ‘‘Z-source inverter,’’ IEEE Trans Ind Appl., vol 39, no 2, pp 504–510, Mar./Apr 2003 V F Pires, A Cordeiro, D Foito, and J F Martins, “Quasi-z-Source Inverter with a T-Type Converter in Normal and Failure Mode,” IEEE Trans Power Electron., vol 31, no 11, pp 7462–7470, Nov 2016 C Qin, C Zhang, A Chen, X Xing, and G Zhang, “A Space Vector Modulation Scheme of the Quasi-Z-Source Three-Level T-Type Inverter for Common-Mode Voltage Reduction,” IEEE Trans Ind Electron., vol 65, no 10, pp 8340–8350, Oct 2018 72 Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 64 (06/2021) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh C Qin, C Zhang, X Xing, X Li, A Chen, G Zhang, “Simultaneous Common-Mode Voltage Reduction and Neutral-Point Voltage Balance Scheme for the Quasi-Z-Source Three-Level T-Type Inverter,” IEEE Trans Ind Electron., vol 67, no 3, pp 1956-1967, Mar 2020 [8] M.-K Nguyen, T.-V Le, S.-J Park, and Y.-C Lim, ‘‘A class of quasiswitched boost inverters,’’ IEEE Trans Ind Electron., vol 62, no 3, pp 1526–1536, Mar 2015 [9] M Sahoo and S Keerthipati, “A Three-Level LC-Switching-Based Voltage Boost NPC Inverter,” IEEE Trans Ind Electron., vol 64, no 4, pp 2876-2883, Apr 2017 [10] Do, D T.; Nguyen M K Three-Level Quasi-Switched Boost T-Type Inverter: Analysis, PWM Control, and Verification, IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2018, 65, 10, 8320–8329 [11] Do, D T.; Nguyen, M K.; Quach, T H.; Tran, V T.; Blaabjerg, F.; Vilathgamuwa, M A PWM Scheme for a Fault-Tolerant Three-Level Quasi-Switched Boost T-Type Inverter, IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, 2019 [7] Tác giả chịu trách nhiệm viết: Đỗ Đức Trí Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Tp.HCM Email: tridd@hcmute.edu.vn