chng_1_bi_ging_chi_tit

tiep xuc pn

ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT Là một chuyên ngành của kỹ thuật điện tử, nghiên cứu ứng dụng các phần tử bán dẫn công suất trong các bộ biến đổi và khống chế nguồn năng lượng điện. Điện tử công suất (điện tử dòng điện mạnh) với đặc điểm chủ yếu là chuyển mạch (đóng - cắt) dòng điện lớn, điện áp cao, làm thay đổi độ lớn, tần số, dạng sóng dòng công suất. Công suất đầu ra được biến đổi về độ lớn, tần số, dạng sóng so với công suất đầu vào. Tín hiệu đóng vai trò điều khiển dòng công suất Điện tử công suất đóng vai trò cực kỳ quan trọng trong kỹ thuật hiện đại, làm thay đổi tận gốc rễ kỹ thuật truyền động điện, trong sản xuất, truyền tải và phân phối điện. Các phần tử bán dẫn công suất điển hình được dùng trong các bộ biến đổi công suất : Diode công suất, tiristor công suất SCR (Silicon Controlled Rectifier), tiristor khoá bằng cực điều khiển GTO (Gate Turn off Tiristor), transistor lưỡng cực công suất BJT (Bipolar Junction Transistor), transistor trường công suất FET (Field Effect Transistor), transistor lưỡng cực cổng cách ly IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), TRIAC (Triode Alternative Current), tiristor điều khiển bằng MOSFET MCT (Mosfet Controlled Tiristor), linh kiện cảm ứng tĩnh điện SID (Static Induction Device). Các đặc tính cơ bản của các phần tử bán dẫn công suất : 1. Diode công suất : có dòng điện định mức tới 5000A, điện áp định mức tới 10kV , thời gian chuyển mạch nhanh nhất tới 20ns. Chủ yếu được dùng trong chỉnh lưu, biến đổi DC-DC. 2. Transistor lưỡng cực công suất BJT: dẫn dòng một chiều khi có dòng bazơ thích hợp. Dòng điện định mức 0,5-500A và lớn hơn, điện áp định mức tới 1200V, thời gian chuyển mạch từ 0,5-100µs. Chức năng chủ yếu là biến đổi DC-DC, phối hợp với diode trong nghịch lưu. BJT đang được thay thế bởi FET và IGBT. 3. Transistor trường công suất FET: dẫn dòng điện máng (Drain) khi có điện áp cổng thích hợp. Dòng điện định mức 1 – 100A, điện áp định mức 30-1000V, thời gian chuyển mạch rất nhanh 50-200ns. Chức năng chủ yếu là biến đổi DC-DC và nghịch lưu. 4. Transistor lưỡng cực cổng cách điện IGBT: là FET đặc biệt có chức năng của BJT và điều khiển cổng bằng FET. Nhờ vậy IGBT nhanh hơn và dễ sử dụng hơn BJT khi cùng công suất. Dòng điện định mức 10-600A, điện áp định mức 600-1700V. Được sử dụng chủ yếu trong nghịch lưu công suất từ 1-100KW. 5. Tiristor (Thyristor): dẫn điện tương tự như diode sau khi nhận được xung mồi thích hợp và trở về trạng thái bị khoá khi dòng điện bằng không. Sau khi đã dẫn, cực điều khiển không còn tác dụng nữa. Dòng điện định mức 10-5000A, điện áp định mức 200V-6kV, thời gian chuyển mạch 1-200µs. Là linh kiện điện tử công suất chủ yếu, được ứng dụng rộng rãi trong mọi lĩnh vực của điện tử công suất. 6. Tiristor khoá bằng cực điều khiển GTO: là tiristor đặc biệt có thể khóa được bằng cách đặt xung âm vào cực điều khiển. Thay thế cho các BJT trong các ứng dụng đòi hỏi công suất lớn. Các đại lượng định mức tương tự như tiristor và được ứng dụng trong các bộ nghịch lưu trên 100KW. 7. TRIAC: là linh kiện phối hợp hai tiristor nối song song ngược và chỉ có một cực điều khiển. Dòng điện định mức 2-50A, điện áp định mức 200-800V. Ứng dụng chủ yếu trong các bộ biến đổi điện áp xoay chiều, điều khiển đèn, thiết bị điện gia dụng. 8. Tiristor điều khiển bằng MOSFET MCT: là tiristor đặc biệt có chức năng của GTO nhưng điều khiển bằng FET vì thế nhanh và dễ sử dụng hơn GTO. 9. Linh kiện cảm ứng tĩnh SID: là linh kiện được chuyển mạch bằng cách điều khiển hàng rào thế ở cổng. Công suất 100KW ở tần số 100kHZ. Ưu điểm chủ yếu là có tốc độ chuyển mạch cao, điện áp ngược lớn, điện áp rơi thuận rất nhỏ Tính năng của các phần tử bán dẫn công suất chủ yếu cho trong bảng sau: 1 Linh kiện Năm xuất hiện U đm (kV) I đm (kA) f (kHZ) P (MW) Điện áp rơi (V) Tiristor 1957 6 35 0,5 100 1,5-2,5 TRIAC 1958 1 0,1 0,5 0,1 1,5-2 GTO 1962 4,5 3 2 10 3-4 BJT 1960 1,2 0,8 10 1 1,5-3 MOSFET 1976 0,5 0,05 1000 0,1 3-4 IGBT 1983 1,2 0,4 20 0,1 3-4 SID 1976 1,2 0,3 100 0,01 2-4 MCT 1988 3 2 20-100 10 1-2 Các bộ biến đổi điện tử công suất gồm các linh kiện điện tử công suất nằm trong mạch động lực và các mạch điều khiển nhằm biến đổi dòng điện, điện áp và tần số dòng công suất gồm có : 1. Bộ chỉnh lưu: Biến đổi dòng điện xoay chiều thành dòng một chiều AC-DC. 2. Bộ nghịch lưu: Biến đổi dòng một chiều thành dòng xoay chiều DC-AC. 3. Bộ băm: Biến đổi điện áp một chiều thành điện áp một chiều DC-DC. 4. Bộ điều áp xoay chiều: Biến đổi điện áp xoay chiều thành địên áp xoay chiều tần số không đổi AC-AC 5. Bộ biến tần: Biến đổi dòng điện xoay chiều về tần số và điện áp AC-AC. Bộ chỉnh lưu Bộ nghịch lưu Bộ biến tần Bộ băm Môn học điện tử công suất nghiên cứu: - Ứng dụng phần tử bán dẫn công suất trong năng lượng điện. - Mạch điện tử điều khiển các phần tử bán dẫn công suất. Ưu điểm của các phần tử bán dẫn công suất: - Đóng cắt dòng điện không gây ra tia lửa điện. - Không bị mài mòn theo thời gian. - Được điều khiển bởi các tín hiệu công suất nhỏ. - Hiệu suất biến đổi điện năng cao. - Cung cấp cho phụ tải được nguồn năng lượng theo yêu cầu. - Đáp ứng nhanh. 2 Đại lượng một chiều U 1 , I 1 Đại lượng xoay chiều u 1 , f 1 Đại lượng xoay chiều u 2 , f 2 Đại lượng một chiều U 2 , I 2 Chương1. CÁC PHẦN TỬ BÁN DẪN CÔNG SUẤT 1.1. MẶT GHÉP P-N - Chất bán dẫn điện chiếm vị trí trung gian giữa chất dẫn điện và chất cách điện, điện trở suất của chúng nằm trong khoảng 10 -6 - 10 8 Ωm. Trong kỹ thuật chất bán dẫn công suất, người ta dùng các nguyên tố hóa học trong nhóm 4 của bảng tuần hoàn các nguyên tố. Chúng là Silic Si và Giéc ma ni Ge được đặc trưng bởi cấu trúc tinh thể. - Trên tinh thể Si người ta khuếch tán một lượng nhất định các nguyên tử thuộc nhóm 5 ( Phốt pho P hoặc Antimoan Sb : có 5 điện tử lớp ngoài cùng ) người ta tạo ra được lớp bán dẫn kiểu n. Lớp bán dẫn kiểu n có đặc điểm trong cấu trúc mạng tinh thể sẽ có những nút bị thừa ra 1 điện tử, nghĩa là lớp n sẽ giàu các e tự do. - Trên tinh thể Si người ta khuếch tán lượng nhất định các nguyên tử thuộc nhóm 3 ( Nhôm Al, Bo B, và Gali Ga : có 3 điện tử lớp ngoài cùng ) dưới nhiệt độ và áp suất thích hợp sẽ được lớp bán dẫn kiểu p. Lớp bán dẫn kiểu p có đặc điểm trong cấu trúc mạng tinh thể sẽ có những nút bị thiếu một điện tử tạo nên những iôn dương và những vùng điện tích dương. - Khi sử dụng công nghệ khuếch tán tạo lớp bán dẫn p và n trên cùng 1 tinh thể Si sao cho lớp p và lớp n kề nhau ta được một tiếp giáp p-n. - Ở nhiệt độ môi trường do chuyển động nhiệt các điện tử tự do vùng n sẽ khuếch tán sang vùng p và bị trung hoà bởi các iôn (+). Như vậy các điện tích vùng tiếp giáp tự trung hoà lẫn nhau làm cho vùng này trở nên nghèo điện tích và điện trở vùng tiếp giáp tăng cao. Tuy nhiên, vùng nghèo điện tích này chỉ có độ rộng nhất định. - Khi e vùng n chuyển sang vùng p nó sẽ làm cho vùng n có một khối điện tích không gian dương. - Vùng p sẽ có một điện tích không gian âm Vùng –h ÷ h gọi là vùng chuyển tiếp. Vùng này có điện trở rất lớn. Trong vùng chuyển tiếp hình thành một điện trường nội tại có chiều từ n → p. Điện trường này ngăn cản các điện tử vùng n sang p và các iôn (+) sang n. Do đó vùng –h ÷ h chỉ mở rộng nhất định 0,01 ÷ 0,1mm. Điện trường này cỡ 0,65V với Si ở 25 0 C. 0,3V với Ge Sự phân cực của mặt ghép p-n a) Sự phân cực thuận: P N Ei R E 3 -h +h0 Hình 1.1 Hàng rào thế Hình 1.2 Cấu trúc mặt ghép pn n p + + + - - - n Ei p n Khi mặt nghép p-n được đặt dưới điện áp có cực tính như hình vẽ, chiều điện trường ngoài sẽ ngược với chiều điện trường nội tại Ei. Do vậy, vùng nghèo điện tích bị thu hẹp lại. Nếu E>Ei vùng nghèo điện tích bằng 0 và các điện tích có thể di chuyển tự do qua mặt ghép p-n. b) Sự phân cực ngược: Khi điện trường ngoài cùng chiều với điện trường nội tại Ei. Điện trường tổng Et sẽ cùng chiều và lớn hơn Ei, do đó nó ngăn cản chiều chuyển động của các điện tích đa số làm rộng thêm vùng chuyển tiếp, điện tử của vùng tiếp giáp p-n tăng làm cho dòng điện không chạy qua. 1.2. DIODE CÔNG SUẤT Diode công suất do hai mặt ghép p-n ghép thành, diện tích mặt ghép tỉ lệ với dòng điện cho phép qua diode. Trung bình mật độ dòng cỡ 10A/mm 2 . Nhiệt độ mặt ghép cho phép: 200 0 C. Để diode làm việc và chịu dòng cao phải có biện pháp làm mát diode. - Làm mát tự nhiên. - Dùng cánh tản nhiệt: + Làm mát bằng gió. + Làm mát bằng dầu. P N A K A K Hình 1.7. Cấu tạo và ký hiệu diode 1.2.1. Đặc tính Vôn-ampe Đặc tính V-A gồm hai nhánh: - Nhánh thuận: Dưới điện áp U AK >0. Diode phân cực thuận. Đường đặc tính có dạng hàm mũ. 4 Hình 1.3 Phân cực thuận mặt ghép Hình 1.4 Trạng thái mặt ghép Hình 1.5. Phân cực ngược mặt ghép Hình 1.6. Trạng thái mặt ghép Hình 1.8. Đặc tính V-A P N Ei R E U Do U i i U U BR U Do U i - Nhánh ngược: Dưới điện áp U AK <0. Diode phân cực ngược. Khi tăng U dòng điện cũng tăng. Khi U > 0,1V. Dòng ngược không tăng. Tới giá trị giới hạn. Khi BR U U> . Dòng điện tăng đột biến phá huỷ diode. Giải thích: Dòng điện ngược hình thành do sự di chuyển của các điện tích thiểu số làm nên. Ở thời điểm đầu: Khi U↑ ⇒ I↑. Đến giới hạn U t toàn bộ các điện tích thiểu số có mặt trong diode đều di chuyển để tạo dòng điện ngược nên dòng điện không tăng (tăng rất chậm). Khi BR U U≥ các điện tích di chuyển trong điện trường và được tích luỹ năng lượng W= 2 2 mv . Trong quá trình di chuyển chúng va chạm với các nguyên tử, vì động năng lớn chúng bẻ gẫy các liên kết của các nguyên tử trong mạng tinh thể tại vùng chuyển tiếp làm xuất hiện điện tử tự do mới. Các điện tích mới này chịu tác động của điện trường sẽ được gia tốc và bắn phá các nguyên tử khác. Do vậy một phản ứng dây chuyền xảy ra làm dòng ngược tăng nhanh. Dòng điện này sẽ gây phá huỷ diode. Để bảo vệ diode trong thực tế người ta cho diode làm việc với điện áp U≤(0,7-0,8)U BR . Biểu thức giải thích đặc tính V-A: [ ] 11 −=       −= u s KT eu s eIeIi λ Với: e=1,59.10 -19 C Với: 84,3 == KT e λ K=1,38.10 -23 I s : Là dòng điện dò. 1.2.2. Quá trình chuyển trạng thái Khác với đặc tính V-A là đặc tính tĩnh, đặc tính u(t), i(t) cho thấy dạng của điện áp và dòng điện theo trên diode theo thời gian gọi là đặc tính động hay đặc tính đóng cắt của diode. Đặc tính đóng/cắt tiêu biểu của diode được cho trên hình Quá trình khoá diode bắt đầu khi đóng khóa S. Dòng qua diode giảm dần, trong khoảng thời gian này diode vẫn còn phân cực thuận cho đến khi các điện tích trong lớp tiếp giáp p-n được di chuyển hết ra bên ngoài. Thời gian di chuyển của các điện tích phụ thuộc tốc độ tăng trưởng dòng ngược di/dt và lượng điện tích tích luỹ, phụ thuộc giá trị dòng điện mà diode dẫn trước đó. Khi dòng điện ngược đạt giá trị cực đại, tiếp giáp p-n trở lên phân cực ngược và diode ngừng dẫn dòng điện, điện áp rơi trên diode bắt đầu tăng. Trong giai đoạn tiếp theo tụ điện tưong đương của tiếp giáp p-n được nạp tới điện áp phân cực ngược, dòng điện qua diode giảm dần về giá trị bằng dòng rò. Phần diện tích gạch chéo trên đường dòng điện i(t) tương ứng bằng lượng điện tích phải di chuyển ra bên ngoài. Phần điện tích này là điện tích phục hồi. Thời gian giữa giai đoạn t rr gọi là thời gian phục hồi. Nhận xét: Khi điện áp biến thiên với tần số cao, f=100Khz thì diode bình thường sẽ không còn chế độ khoá nữa. Đặc tính van một chiều sẽ mất. Khi đó diode gần giống với một điện trở 5 1.2.3. Các thông số cơ bản của một diode 1. Giá trị trung bình của dòng điện cho phép qua diode, I D (I F ) . Đây là dòng trung bình cho phép chảy qua diode với điều kiện nhiệt độ của cấu trúc tinh thể bán dẫn không vượt quá một giá trị cho phép. Trong thực tế dòng điện trung bình qua diode phụ thuộc vào các điều kiện làm mát và nhiệt độ môi trường. Công suất phát nhiệt sẽ bằng tích của dòng điện chạy qua diode với điện áp rơi trên nó. Vì vậy dòng trung bình là một tham số quan trọng để chọn diode. 2. Dòng điện thuận cực đại không lặp lại, I FSM 3. Điện áp ngược lớn nhất mà diode bị đánh thủng, U ngmax (U BR ). Là giá trị điện áp lớn nhất cho phép đặt lên diode. Khi sử dụng cần đảm bảo tại bất kỳ thời điểm nào điện áp ngược trên diode không lớn hơn U ngmax . Trong thực tế phải đảm bảo một độ dự trữ nhất định về điện áp, nghĩa là phải chọn diode có thông số U ngmax ít nhất bằng 1,2 đến 2 lần giá trị biên độ điện áp lớn nhất đặt trên diode tính toán được trên sơ đồ. 4. Điện áp rơi trên diode khi phân cực thuận U F 5. Nhiệt độ mặt ghép T j 1.3 . TRANSISTOR CÔNG SUẤT BJT( Bipolar Junction Tranzitor) Tranzito là phần tử bán dẫn có cấu trúc gồm 3 lớp bán dẫn p-n-p hoặc n-p-n tạo nên từ 2 tiếp giáp p- n.Tranzito có 3 cực như hình vẽ. Tranzito công suất thường là loại n-p-n Hoạt động: Xét loại n-p-n Lớp bán dẫn n - có cấu tạo giống như lớp n, nhưng có ít điện tử tự do hơn. p - n - là vùng có trở kháng cao, do đó tranzitor chịu được điện áp cao hay thấp phụ thuộc độ dày miền n - . Ở chế độ bão hoà, dòng điện 6 Hình 1.9. Cấu tạo transistor BJT điều khiển I b lớn, các điện tử được đưa thừa vào vùng p, các điện tích trung gian không trung hoà hết ⇒ vùng bazơ có điện trở nhỏ ⇒ có dòng điện chạy qua. Do tốc độ trung hoà điện tích không kịp, tranzitor không còn khả năng khống chế dòng điện. 1.3.1. Đặc tính V-A 0: hở mạch BE R: kín mạch BE qua điện trở R S: Ngắn mạch BE U: Đặt điện áp ngược lên BE Transistor công suất có 2 vùng làm việc: khuếch đại tuyến tính và đóng mở bão hòa. Trong lĩnh vực điện tử công suất, transistor hoạt động chủ yếu ở vùng đóng mở bão hòa (vùng gạch chéo ) 1.3.2. Quá trình quá độ của transistor 1.3.3. Các thông số cơ bản I C – dòng điện định mức β - hệ số khuếch đại dòng điện I B = I C / β– dòng điện bazơ mA ∆U – sụt áp thuận 7 Hình 1.10. Đặc tính V-A Hình 1.11. Đặc tính V-A Hình 1.11. Quá trình chuyển trạng thái ∆P – tổn hao công suất sinh nhiệt T cp - nhiệt độ làm việc cho phép. Tại lớp tiếp giáp khoảng 200 0 C với bán dẫn Si U CE - điện áp CE; U BE - điện áp BE; 1.4. TRANSISTOR TRƯỜNG MOSFET (Metal Oxide-Semiconductor Field-Effect Tranzitor) 1.4.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động Khác với cấu trúc BJT, MOSFET có cấu trúc bán dẫn cho phép điều khiển bằng điện áp với dòng điều khiển cực nhỏ. Hình 1.12 a, b thể hiện cấu trúc và ký hiệu của một MOSFET kênh dẫn kiểu n. Trong đó G là cực điều khiển được cách ly hoàn toàn với cấu trúc bán dẫn còn lại bởi lớp điện môi cực mỏng nhưng có độ cách điện cực lớn Dioxit Silic (SiO 2 ). Hai cực còn lại là cực nguồn (S) và cực máng (D). Cực máng đón các hạt mang điện. Nếu kênh dẫn là n thì các hạt mang điện sẽ là các điện tử ( electron , do đó cực tính điện áp của cực máng sẽ là dương so với cực nguồn. Trên ký hiệu, phần chấm gạch giữa D và S thể hiện trong điều kiện chưa có tín hiệu điều khiển thì không có một kênh dẫn thực sự nối giữa D và S. Cấu trúc bán dẫn của MOSFET kênh dẫn kiểu p cũng tương tự nhưng các lớp bán dẫn sẽ có kiểu dẫn điện ngược lại. Tuy nhiên đa số các MOSFET công suất là loại có kênh dẫn kiểu n. Hình 1.12: a. Cấu trúc MOSFET kênh n b. Ký hiệu MOSFET kênh n Hình 1.13 mô tả sự tạo thành kênh dẫn trong cấu trúc bán dẫn của MOSFET. Trong chế độ làm việc bình thường u DS > 0, giả sử điện áp giữa cực điều khiển và cực nguồn bằng không u GS = 0, khi đó kênh dẫn sẽ không hoàn toàn xuất hiện. Giữa cực nguồn và cực máng sẽ là tiếp giáp p – n - phân cực ngược. Điện áp u DS sẽ hoàn toàn rơi trên vùng nghèo điện tích của tiếp giáp này ( hình 1.13a). Nếu điện áp điều khiển âm u GS < 0, thì vùng bề mặt giáp cực điều khiển sẽ tích tụ các lỗ p , do đó dòng điện giữa cực nguồn và cực máng sẽ không xuất hiện. Khi điện áp điều khiển dương u GS > 0, và đủ lớn, bề mặt tiếp giáp cực điều khiển sẽ tích tụ các điện tử, và một kênh dẫn thực sự đã hình thành ( hình 1.13b ). Như vậy trong cấu trúc bán dẫn của MOSFET, các phần tử mang điện là các điện tử, giống như của lớp n tạo nên cực máng, nên MOSFET được gọi là phần tử với các hạt mang điện cơ bản, khác với cấu trúc của BJT, IGBT, TIRISTOR là các phần tử với các hạt mang điện phi cơ bản. Dòng điện giữa cực máng và cực nguồn bây giờ phụ thuộc vào điện áp u DS . Từ cấu trúc bán dẫn của MOSFET ( hình 1.13c ), có thể thấy rằng giữa cực máng và cực nguồn tồn tại một tiếp giáp p – n - , tương đương với một DIODE ngược nối giữa D và S. Trong các sơ đồ của các bộ biến đổi, để trao đổi năng lượng giữa tải và nguồn thường cần có các DIODE mắc song song với các van bán dẫn. Như vậy, ưu điểm của MOSFET là đã có sẵn một DIODE nội tại 8 Hình 1.13. Sự tạo thành kênh dẫn trong cấu trúc MOSFET kênh n 1.4.2. Đặc tính V-A Khi U GS < 3V MOSFET ở trạng thái khóa. Khi U GS cỡ 5-7V MOSFET ở trạng thái dẫn Để hoạt động ở chế độ đóng cắt MOSFET được mở bằng điện áp cỡ 12-15V Hình 1.16 Đặc tính tĩnh của MOSFET 9 1.4.3. Quá trình chuyển trạng thái Hình 2.17 1.5. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 1.5.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động Hình 1.19. IGBT a. Cấu trúc b. Cấu trúc tương đương với một transistor n-p-n và một MOSFET c. Sơ đồ tương đương d. Ký hiệu IGBT là phần tử kết hợp khả năng đóng cắt nhanh của MOSFET và khả năng chịu dòng lớn của BJT. Về mặt điều khiển, IGBT gần giống như MOSFET, nghĩa là được điều khiển bằng điện áp, do đó công suất điều khiển yêu cầu cực nhỏ. Về cấu trúc bán dẫn, IGBT rất giống với MOSFET, điểm khác nhau là có thêm lớp p nối với colectơ tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p giữa emitơ ( tương tự như cực nguồn ) với colectơ ( tương tự như cực máng ), không phải là n-n như ở MOSFET ( hình 1.19 b) . Có thể coi IGBT tương đương với một transistor p-n-p với dòng bazơ được điều khiển bởi một MOSFET ( hình 1.19 b,c). Dưới tác dụng của điện áp điều khiển U GE > 0, kênh dẫn với các hạt mang điện là các điện tử được hình thành, giống như ở cấu trúc MOSFET. Các điện tử di chuyển về phía colectơ vượt qua lớp tiếp giáp n- p như ở cấu trúc giữa bazơ và colectơ ở transistor thường, tạo nên dòng colectơ. 10 . GTO 19 62 4,5 3 2 10 3-4 BJT 19 60 1, 2 0,8 10 1 1,5-3 MOSFET 19 76 0,5 0,05 10 00 0 ,1 3-4 IGBT 19 83 1, 2 0,4 20 0 ,1 3-4 SID 19 76 1, 2 0,3 10 0 0, 01 2-4 MCT 19 88. sau: 1 Linh kiện Năm xuất hiện U đm (kV) I đm (kA) f (kHZ) P (MW) Điện áp rơi (V) Tiristor 19 57 6 35 0,5 10 0 1, 5-2,5 TRIAC 19 58 1 0 ,1 0,5 0 ,1 1,5-2